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半導(dǎo)體FAB中常見(jiàn)的五種CVD工藝

Hello,大家好，今天來(lái)分享下半導(dǎo)體FAB中常見(jiàn)的五種CVD工藝。化學(xué)氣相沉積（CVD）主要是通過(guò)利用氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面沉積一層固體膜的工...

2025-01-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 FAB CVD 6341 0

Aston Impact 高靈敏度質(zhì)譜分析儀 CVD 清洗終點(diǎn)優(yōu)化

上海伯東日本 Atonarp Aston Impact 高靈敏度質(zhì)譜分析儀, 基于四級(jí)桿的質(zhì)量分離, Aston 質(zhì)譜分析儀設(shè)計(jì)緊湊, 適用于氣體分析和...

2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體分析儀 CVD 479 0

什么是無(wú)定形碳膜？為什么選碳作為3D NAND的硬掩模？

無(wú)定形碳膜（Amorphous Carbon Film），即非晶碳膜，指的是一種由碳原子構(gòu)成但沒(méi)有長(zhǎng)程有序結(jié)構(gòu)的薄膜材料。

2024-03-22 標(biāo)簽：NAND PVD CVD 3750 0

CVD成為工業(yè)制造應(yīng)用更優(yōu)選

金剛石具有低密度、高彈性模量、高強(qiáng)度、高熱導(dǎo)率、化學(xué)惰性和生物相容性等優(yōu)異特性，在聲學(xué)領(lǐng)域主要應(yīng)用于高保真喇叭、聲表面波器件、聲傳感器等。

2024-01-08 標(biāo)簽：金剛石 CVD 工業(yè)制造 840 0

銅材料的CVD工藝是怎么實(shí)現(xiàn)的

介紹了銅材料的CVD工藝是怎么實(shí)現(xiàn)的以及什么情況下會(huì)用到銅CVD工藝。

2024-01-07 標(biāo)簽：晶圓工藝 CVD 2119 0

CVD金剛石在機(jī)械密封領(lǐng)域中的應(yīng)用

隨著科技的不斷發(fā)展，金剛石在許多領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。其中，化學(xué)氣相沉積（CVD）金剛石由于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，尤其在機(jī)械密封領(lǐng)域中有著廣...

2024-01-04 標(biāo)簽：金剛石機(jī)械密封 CVD 1420 0

金剛石晶體的不同類(lèi)型及應(yīng)用梳理

金剛石是我們都非常熟悉的超硬材料，人造金剛石晶體有多種不同的類(lèi)型，大致可分為單形和聚形，每種類(lèi)型都具有不同的特性和應(yīng)用。本文梳理了金剛石晶體的不同類(lèi)型及應(yīng)用。

2024-01-02 標(biāo)簽：金剛石 CVD 3656 0

三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工，需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，...

2023-12-15 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體碳化硅 4254 0

90%的模具人都搞不懂模具爆裂是什么？模具爆裂原因分析

模具材質(zhì)不好在后續(xù)加工中容易碎裂

2023-11-25 標(biāo)簽：PVD 壓力機(jī)HRC 2114 0

CVD中的硅烷詳解

硅烷（SiH4），是CVD里很常見(jiàn)的一種氣體，在CVD中通常用來(lái)提供硅的來(lái)源，用途很廣泛，我們來(lái)詳細(xì)了解一下。

2023-11-24 標(biāo)簽：CVD 氮化硅 3282 0

介紹一種可行的方法和潛在的機(jī)制來(lái)輔助自組裝的轉(zhuǎn)角石墨烯

近年來(lái)，能夠生產(chǎn)無(wú)缺陷單層石墨烯和其他2D材料的生長(zhǎng)技術(shù)得到了長(zhǎng)足的發(fā)展。

2023-09-04 標(biāo)簽：電容器電阻器電感器 1029 0

石墨烯基導(dǎo)熱薄膜的研究進(jìn)展情況分析

CVD因具有可控、高質(zhì)量生長(zhǎng)石墨烯的優(yōu)點(diǎn)而引起國(guó)內(nèi)外關(guān)注，據(jù)報(bào)道石墨烯薄膜可在多個(gè)襯底上生長(zhǎng)，如Fe、Cu和Ni、 Pt等。研究表明，采用CVD工藝生長(zhǎng)...

2023-09-01 標(biāo)簽：芯片晶體管石墨烯 1462 0

石墨烯的制備方法有哪些石墨烯膜提升智能手機(jī)散熱性能的方法

石墨烯內(nèi)部碳原子的排列方式與石墨單原子層一樣以sp2雜化軌道成鍵，并有如下的特點(diǎn)：碳原子有4個(gè)價(jià)電子，其中3個(gè)電子生成sp2鍵，即每個(gè)碳原子都貢獻(xiàn)一個(gè)位...

2023-08-18 標(biāo)簽：傳感器智能手機(jī)石墨 1954 0

即插即用的視頻深度預(yù)測(cè)框架是什么

在實(shí)驗(yàn)方面，我們?cè)赩DW數(shù)據(jù)集，以及公開(kāi)的Sintel和NYUDV2數(shù)據(jù)集上，均取得了SOTA的空間精度和時(shí)域一致性。其中VDW和Sintel為自然場(chǎng)景...

2023-08-09 標(biāo)簽：網(wǎng)絡(luò)視頻數(shù)據(jù)傳輸 CVD 972 0

自下而上設(shè)計(jì)，精細(xì)合成硬碳微結(jié)構(gòu)—高效堿金屬負(fù)極！

堿金屬離子電池（AMIBs）的電化學(xué)特性在很大程度上取決于負(fù)極材料。作為最有前途的負(fù)極材料之一，碳質(zhì)材料具有成本低、資源豐富和環(huán)境友好等優(yōu)點(diǎn)，在鋰、鈉和...

2023-08-07 標(biāo)簽：鋰離子電池熱處理電池充放電 3084 0

ALD在高深寬比器件制造上不可替代的應(yīng)用

在集成電路領(lǐng)域中，深寬比被定義為刻蝕深度與刻蝕圖形CD（Criticlal Dimension）的比值。CD是IC制造中的一個(gè)重要指標(biāo)，通常與刻蝕的特征...

2023-07-14 標(biāo)簽：集成電路晶體管 PVD 3064 0

國(guó)產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實(shí)驗(yàn)

SiC薄膜生長(zhǎng)方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...

2023-06-19 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)晶圓 SiC 1880 0

原子層ALD沉積介紹

原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。

2023-06-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 PVD CVD 4458 0

淺析芯片沉積工藝

在了解芯片沉積工藝之前，先要闡述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機(jī)物層。

2023-06-08 標(biāo)簽：邏輯電路 PVD 儲(chǔ)存器 4507 0

各種CVD材料介紹

Producer Black Diamond 3 系統(tǒng)設(shè)計(jì)為可與應(yīng)用材料公司的 Producer Nanocure 3 UV 固化系統(tǒng)配合使用。Nan...

2023-05-25 標(biāo)簽：晶圓邏輯器件 CVD 9682 0

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PCB就是印制電路板又稱印制線路板，即英文Printed circuit board的縮寫(xiě)，是電子原件的承載部分，是電子元器件電氣連接的提供者，PCB根據(jù)其基板材料的不同而不同。
芯和半導(dǎo)體

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芯和半導(dǎo)體是國(guó)產(chǎn)EDA行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，提供覆蓋IC、封裝到系統(tǒng)的全產(chǎn)業(yè)鏈仿真EDA解決方案，致力于賦能和加速新一代高速高頻智能電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。　　芯和半導(dǎo)體自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的EDA產(chǎn)品和方案在半導(dǎo)體先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)封裝上不斷得到驗(yàn)證，并在5G、智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，有效聯(lián)結(jié)了各大IC設(shè)計(jì)公司與制造公司。
熱設(shè)計(jì)

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熱設(shè)計(jì)是隨著通訊和信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而出現(xiàn)的一個(gè)較新的行業(yè)，在通訊、安防、PC、汽車(chē)、LED以及逆變器等行業(yè)中越來(lái)越被重視，成為產(chǎn)品研發(fā)中不可缺少的重要領(lǐng)域。熱設(shè)計(jì)一般由前期的仿真和后期的測(cè)試驗(yàn)證來(lái)完成。當(dāng)前的主流的仿真軟件有Flotherm， Icepak，F(xiàn)loEFD， 6SigmaET等
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集成電路設(shè)計(jì)

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集成電路設(shè)計(jì)（Integrated circuit design， IC design），亦可稱之為超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)（VLSI design），是指以集成電路、超大規(guī)模集成電路為目標(biāo)的設(shè)計(jì)流程。集成電路設(shè)計(jì)涉及對(duì)電子器件（例如晶體管、電阻器、電容器等）、器件間互連線模型的建立。
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可靠性測(cè)試就是為了評(píng)估產(chǎn)品在規(guī)定的壽命期間內(nèi)，在預(yù)期的使用、運(yùn)輸或儲(chǔ)存等所有環(huán)境下，保持功能可靠性而進(jìn)行的活動(dòng)。是將產(chǎn)品暴露在自然的或人工的環(huán)境條件下經(jīng)受其作用，以評(píng)價(jià)產(chǎn)品在實(shí)際使用、運(yùn)輸和儲(chǔ)存的環(huán)境條件下的性能，并分析研究環(huán)境因素的影響程度及其作用機(jī)理。
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TCXO（Temperature Compensate X‘tal （crystal） Oscillator） TCXO是通過(guò)附加的溫度補(bǔ)償電路使由周?chē)鷾囟茸兓a(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種。1.TCXO的溫度補(bǔ)償方式，溫度補(bǔ)償型石英晶體諧振器，具有精度高等特點(diǎn)。
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芯華章聚集全球EDA行業(yè)精英和尖端科技領(lǐng)域人才，以智能調(diào)試、智能編譯、智能驗(yàn)證座艙為三大基座，提供全面覆蓋數(shù)字芯片驗(yàn)證需求的五大產(chǎn)品線。
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移動(dòng)開(kāi)發(fā)也稱為手機(jī)開(kāi)發(fā)，或叫做移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)開(kāi)發(fā)，移動(dòng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)等。是指以手機(jī)、PDA、UMPC等便攜終端為基礎(chǔ)，進(jìn)行相應(yīng)的開(kāi)發(fā)工作，由于這些隨身設(shè)備基本都采用無(wú)線上網(wǎng)的方式，因此，業(yè)內(nèi)也稱作為無(wú)線開(kāi)發(fā)。
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深南電路股份有限公司（簡(jiǎn)稱“深南電路”），成立于1984年，注冊(cè)資本4.89億元，總部坐落于中國(guó)廣東省深圳市，主要生產(chǎn)基地位于中國(guó)深圳、江蘇無(wú)錫及南通，業(yè)務(wù)遍及全球，在北美設(shè)有子公司，歐洲設(shè)有研發(fā)站點(diǎn)。
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　　LED開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用的電子器件主要為：LED二極管、IGBT和MOSFET。SCR在開(kāi)關(guān)電源輸入整流電路及軟啟動(dòng)電路中有少量應(yīng)用，GTR驅(qū)動(dòng)困難，開(kāi)關(guān)頻率低，逐漸被IGBT和MOSFET取代。
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杭州廣立微電子股份有限公司是領(lǐng)先的集成電路EDA軟件與晶圓級(jí)電性測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商，公司專注于芯片成品率提升和電性測(cè)試快速監(jiān)控技術(shù)，是國(guó)內(nèi)外多家大型集成電路制造與設(shè)計(jì)企業(yè)的重要合作伙伴。
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射頻簡(jiǎn)稱RF射頻就是射頻電流，它是一種高頻交流變化電磁波的簡(jiǎn)稱。每秒變化小于1000次的交流電稱為低頻電流，大于1000次的稱為高頻電流，而射頻就是這樣一種高頻電流。有線電視系統(tǒng)就是采用射頻傳輸方式的
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去耦（decoupling）電容也稱退耦電容，一般都安置在元件附近的電源處，用來(lái)濾除高頻噪聲，使電壓穩(wěn)定干凈，保證元件的正常工作。去耦電容是電路中裝設(shè)在元件的電源端的電容
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