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標(biāo)簽 > ddr
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。
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關(guān)于DDR的案例,高速先生已經(jīng)分享過很多期的文章了,有通過修改主控芯片的驅(qū)動解決問題的,有通過修改PCB走線的拓?fù)鋪斫鉀Q問題的,也有通過調(diào)節(jié)端接電阻來解...
電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片,及芯片個數(shù)等進(jìn)行計(jì)算。由于DDR的電流一般都比較大,所以PCB設(shè)計(jì)時,如果有一個完整的電源平...
DDR 驗(yàn)證是任何 SoC 中最關(guān)鍵和最復(fù)雜的任務(wù)之一,因?yàn)樗婕拔挥?DUT 內(nèi)部的控制器和位于板載 DUT 外部的外部 DDR 存儲器。在這里,我們...
使用高級驗(yàn)證與內(nèi)存技術(shù)保持同步
在存儲器密度低、性能緩慢且需要昂貴的硅空間的時代。然后我快進(jìn)到未來,當(dāng)內(nèi)存技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到支持巨大的密度,超快的速度,同時保持低功耗,所有這些都在非常小的...
在這篇博客中,我將展示另一個功能,它使Verdi Protocol Analyzer成為調(diào)試內(nèi)存協(xié)議問題和驗(yàn)證正確系統(tǒng)行為的首選工具。此外,該工具還可用...
講解全志國產(chǎn)處理器T113-i與T113-S3的不同之處!
而T113-S3在不加散熱片情況下,工作溫度范圍較小(-25℃ ~ +75℃),并非真工業(yè)級。即使加了散熱片,T113-S3工作溫度范圍(-25℃ ~ ...
DDR PHY 接口 (DFI) 用于包括智能手機(jī)在內(nèi)的多種消費(fèi)電子設(shè)備。DFI 是一種接口協(xié)議,用于定義在 DRAM 設(shè)備之間以及 MC(微控制器)和...
下一代內(nèi)存技術(shù):準(zhǔn)備好迎接驗(yàn)證挑戰(zhàn)了嗎
NVDIMM:又名非易失性雙列直插式內(nèi)存模塊。這是一個RAM DIMM,在電源關(guān)閉時不會丟失其數(shù)據(jù)。這兩種強(qiáng)大技術(shù)的結(jié)合為提高應(yīng)用程序性能、數(shù)據(jù)安全性和...
2023-05-26 標(biāo)簽:存儲器DDR計(jì)算機(jī) 1084 0
SoC 性能是市場上的關(guān)鍵競爭優(yōu)勢,協(xié)議 IP 和互連的選擇和配置旨在最大限度地提高所述性能。一個典型的例子是使用 HBM(高帶寬內(nèi)存)技術(shù)和內(nèi)存控制器...
Toggle2NAND 在沒有時鐘的情況下使用雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR),但它與傳統(tǒng) SDR NAND 中支持的功能和命令兼容。在提供高數(shù)據(jù)傳輸速率的同時...
Power Down,斷電。斷電不一定非要把芯片的外部供電給斷掉,如果芯片自帶PD腳,直接拉一下PD腳,也相當(dāng)于斷電了。攝像頭上會用到這根線,因?yàn)橐话愕?..
set_input_delay中-add_delay的作用簡析
在默認(rèn)情況下,一個port只需要一個min和max的dealy值,如果我們設(shè)置兩次,那么第二次設(shè)置的值會覆蓋第一次的值:下面的第一行就無效了。
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