根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個(gè)數(shù)等進(jìn)行計(jì)算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設(shè)計(jì)時(shí)，如果有一個(gè)完整的電源平面鋪到管腳上，是最理想的狀態(tài)，并且在電源入口加大電容儲(chǔ)能，每個(gè)管腳上加一個(gè)100nF~10nF的小電容濾波。
2018-01-26 01:16:16
8520 嵌入式DDR(Double Data Rate，雙數(shù)據(jù)速率)設(shè)計(jì)是含DDR的嵌入式硬件設(shè)計(jì)中最重要和最核心的部分。隨著嵌入式系統(tǒng)的處理能力越來越強(qiáng)大，實(shí)現(xiàn)的功能越來越多，系統(tǒng)的工作頻率越來越高，DDR的工作頻率也逐漸從最低的133 MHz提高到200 MHz，從而實(shí)現(xiàn)了更大的系統(tǒng)帶寬和更好的性能。
2018-04-14 07:38:013947 
DDR硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn) 1、電源 DDR的電源可以分為三類： a、主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都
2018-07-17 10:03:1519595 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺(tái)灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2022-11-28 09:17:063903 電路設(shè)計(jì)中常見的DDR屬于SDRAM，中文名稱是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
2023-11-24 17:28:521092 
本文主要講述一下DDR從0到1設(shè)計(jì)的整個(gè)設(shè)計(jì)的全過程。
2023-11-27 16:28:113720 
本文主要講述一下DDR從0到1設(shè)計(jì)的整個(gè)設(shè)計(jì)的全過程，有需要的朋友可先安排收藏。
2023-11-29 15:36:33773 
DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種高帶寬的存儲(chǔ)器，今天主要講述一下DDR4在Layout過程中的一些細(xì)節(jié)。在DDR的設(shè)計(jì)過程中，DDR的Layout是十分重要的環(huán)節(jié)。
2023-11-29 15:39:101477 
請(qǐng)教專家，我的電路中擬使用6674，但是不使用片上的DDR3外設(shè)。667X的硬件設(shè)計(jì)指南中說，即便DDR3外設(shè)不使用時(shí)，它的PLL電源AVDDA2仍然要接1.8V電源和加磁珠隔離，時(shí)鐘輸入按照
2018-12-26 14:12:46
DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點(diǎn)相比DDR3，DDR4存在諸多變更點(diǎn)，其中與硬件設(shè)計(jì)直接相關(guān)的變更點(diǎn)主要有：?增加Vpp電源；?VREFDQ刪除；?CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為POD模式
2021-11-12 08:07:07
DDR的電源可以分為哪幾類？拉電流和灌電流分別是什么意思？拉電流和灌電流為什么能夠衡量輸出驅(qū)動(dòng)能力？
2021-10-08 07:40:35
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別文所有權(quán)歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
淺析STM32之printf重定向
2021-12-02 06:19:33
淺析uCosII
2012-08-20 13:26:55
淺析開關(guān)型穩(wěn)壓電源結(jié)構(gòu)原理
2012-08-06 12:57:41
淺析霍爾電流傳感器的應(yīng)用
2012-08-14 23:15:19
電源濾波電路淺析
2013-02-06 23:48:14
LXI設(shè)備淺析LXI通訊技術(shù)，目前要替代的是GPIB通訊技術(shù)，它們的用途和目的是共同的。GPIB只是一個(gè)設(shè)備的通訊接口，就像計(jì)算機(jī)的串口一樣。LXI（LAN）也應(yīng)是這樣，是一個(gè)設(shè)備的通訊接口，只是
2009-06-08 10:22:11
【電源設(shè)計(jì)小技巧】DDR內(nèi)存電源作用介紹CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓
2012-02-09 11:09:02
使用DDR電源設(shè)計(jì)工具，調(diào)節(jié)完輸入電源參數(shù)之后進(jìn)行效率和成本平衡優(yōu)化，輸出2.2V標(biāo)準(zhǔn)DDRL電壓作品地址：http://www.www27dydycom.cn/uploads/ComDoc/20150708/559cd0a230ec4.pdf
2015-07-08 15:47:51
DDR硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)1. 電源 DDR的電源可以分為三類：a、主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ
2018-08-09 22:09:18
大家搜索整理的關(guān)于計(jì)算機(jī)的硬件維護(hù)的淺析，歡迎參考閱讀，希望對(duì)您有所幫助!隨著社會(huì)的進(jìn)步，科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，信息的傳播方式以計(jì)算機(jī)傳播為主。這就需要我們定期對(duì)良好計(jì)算機(jī)進(jìn)行防范檢查，對(duì)故障計(jì)算機(jī)進(jìn)行安全維...
2021-09-08 08:07:36
本手冊(cè)以 DDR3 器件為例講解硬件設(shè)計(jì)方法，包括 FPGA I/O 分配、原理圖設(shè)計(jì)、電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)、PCB 走線、參考平面設(shè)計(jì)、仿真等，旨在協(xié)助用戶快速完成信號(hào)完整性好、低功耗、低噪聲的高速存儲(chǔ)
2022-09-29 06:15:25
本人菜鳥初學(xué)者一個(gè)，求大神幫忙設(shè)計(jì)一個(gè)ddr2，ddr3供電電源，查了很多資料，自己也嘗試著設(shè)計(jì)了一下，但是發(fā)現(xiàn)問題很多，只能求助各位了，能幫我設(shè)計(jì)的本人必有酬謝，200元話費(fèi)。。。。。 求會(huì)的大神直接聯(lián)系我qq447420097
2014-03-25 23:02:56
飛思卡爾DDR3硬件+PCB設(shè)計(jì)參考
2016-08-30 16:32:59
飛思卡爾DDR3硬件+PCB設(shè)計(jì)參考
2014-10-24 13:52:06
此參考設(shè)計(jì)展示了適用于 DDR3 和 DDR4 存儲(chǔ)器的通用電源解決方案。同步降壓轉(zhuǎn)換器為 DDR3L 配置中的 9A 負(fù)載提供 1.35V 輸出電壓。線性穩(wěn)壓器提供為 2A 負(fù)載提供 0.675V 的第二個(gè)電壓。
2008-09-17 14:46:05
277 此參考設(shè)計(jì)展示了適用于 DDR3 和 DDR4 存儲(chǔ)器的通用電源解決方案。同步降壓轉(zhuǎn)換器為 DDR3L 配置中的 9A 負(fù)載提供 1.35V 輸出電壓。線性穩(wěn)壓器提供為 2A 負(fù)載提供 0.675V 的第二個(gè)電壓。
2008-09-18 16:31:290 DDR內(nèi)存SPD資料,DDR8X16 266,DDR16X8 266,DDR16X8 333,DDR16X16 266,DDR32X8 266,DDR32X8 400,DDR64X4 266,DDR 8X16.
2008-10-27 21:02:37205 SDRAM與DDR布線指南:ecos應(yīng)用是與硬件平臺(tái)無關(guān)的，雖然開發(fā)板沒有涉及到SDRAM和DDR，不過，在某些高端平臺(tái)上使用ecos可能會(huì)遇到內(nèi)存布線問題，為了完整敘述，這里一并給出說明。 很
2010-03-18 15:29:080 本文將介紹DDR SDRAM的一些概念和難點(diǎn)，主要結(jié)合上一篇SDRAM的介紹加以對(duì)比。同時(shí)著重講解主流DDRII的技術(shù)。最后結(jié)合硬件設(shè)計(jì)提出一些參考。
DDR SDRAM全稱為Double Dat
2010-08-30 16:26:16119 MAX17000 完備的DDR2和DDR3電源管理方案
MAX17000 概述
MAX17000脈寬調(diào)制
2009-01-22 12:59:211018 
淺析高頻開關(guān)電源的熱設(shè)計(jì)
摘要：闡述了高頻開關(guān)電源熱設(shè)計(jì)的一般原則，著重分析了開關(guān)電源散熱器的熱結(jié)
2009-07-15 09:07:33791 
DDR2,DDR2是什么意思
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)
2010-03-24 16:06:361381 DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393146 DDR存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 由于幾乎在所有要求快速處理大量數(shù)據(jù)(可能是計(jì)算機(jī)、服務(wù)器或游戲系統(tǒng))的應(yīng)用中都要求具有RAM(隨機(jī)存儲(chǔ)器)，因而DDR存儲(chǔ)器也變得日益重要，其應(yīng)
2010-09-25 17:39:253557 
MAX17000A脈寬調(diào)制(PWM)控制器為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲(chǔ)器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可
2010-11-25 09:26:24682 
從那時(shí)起，采用DDR2、甚至最新的DDR3 SDRAM的新設(shè)計(jì)讓DDR SDRAM技術(shù)黯然失色。DDR內(nèi)存主要以IC或模塊的形式出現(xiàn)。如今，DDR4雛形初現(xiàn)。但是在我們利用這些新技術(shù)前，設(shè)計(jì)人員必須了解如何
2011-07-11 11:17:145033 
本文章主要涉及到對(duì) DDR2 和DDR3 在設(shè)計(jì)印制線路板(PCB)時(shí)，考慮信號(hào)完整性和電源完整性的設(shè)計(jì)事項(xiàng)，這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。文章重點(diǎn)是討論在盡可能少的PCB 層數(shù)，特別是4 層板
2011-07-12 17:31:100 對(duì)于大屏幕彩電開關(guān)穩(wěn)壓電源效率的詳細(xì)淺析
2011-10-11 19:04:3646 UPS電源輸入跳閘淺析及解決辦法解析
2011-11-10 16:42:1089 CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān),傳統(tǒng)上，邏輯系統(tǒng)僅對(duì)一個(gè)時(shí)鐘沿的數(shù)據(jù)計(jì)時(shí)，而雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 內(nèi)存同時(shí)對(duì)時(shí)鐘的前沿和下降沿計(jì)
2011-12-16 17:56:323609 
業(yè)界最小負(fù)載點(diǎn)直流—直流轉(zhuǎn)換器領(lǐng)先創(chuàng)新者Enpirion 公司發(fā)布了其 DDR 存儲(chǔ)器終端電源的電源集成電路 （IC） 產(chǎn)品組合的新成員。Enpirion EV1320 是 2A （sink/source） DDR 終端轉(zhuǎn)換器，最高效
2012-02-16 09:03:51871 淺析IGBT驅(qū)動(dòng)
2012-06-16 09:52:121759 
在智能硬件設(shè)計(jì)中很重要，DDR設(shè)計(jì)參考，收益匪淺
2015-10-28 14:48:449 總結(jié)了DDR和DDR2，DDR3三者的區(qū)別，對(duì)于初學(xué)者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:3736 DDR系列內(nèi)存詳解及硬件設(shè)計(jì)規(guī)范， 好的教程
2015-11-16 18:59:580 淺析引線阻抗差異和輸出濾波環(huán)節(jié)差異對(duì)逆變電源并聯(lián)系統(tǒng)環(huán)流的影響。
2016-03-30 14:28:405 新手學(xué)習(xí)下，DDR3-硬件設(shè)計(jì)和-Layout-設(shè)計(jì)
2016-09-09 16:58:090 引言 LTC3876 是一款完整的 DDR 電源解決方案，可與 DDR1、DDR2、DDR3 和 DDR4 較低的電壓兼容。該 IC 包括 VDDQ 和 VTT DC/DC 控制器和一個(gè)高精度線性
2017-05-10 16:37:3912 DDR~DDR3的設(shè)計(jì)指導(dǎo)手冊(cè)
2017-11-02 17:02:110 DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：為雙信道三次同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。
DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:4925152 嵌入式 DDR（Double Data Rate，雙數(shù)據(jù)速率）設(shè)計(jì)是含DDR的 嵌入式 硬件設(shè)計(jì)中最重要和最核心的部分。隨著嵌入式系統(tǒng)的處理能力越來越強(qiáng)大，實(shí)現(xiàn)的功能越來越多，系統(tǒng)的工作頻率越來越高，DDR的工作頻率也逐漸從最低的133 MHz提高到200 MHz，從而實(shí)現(xiàn)了更大的系統(tǒng)帶寬和更好的性能。
2018-04-11 15:33:003982 
性能和成本達(dá)到最佳收益的選擇，就是在布線方面，DDR3需要注意的問題比DDR2就略多。這里對(duì)AM335x關(guān)于DDR3的軟硬件設(shè)計(jì)資源以及這些注意事項(xiàng)做一個(gè)簡單匯總
2018-04-24 16:08:2018 LTC3876 是一款完整的 DDR 電源解決方案，可兼容 DDR1、DDR2、DDR3 及未來的較低電壓 DDRX標(biāo)準(zhǔn)。LTC3876 包括 VDDQ 和 VTT DC/DC 控制器和一個(gè)高精度線性 VTT 基準(zhǔn)。一個(gè)差分輸出檢測(cè)放大器與高精度的內(nèi)部基準(zhǔn)相組合，可提供一個(gè)準(zhǔn)確的 VDDQ 電源。
2018-07-05 10:07:001003 
電源設(shè)計(jì)小貼士 41：DDR 內(nèi)存電源
2018-08-08 01:33:005235 通過PMBus電源向ASIC、FPGA?以及DDR電壓軌供電設(shè)計(jì)
2018-08-06 00:08:004442 主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。
2018-08-22 16:04:214224 
本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn)，并簡單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對(duì)象為DDR4 3200MHz內(nèi)存，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">硬件極客對(duì)DDR4性能的不斷深挖，目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2823339 新唐DDR總線終端穩(wěn)壓器系列產(chǎn)品提供了雙向(吸收/ 提供)電流給高速總線電源終端器應(yīng)用。此系列提供了DDR、DDR2、DDR3x與DDR4 穩(wěn)定的終端電源與快速的瞬時(shí)響應(yīng)。使用新唐DDR終端電源穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)，您可以獲得高性能和具有成本效益的優(yōu)勢(shì)。
2020-02-04 09:57:191290 
DDR5相比DDR4有什么新特性？
2020-01-10 14:21:0410080 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)包括了：一、DDR的布線分析與設(shè)計(jì)，二、DDR電路的信號(hào)完整性，三、DDR Layout Guide，四、DDR設(shè)計(jì)建議，六、DDR design checklist，七、DDR信號(hào)完整性
2020-05-29 08:00:000 本篇主要針對(duì)Zynq UltraScale + MPSoC的DDR接口，從硬件設(shè)計(jì)的角度進(jìn)行詳細(xì)介紹，最后展示一下小編之前自己設(shè)計(jì)的基于ZU+的外掛8顆DDR4的設(shè)計(jì)。
2020-12-28 08:00:000 對(duì)于電源電壓，DDR SDRAM系統(tǒng)要求三個(gè)電源，分別為VDDQ、VTT和VREF。
2021-03-18 01:13:0525 用于 DDR 電源及終端的高效率、雙通道、±3A同步降壓型穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)
2021-03-19 08:44:5013 用于 DDR 終端的高效率 ±6A 開關(guān)穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)
2021-03-21 05:20:164 快速、高可靠和耐輻射的存儲(chǔ)是復(fù)雜空間邊緣計(jì)算系統(tǒng)的必備特性。DDR4 將使航天工業(yè)實(shí)現(xiàn)更高吞吐量的星上計(jì)算能力和更長的采集時(shí)間，從而支持全新的地球觀測(cè)、空間科學(xué)和電信應(yīng)用，例如超高分辨率圖像、實(shí)時(shí)
2021-07-26 15:30:302464 一、DDR電源 DDR的電源可以分為三類： 1.1 主電源VDD和VDDQ 主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO ?buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ
2021-08-18 11:15:294054 
本篇博文中的分析是根據(jù)真實(shí)客戶問題撰寫的，該客戶發(fā)現(xiàn)硬件中存在 DDR4 校準(zhǔn)后數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，此問題顯示為與時(shí)序有關(guān)，但時(shí)序報(bào)告中并未顯示任何違例，最初并未使用方法論報(bào)告 （Methodology
2021-09-16 09:30:141817 本篇主要針對(duì)Zynq UltraScale + MPSoC的DDR接口，從硬件設(shè)計(jì)的角度進(jìn)行詳細(xì)介紹，最后展示一下小編之前自己設(shè)計(jì)的基于ZU+的外掛8顆DDR4的設(shè)計(jì)。 目前比較常用的DDR
2021-09-16 10:17:024789 
DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲(chǔ)器。這句話可以分解出3個(gè)關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器
2021-11-06 13:51:01143 DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點(diǎn)相比DDR3，DDR4存在諸多變更點(diǎn)，其中與硬件設(shè)計(jì)直接相關(guān)的變更點(diǎn)主要有：? 增加Vpp電源；? VREFDQ刪除；? CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為
2021-11-06 20:36:0028 DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別作者：AirCity 2019.12.17Aircity007@sina.com 本文所有權(quán)歸作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
2021-11-10 09:51:03154 淺析MOS管介紹與應(yīng)用
2021-11-13 17:19:3314 淺析電容倍增器的原理及應(yīng)用 李文元
2021-11-15 16:15:3459 DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn)，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從DDR4最高的3200MT/s，到了DDR5最高的6400MT/s；其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯(cuò)機(jī)制，以及降低功耗的1.1V電壓，而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過于新加入的電源管理芯片（PMIC）。
2022-07-12 09:58:503918 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS53515低功耗DDR存儲(chǔ)器電源參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-06 16:18:370 本手冊(cè)以 DDR3 器件為例講解硬件設(shè)計(jì)方法，包括 FPGA I/O 分配、原
理圖設(shè)計(jì)、電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)、PCB 走線、參考平面設(shè)計(jì)、仿真等，旨在協(xié)助用
戶快速完成信號(hào)完整性好、低功耗、低噪聲的高速存儲(chǔ)方案的硬件設(shè)計(jì)。
2022-09-15 10:31:363 LTC?3876 是一款完整的 DDR 電源解決方案，兼容 DDR1、DDR2、DDR3 和 DDR4 較低電壓標(biāo)準(zhǔn)。該 IC 包括 VDDQ和 VTT DC/DC 控制器和精密線性VTT 參考。差分輸出檢測(cè)放大器和精密內(nèi)部基準(zhǔn)相結(jié)合，提供精確的VDDQ供應(yīng)。
2023-01-17 10:29:271728 
編者注：DDR總線的設(shè)計(jì)相對(duì)而言是非常復(fù)雜的，比如電源系統(tǒng)中就包含了很多中電源的設(shè)計(jì)，只是某些工程師在設(shè)計(jì)的時(shí)候做了一些簡化。本文就針對(duì)VTT做了比較詳細(xì)的介紹。
2023-06-16 16:35:213426 
本設(shè)計(jì)筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源，電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。
2023-06-26 10:34:36549 
開關(guān)電源模塊是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的關(guān)鍵部件，其作用是將輸入電源轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電源。本文將對(duì)開關(guān)電源模塊的作用進(jìn)行淺析，探討其在電子設(shè)備中的重要性。
2023-07-15 09:35:22736 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺(tái)灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103376 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Teledyne e2v的宇航級(jí)DDR4的硬件設(shè)計(jì)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-13 17:14:551 RK3588 VCC_DDR電源PCB設(shè)計(jì) 1、VCC_DDR覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)挘窂讲荒鼙贿^孔分割太嚴(yán)重，必須計(jì)算有效線寬，確認(rèn)連接到CPU每個(gè)電源PIN
2023-09-28 07:40:05427 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003895 VTT電源對(duì)DDR有什么作用？
2023-11-27 16:20:14579 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲(chǔ)器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:58:120
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