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標(biāo)簽 > ddr4
DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。
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不知道現(xiàn)在大家做的DDR4系統(tǒng)的指標(biāo)是怎么樣了?從高速先生和最近眾多客戶的配合來看,從一個通道的總?cè)萘亢退俾噬隙蓟旧侠搅藰O限,從單個顆粒的容量,很多...
在Vivado 2021.2的VCK190 boardfile里DDR4-DIMM的DQ width被限制為64bit,不能使能ECC功能。如果需要在V...
存儲器的種類很多,按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器。主存儲器簡稱內(nèi)存,內(nèi)存在電腦中起著舉足輕重的作用,一般采用半導(dǎo)體存儲單元。因為RAM是內(nèi)存其中最重...
在系統(tǒng)級仿真中,與DDR4-3200 相比,更高數(shù)據(jù)速率下的 DDR5 的有效帶寬幾乎是其兩倍。這種改進是通過提高數(shù)據(jù)速率和增強架構(gòu)來實現(xiàn)的。DDR5 ...
示波器配備的探測分析工具要能與自動一致性測試相結(jié)合
隨著示波器用戶對速度更快、功耗更低和體積更小的存儲器的需求與日俱增,雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)存儲器技術(shù)在過去五年里得到了巨大的發(fā)展。
由于內(nèi)存接口芯片的大規(guī)模商用要經(jīng)過下游廠商的多重認(rèn)證,還要攻克低功耗內(nèi)存接口芯片的核心技術(shù)難關(guān),從 DDR4 世代開始,全球內(nèi)存接口芯片廠商僅剩 Ram...
Power Design Manager (PDM) 2023.1的新增功能
PDM 已經(jīng)與其它 AMD FPGA 和自適應(yīng) SoC 工具一起集成到統(tǒng)一的安裝程序中。這是一款獨立的工具,無需任何額外的 AMD 軟件,即可運行或完成安裝。
2023-09-06 標(biāo)簽:SoC設(shè)計PDMDDR4 1331 0
DDR4 SDRAM(Double Data Rate Fourth Synchronous Dynamic Random Access Memory)...
DXG 服務(wù)器配備 8 塊 H100 GPU,6400億個晶體管,在全新的 FP8 精度下 AI 性能比上一代高 6 倍,可提供 900GB/s 的帶寬。
2023-12-13 標(biāo)簽:NVIDIADDR4內(nèi)存技術(shù) 1264 0
CXL 增加了芯片內(nèi)部的技術(shù)復(fù)雜性,這需要集成電路(IC)和復(fù)雜的片上系統(tǒng)(SoC)專業(yè)知識來設(shè)計、開發(fā)和執(zhí)行復(fù)雜的 SoC。在 CXL 存儲器解決方案...
性能強勁、穩(wěn)定高效的雷神雙路64核服務(wù)器升級亮相
近期,雷神科技基于兆芯開勝KH-40000系列處理器打造的博睿FX2服務(wù)器迎來升級更新,搭載雙路KH-40000/32處理器的雷神FX2-Z1UC1服務(wù)...
Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4設(shè)計指南
為了使設(shè)計人員能夠快速集成ST-DDR4支持,該過程從Xilinx Vivado開發(fā)環(huán)境中生成的現(xiàn)有8Gb DDR4 SDRAM-2666存儲器接口生成...
RZ/G2L SD卡啟動環(huán)境變量存儲設(shè)置
RZ/G2L微處理器配備Cortex-A55(1.2 GHz)CPU、16位DDR3L/DDR4接口、帶Arm Mali-G31的3D圖形加速引擎以及視...
SemiWiki的Eric Esteve剛剛發(fā)表一篇博客,標(biāo)題為 “再見,DDRn協(xié)議”。博客中Esteve承認(rèn)這份博客將引起轟動,且聲稱 “ 今后數(shù)年...
TPS51200-EP 灌電流/拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
TPS51200-EP 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計 考慮。 ...
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