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標(biāo)簽 > ddr5
DDR5是一種計算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng),功耗更低。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。
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雷克沙推出全新戰(zhàn)神之翼系列DDR5內(nèi)存條
近期,雷克沙重磅推出全新戰(zhàn)神之翼系列 DDR5 內(nèi)存條 ——ARESRGB DDR5 6000C26。此款內(nèi)存條專為 AMD 平臺精心定制,具備卓越性能...
國產(chǎn)最高頻率記錄的自主x86處理器發(fā)布!
開先KX-7000系列處理器采用全新“世紀(jì)大道”自主內(nèi)核微架構(gòu)和先進(jìn)的Chiplet互連架構(gòu),與上一代產(chǎn)品相比,計算性能提升2倍。
三星計劃全面提高DDR5產(chǎn)量,過去一個月上漲5-10%
英特爾新一代消費(fèi)型筆電平臺 Meteor Lake 預(yù)計第四季度問世,搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級為 DDR5。
機(jī)構(gòu):2024年底前HBM將占先進(jìn)制程比例為35%
據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce估算,市場對HBM需求呈現(xiàn)高速增長,加上HBM利潤高,故三星、SK海力士及美光國際三大原廠將增加資金投入與產(chǎn)能投片
瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第一子代時鐘驅(qū)動器芯片
瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第一子代時鐘驅(qū)動器芯片(簡稱CKD),該產(chǎn)品應(yīng)用于新一代客戶端內(nèi)存,旨在提高內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性,以匹配日益提升...
2024-04-10 標(biāo)簽:寄存器數(shù)據(jù)傳輸瀾起科技 839 0
Rambus 通過業(yè)界首款第四代 DDR5 RCD 提升數(shù)據(jù)中心服務(wù)器性能
作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)今日宣布推出最先進(jìn)的第四代?DDR...
trendforce表示,第三季度三家企業(yè)的營業(yè)利潤均有所增加,由于ai話題的擴(kuò)散,對高用量產(chǎn)品的需求保持穩(wěn)定,而且在批量生產(chǎn)1 alpha nm dd...
三星電子量產(chǎn)最高存儲密度的1Tb 第8代V-NAND
1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
瑞薩電子發(fā)布全新DDR5 MRDIMM內(nèi)存接口芯片組
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM)的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。
時光匆匆,轉(zhuǎn)瞬即逝,滿載辛勤耕耘與累累碩果的2024年,已悄然揮手告別。
SK海力士以創(chuàng)新性可持續(xù)發(fā)展債券榮獲IFR亞洲大獎
SK海力士憑借其創(chuàng)新性25億美元三檔組合債券,在2023年度IFR亞洲大獎(2023 IFR Asia Award)中獲得最佳ESG債券獎。
三星電子第一季度銷售額增12.82%,營業(yè)利潤同比飆升931.87%
三星電子在4月30日公布了今年第一季度財報,報告顯示,公司整體營業(yè)利潤同比增長了驚人的931.87%,達(dá)到6.606萬億韓元(約合347.48億元人民幣...
海力士A-DIE顆粒內(nèi)存條震撼發(fā)布:毀滅者星際戰(zhàn)艦DDR5內(nèi)存條登場
近日,海力士正式發(fā)布了全新一代A-DIE顆粒內(nèi)存條——?dú)缯咝请H戰(zhàn)艦DDR5 7200RGB電競內(nèi)存條。這款內(nèi)存條憑借其卓越的性能和先進(jìn)的技術(shù),成為數(shù)碼...
瀾起科技榮獲中國芯“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品”獎
瀾起科技本次獲獎的DDR5內(nèi)存接口芯片,是CPU存取內(nèi)存數(shù)據(jù)的必由通路,是內(nèi)存模組的核心器件。瀾起科技憑借全球領(lǐng)先的高速、低功耗技術(shù),不僅研發(fā)了新一代內(nèi)...
DRAM合約價一季度漲幅預(yù)計13~18%,移動設(shè)備DRAM引領(lǐng)市場
據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示,PC DRAM方面,DDR5訂單需求未得到充分滿足,買方預(yù)期DDR4價格將進(jìn)一步上漲,這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5...
新思科技物理驗(yàn)證解決方案已獲得臺積公司N3P和N2工藝技術(shù)認(rèn)證
由Synopsys.ai EDA套件賦能可投產(chǎn)的數(shù)字和模擬設(shè)計流程能夠針對臺積公司N3/N3P和N2工藝,助力實(shí)現(xiàn)芯片設(shè)計成功,并加速模擬設(shè)計遷移。
內(nèi)存市場報價不確定 存儲器原廠嚴(yán)控出貨!
據(jù)三星電子最新公布的財報,第三季度利潤超出預(yù)期一倍之多。該公司在9月當(dāng)季的凈利潤下降40%,至5.5萬億韓元(合41億美元),遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過分析師所預(yù)期的2....
預(yù)期HBM供應(yīng)將大幅增長,驅(qū)動DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展
擔(dān)任分析師職務(wù)的人員對于HBM的面貌做出解釋,指出與同等容量和制程的 DDR5比較,HBM雖然能提供更大的尺寸儲存空間,然而其良品率卻相對較低,普遍低2...
存儲器廠強(qiáng)攻DDR5產(chǎn)品 后市可期
對于ddr5市場的發(fā)展,威剛表示,現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來臨,主要來自pc,隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高,明年上半年ddr5將超過ddr4...
傳統(tǒng)服務(wù)器市況糟DDR5滲透率不如預(yù)期
調(diào)查機(jī)構(gòu)trendforce的最新報告警告說,傳統(tǒng)服務(wù)器市場狀況不佳,給同步存儲器產(chǎn)業(yè)帶來沖擊,因此,最新ddr5存儲器產(chǎn)品的滲透率擴(kuò)大速度將達(dá)不到預(yù)期。
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