據(jù)調(diào)研公司 TrendForce 數(shù)據(jù)顯示，展望至 2024年末，全球DRAM行業(yè)HBM TSV（硅通孔）的實(shí)際產(chǎn)量預(yù)計(jì)將提升至25萬(wàn)噸/每分鐘，約占全球DRAM總量的14%。值得注意的是，HBM供應(yīng)量在這幾年間逐年增長(zhǎng)，年增長(zhǎng)率高達(dá)260%。另?yè)?jù)估計(jì)，2023年輕，HBM的產(chǎn)值在整個(gè)DRAM行業(yè)內(nèi)所占比重約為8.4%，但到2024年末，這個(gè)比例將上升至20.1%。

擔(dān)任分析師職務(wù)的人員對(duì)于HBM的面貌做出解釋，指出與同等容量和制程的 DDR5比較，HBM雖然能提供更大的尺寸儲(chǔ)存空間，然而其良品率卻相對(duì)較低，普遍低20%-30%。在生產(chǎn)周期上，相比于 DDR5，HBM的制造過(guò)程（包括TSV）要更為復(fù)雜，通常需多耗時(shí)1.5~2個(gè)月。

由于HBM生產(chǎn)周期較長(zhǎng)，從投片到完成產(chǎn)出、封裝的過(guò)程綜合下來(lái)可能超過(guò)兩個(gè)季度，因此提前預(yù)訂的購(gòu)買者才能保證足夠的供貨需求。

據(jù)該公司所得信息，大部分針對(duì)2024年度的訂單都已交付給供應(yīng)商。

同時(shí)，該研究機(jī)構(gòu)也對(duì)主要的HBM制造商預(yù)設(shè)的HBM/TSV產(chǎn)能進(jìn)行預(yù)測(cè)，如三星年內(nèi)每分鐘HBM TSV產(chǎn)量或?qū)⒏哌_(dá)13萬(wàn)噸，緊接著是SK海力士，產(chǎn)能估算范圍為12-12.5萬(wàn)噸，美光稍顯不足，預(yù)期產(chǎn)能僅有2萬(wàn)噸。當(dāng)前，三星、sk海力士?jī)纱髲S計(jì)劃增加HMB產(chǎn)能最為積極，特別是SK海力士在HBM3市場(chǎng)的份額已經(jīng)超過(guò)90%，而三星將連續(xù)多個(gè)季度持續(xù)增加產(chǎn)能，該舉措將得益于 AMD MI300芯片的逐步推廣和銷售量的穩(wěn)定增長(zhǎng)。