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標簽 > ddr5
DDR5是一種計算機內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標準性能更強,功耗更低。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。
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內(nèi)容來源:是德科技 ? ? 一、前 言 DDR SDRAM,是一一種雙數(shù)據(jù)速率(DDR)同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)。作為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)里最重要的...
AI驅(qū)動半導(dǎo)體市場多元化,DRAM需求呈現(xiàn)上升趨勢
據(jù)業(yè)界觀察,由于無法存在一款能滿足所有人工智能應(yīng)用的通用芯片,因此對包括DRAM在內(nèi)的各類產(chǎn)品的需求必將劇增。三星電子和Naver聯(lián)合研發(fā)的人工智能芯片...
DRAM市場面臨雙重壓力:庫存調(diào)整與需求疲軟影響價格走勢
今年市場對DRAM的整體需求并不樂觀。尤其去年第四季度供應(yīng)商的大幅漲價,已經(jīng)讓市場開始擔憂庫存回補的動能會減弱。
第二季度DRAM合約價格的環(huán)比漲幅將受到嚴格限制,預(yù)計漲幅在3%至8%之間。
DRAM供應(yīng)鏈在改善虧損的同時,需應(yīng)對需求挑戰(zhàn)
關(guān)于各個細分領(lǐng)域,有觀點指出,PC DRAM買家將在第二季度加大DDR5的采購量,由于存儲芯片生產(chǎn)商正大規(guī)模轉(zhuǎn)向更高級別的制造工藝,其收益得到顯著改善。...
兆芯開先KX-7000系列處理器榮獲第七屆集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新獎
3月23日,第七屆“集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新獎(簡稱IC創(chuàng)新獎)”在2024中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟大會暨協(xié)同創(chuàng)新交流會期間正式揭曉。
AI需求引爆存儲市場,2024存儲市場趨勢如何?CFMS給出預(yù)測
3月20日,2024年中國閃存市場峰會CFMS在深圳前海華僑城JW萬豪酒店盛大召開,三星、SK海力士、美光、鎧俠、長江存儲等內(nèi)存大廠高管紛紛發(fā)表重磅演講...
集邦咨詢:明年HBM TSV產(chǎn)能預(yù)計250K/m,占DRAM總產(chǎn)能14%
集邦咨詢的報告進一步強調(diào),HBM和DDR5之間的區(qū)別主要在于Die Size上。在同等制程及容量(如24GB)下,HBM Die尺寸大于DDR5的基礎(chǔ)版...
業(yè)內(nèi)專家表示,雖然三星電子全國工會擁有兩萬名會員,約占該公司總員工數(shù)的16%,且成為全球最大的工會之一,但其對整個公司的直接影響力有限,預(yù)期連票贊成罷工...
最強AI芯片發(fā)布,Cerebras推出性能翻倍的WSE-3 AI芯片
近日,芯片行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)Cerebras Systems宣布推出其革命性的產(chǎn)品——Wafer Scale Engine 3,該產(chǎn)品成功將現(xiàn)有最快AI芯片...
預(yù)期HBM供應(yīng)將大幅增長,驅(qū)動DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展
擔任分析師職務(wù)的人員對于HBM的面貌做出解釋,指出與同等容量和制程的 DDR5比較,HBM雖然能提供更大的尺寸儲存空間,然而其良品率卻相對較低,普遍低2...
兆芯自主研發(fā)的開先KX-7000系列處理器榮獲第22屆自動化創(chuàng)新獎
3月14日,2024中國自動化+數(shù)字化產(chǎn)業(yè)年會(2024 CAIMRS大會)在杭州順利召開。大會期間,2023-2024第二十二屆自動化及數(shù)字化年度評選...
Cerebras推出WSE-3 AI芯片,比NVIDIA H100大56倍
Cerebras 是一家位于美國加利福尼亞州的初創(chuàng)公司,2019 年進入硬件市場,其首款超大人工智能芯片名為 Wafer Scale Engine (W...
該內(nèi)存速度高達5600MT/s,并可同時兼容5200和4800 MT/s。據(jù)詳情頁介紹,其工作電壓僅為1.1V,相較于DDR4 3200內(nèi)存,性能提升幅...
Intel超低功耗新U失去超線程!但多核性能可提升幾乎1.5倍!
Intel將在今年晚些時候推出Arrow Lake、Lunar Lake兩套平臺,工藝、架構(gòu)基本相同,分別面向高性能和低功耗,一個意外變化就是不支持超線程。
DDR5內(nèi)存相對于DDR4有更高的內(nèi)部時鐘速度和數(shù)據(jù)傳輸速率,從而提供更高的帶寬。DDR5的傳輸速率可以達到6400MT/s以上,比DDR4的最高傳輸速...
2024-03-12 標簽:DDR3存儲器數(shù)據(jù)傳輸 1250 0
韓國上市PCB企業(yè)Haesung DS公布2023年的財報數(shù)據(jù):下跌49.9%
韓國上市PCB企業(yè)Haesung DS(KOSDAQ:195870)于近日公布了2023年的財報數(shù)據(jù)。公司在該年度實現(xiàn)了6722億韓元(約36.50億人...
威剛發(fā)布超頻DDR5游戲內(nèi)存,采用PCB熱涂層技術(shù)
據(jù)介紹,這是業(yè)界首次將PCB熱涂層技術(shù)應(yīng)用于超頻內(nèi)存中。該技術(shù)能夠?qū)?nèi)存的運行速率提升至每秒8000兆次以上,同時保持系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
映泰發(fā)布A620MH Aurora主板,支持DDR5內(nèi)存,配備32條PCIe通道
而作為一款給力的主板,映泰A620MH Aurora為M-ATX板型設(shè)計,具備雙DDR5內(nèi)存插槽;同時搭配了瑞昱RTL8111H千兆網(wǎng)卡以及ALC897...
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