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離散傅里葉變換（Discrete Fourier Transform，DFT）傅里葉分析方法是信號(hào)分析的最基本方法，傅里葉變換是傅里葉分析的核心，通過它把信號(hào)從時(shí)間域變換到頻率域，進(jìn)而研究信號(hào)的頻譜結(jié)構(gòu)和變化規(guī)律。

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dft技術(shù)

CORDIC算法簡(jiǎn)介

在信號(hào)處理領(lǐng)域，CORDIC（Coordinate Rotation Digital Computer，坐標(biāo)旋轉(zhuǎn)數(shù)字計(jì)算機(jī)）算法具有重大工程意義。

2023-03-28 標(biāo)簽：信號(hào)處理 DDS DFT 2770 0

什么是DFT友好的功能ECO呢？

DFT是確保芯片在制造過程中具有可測(cè)試性的一種技術(shù)。DFT友好的ECO是指在進(jìn)行ECO時(shí)，不會(huì)破壞芯片的DFT功能或降低DFT覆蓋率的設(shè)計(jì)方法。

2023-03-06 標(biāo)簽：寄存器 EDA工具 DFT 2792 0

對(duì)DFT數(shù)字設(shè)計(jì)流程的介紹

相信很多ICer們?cè)贚ight芯片的過程中無論前后端都聽過DFT設(shè)計(jì)測(cè)試，DFT全稱Design for Test(即可靠性設(shè)計(jì))，眾所周知，測(cè)試的目的...

2023-03-06 標(biāo)簽：示波器 HDL DFT 4497 0

用NanDigits GOF來做DFT DRC檢查的介紹和舉例

ERROR_CLOSE_LOOP：一個(gè)觸發(fā)器的SI由自己的Q來驅(qū)動(dòng)

2023-03-06 標(biāo)簽：觸發(fā)器 DFT DRC 1277 0

一種快速DFT DRC檢查的功能介紹

在芯片做功能ECO時(shí)，DFT部分的邏輯常常被破壞，這是由于正常工作模式下修改設(shè)計(jì)的原因。

2023-03-06 標(biāo)簽：DFT DRC ECO 2326 0

易于實(shí)現(xiàn)且全面的3D堆疊裸片器件測(cè)試方法

當(dāng)裸片尺寸無法繼續(xù)擴(kuò)大時(shí)，開發(fā)者開始考慮投入對(duì) 3D 堆疊裸片方法的研究?？紤]用于 3D 封裝的高端器件已經(jīng)將當(dāng)前的可測(cè)試性設(shè)計(jì) (DFT) 解決方案推...

2023-02-28 標(biāo)簽：IC測(cè)試 DFT 3D封裝 1930 0

用NanDigits GOF做DFT DRC檢查詳細(xì)的介紹和舉例

ERROR_RESET_GLITCH：觸發(fā)器的reset pin有多條激活的路徑，可能產(chǎn)生glitch

2023-02-22 標(biāo)簽：觸發(fā)器 DFT DRC 1117 0

NanDigits GOF提供一種快速DFT DRC檢查的功能

在芯片做功能ECO時(shí)，DFT部分的邏輯常常被破壞，這是由于正常工作模式下修改設(shè)計(jì)的原因。

2023-02-22 標(biāo)簽：DFT DRC ECO 1066 0

弱化Li+脫溶劑化能壘實(shí)現(xiàn)高能低溫鋰硫電池

鋰硫電池有望在低溫(LT，低于0℃)下實(shí)現(xiàn)高達(dá)300 Wh kg-1的能量密度。然而，現(xiàn)有鋰硫電池在低溫下的容量釋放仍然差強(qiáng)人意。

2023-02-03 標(biāo)簽：電解質(zhì)DFT 鋰硫電池 1823 0

淺析鈣鈦礦涂層穩(wěn)定超高鎳正極

超高鎳層狀氧化物已被提議作為有希望的正極來滿足電動(dòng)車輛續(xù)航里程的需求，然而它們?nèi)匀皇艿秸壑缘难h(huán)性和熱穩(wěn)定性的困擾。

2023-02-02 標(biāo)簽：鋰離子電池 SEM 電解質(zhì) 1991 0

利用飛秒瞬態(tài)吸收光譜驗(yàn)證S型異質(zhì)結(jié)中的電荷轉(zhuǎn)移機(jī)制

太陽能-化學(xué)能轉(zhuǎn)換成為實(shí)現(xiàn)碳中和最可行的解決方案。目前，由于光生電子與空穴的快速?gòu)?fù)合，單個(gè)光催化劑的活性并不理想。

2023-01-31 標(biāo)簽：DFT XPS 電荷轉(zhuǎn)移 8059 0

精細(xì)調(diào)控金屬電結(jié)晶形貌有望從根本上實(shí)現(xiàn)高度可逆的金屬陽極

精細(xì)調(diào)控金屬電結(jié)晶形貌(包括晶格結(jié)構(gòu)和晶面取向)有望從根本上實(shí)現(xiàn)高度可逆的金屬陽極，提高金屬電池循環(huán)穩(wěn)定性。

2023-01-31 標(biāo)簽：SEM PVA 電解液 2138 0

銥酸鹽開放骨架衍生的高活性長(zhǎng)壽命析氧電催化劑

酸性析氧反應(yīng)是幾種重要的電能-化學(xué)能轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)，這種能量密集型過程在工業(yè)上依賴于銥基電催化劑。

2023-01-31 標(biāo)簽：DFT LOMO AEM 1677 0

用于光電化學(xué)水分解的原始GaFeO3光電陽極

光電化學(xué) (PEC) 水分解作為無碳足跡的制氫途徑受到廣泛關(guān)注。在光電化學(xué)水分解過程中，半導(dǎo)體光電極吸收太陽能產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，這些光生載流子在半導(dǎo)體-...

2023-01-30 標(biāo)簽：電解質(zhì)DFT PEC 1924 0

DFT設(shè)計(jì)實(shí)戰(zhàn)案例解讀

test_mode接TE的缺點(diǎn)是capture mode下無法測(cè)試到functional clock-gating logic，就是functional...

2023-01-16 標(biāo)簽：芯片時(shí)鐘 DFT 9052 0

芯片fail是哪幾方面原因呢？

功能fail，某個(gè)功能點(diǎn)點(diǎn)沒有實(shí)現(xiàn)，這往往是設(shè)計(jì)上導(dǎo)致的，通常是在設(shè)計(jì)階段前仿真來對(duì)功能進(jìn)行驗(yàn)證來保證，所以通常設(shè)計(jì)一塊芯片，仿真驗(yàn)證會(huì)占用大約80%的時(shí)間

2023-01-16 標(biāo)簽：數(shù)模轉(zhuǎn)換器 DFT 模擬器 3201 0

界面皆可LiF？闡述局部如何影響鋰離子傳輸

鋰離子電池（LIBs）在電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用，電池中自發(fā)形成的鈍化層，即電極和電解質(zhì)之間的固體電解質(zhì)界面（SEI），對(duì)鋰離子電池的性能和耐用性至關(guān)重要。

2023-01-16 標(biāo)簽：鋰離子電池 DFT sei膜 1929 0

NiSe2-Vse電催化氧氣轉(zhuǎn)化為過氧化氫

所制備的NiSe2-Vse在堿性介質(zhì)中對(duì)H2O2的選擇性最高達(dá)96%，在0.25-0.55 V寬電位范圍內(nèi)的選擇性超過90%，在已報(bào)道的過渡金屬基電催化...

2023-01-14 標(biāo)簽：DFT ADT orr 1630 0

氧氣加速CH3NH3PbI3中碘空位形成

近年來，金屬鹵化物鈣鈦礦（metal halide perovskites, MHPs）由于其優(yōu)異的吸光能力、高載流子遷移率和較長(zhǎng)的擴(kuò)散長(zhǎng)度使其成為合...

2023-01-14 標(biāo)簽：led 太陽能電池 DFT 1602 0

金屬簇催化劑的CO2轉(zhuǎn)化反應(yīng)性和循環(huán)性

CuAg簇催化劑表現(xiàn)出優(yōu)異的反應(yīng)性和可回收性，以從CO2甲酰化與仲胺形成C-N鍵。

2023-01-09 標(biāo)簽：DFT 994 0

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云儲(chǔ)存

云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
LPDDR4

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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