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標簽 > DRAM
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數(shù)據(jù))
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數(shù)據(jù))
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。
3管動態(tài)RAM的工作原理3管動態(tài)RAM的基本存儲電路。在這個電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開的。
寫操作時,寫選擇線為“1”,所以Q1導通,要寫入的數(shù)據(jù)通過Q1送到Q2的柵極,并通過柵極電容在一定時間內保持信息。
讀操作時,先通過公用的預充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電,當讀選擇線為高電平有效時,Q3處于可導通的狀態(tài)。若原來存有“1”,則Q2導通,讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導通條件,但因為Q2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”。可見,對這樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反相再送往 數(shù)據(jù)總線。
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數(shù)據(jù))
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。
3管動態(tài)RAM的工作原理3管動態(tài)RAM的基本存儲電路。在這個電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開的。
寫操作時,寫選擇線為“1”,所以Q1導通,要寫入的數(shù)據(jù)通過Q1送到Q2的柵極,并通過柵極電容在一定時間內保持信息。
讀操作時,先通過公用的預充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電,當讀選擇線為高電平有效時,Q3處于可導通的狀態(tài)。若原來存有“1”,則Q2導通,讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導通條件,但因為Q2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”。可見,對這樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反相再送往 數(shù)據(jù)總線。
DRAM(Dynamic Random Access Memory)即動態(tài)隨機存儲器,是一種半導體存儲器,用于計算機系統(tǒng)中的隨機存取存儲。它由許多存儲單...
物聯(lián)網(wǎng)應用中HyperRAM的使用優(yōu)勢
根據(jù)Ericsson在2020年6月發(fā)布的移動設備市場報告指出,包括NB-IoT和Cat-M在內的大規(guī)模物聯(lián)網(wǎng) (Massive IoT) 將持續(xù)部署到...
2024-10-11 標簽:半導體DRAM物聯(lián)網(wǎng) 1081 0
靜態(tài)隨機存儲器(Static Random Access Memory,簡稱SRAM)和動態(tài)隨機存儲器(Dynamic Random Access Me...
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,是現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中不可或缺的內存組件。其基本單元的設計簡潔而...
類別:電子教材 2023-05-26 標簽:DRAM存儲系統(tǒng)
現(xiàn)場存儲器AL422數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2022-09-17 標簽:DRAM存儲器AL422
LPDDR5X速率刷新記錄,LPDDR5-Ultra-Pro DRAM來了
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,在國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上三星推出最新LPDDR5規(guī)范,將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到12700MT/s (12.7GT/s)。 ?...
2025-02-28 標簽:DRAM 1187 0
據(jù)韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內存的順利量產,公司決定對設計進行重大調整。
據(jù)市場研究機構Omdia于2月7日發(fā)布的最新數(shù)據(jù),DRAM市場價格正面臨持續(xù)的下滑趨勢,這一趨勢預計至少將持續(xù)到今年第三季度。導致這一狀況的主要原因是I...
Kioxia開源發(fā)布AiSAQ?技術,降低生成式AI的DRAM需求
全球領先的內存解決方案提供商Kioxia Corporation近日宣布了一項重大舉措:以開源軟件的形式發(fā)布其創(chuàng)新的全存儲ANNS乘積量化(AiSAQ)...
TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告顯示,DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢。
根據(jù)市場調查機構Gartner的最新數(shù)據(jù),全球半導體市場將迎來持續(xù)增長。預計2025年,全球半導體收入將達到7050億美元,同比增長12.6%。這一增長...
近日,根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告,DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。 在DRAM方面,消費者需求在...
DRAM與NAND閃存市場低迷,DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)下滑
近日,據(jù)市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報告指出,DRAM內存與NAND閃存市場近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢。 特別是在DRAM市場方面,春...
據(jù)報道,三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對三星電子內存產品策略的新一輪關注。 ...
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