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      標(biāo)簽　>　dram

      dram

      dram

      +關(guān)注40人關(guān)注

      DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

      文章：2274個 瀏覽：185535次 帖子：82個

      dram技術(shù)

      易失性存儲器(VM)

      易失性存儲器(VM)

      在過去幾十年內(nèi)，易失性存儲器沒有特別大的變化，主要分為DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。它在任何時候都可以讀寫，RAM通常...

      2022-11-29 標(biāo)簽：DRAM存儲器sram 4508 0

      是什么導(dǎo)致存儲器需求下降？

      三星電子因為晶圓代工廠規(guī)模小，所以租下了龐大的DRAM廠的一部分來練習(xí)EUV曝光30萬到40萬張，但似乎還不夠，7nm和5nm的良率也很低。更糟糕的是，...

      2022-11-25 標(biāo)簽：DRAM存儲器 597 0

      淺析SRAM的性能及其結(jié)構(gòu)

      淺析SRAM的性能及其結(jié)構(gòu)

      SRAM它也由晶體管組成。接通代表1，斷開表示0，并且狀態(tài)會保持到接收了一個改變信號為止。這些晶體管不需要刷新，但停機或斷電時，它們同DRAM一樣，會丟掉信息。

      2022-11-18 標(biāo)簽：DRAM存儲器sram 4219 0

      半導(dǎo)體存儲器SRAM是靠什么去存儲信息的呢

      靜態(tài)ram是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來記憶信息的;動態(tài)RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的

      2022-11-17 標(biāo)簽：CMOSDRAM晶體管 6246 0

      如何辨別SRAM是否屬于動態(tài)隨機存儲器呢

      SRAM是一種具有靜止存取功能內(nèi)存的靜態(tài)隨機存儲器，不需要進(jìn)行刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

      2022-11-17 標(biāo)簽：DRAM存儲器微處理器 883 0

      談?wù)劗?dāng)靜態(tài)SRAM芯片存儲字節(jié)的過程是怎樣的

      談?wù)劗?dāng)靜態(tài)SRAM芯片存儲字節(jié)的過程是怎樣的

      對于X86處理器，它通過地址總線發(fā)出一個具有22位二進(jìn)制數(shù)字的地址編碼－－其中11位是行地址，11位是列地址，這是通過RAM地址接口進(jìn)行分離的。

      2022-11-17 標(biāo)簽：處理器解碼器DRAM 1003 0

      SONY的堆疊式CMOS傳感器元件介紹

      目前有多種基于 3D 堆疊方法, 主要包括: 芯片與芯片的堆疊( D2D) 、芯片與圓片的堆疊( D2W ) 以及圓片與圓片的堆疊( W2W) 。

      2022-11-01 標(biāo)簽：DRAM片上系統(tǒng)ISP 2203 0

      研華推出全新的超寬溫SQRAM DDR4 3200耐用型內(nèi)存解決方案

      研華SQRAM支持研華自主研發(fā)的SQ Manager軟件，可以實時監(jiān)控DRAM，提供有用的信息，包括動態(tài)內(nèi)存速度、溫度和高級過熱警報，以告知用戶內(nèi)存系統(tǒng)...

      2022-10-25 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存研華 862 0

      SRAM和DRAM的區(qū)別在哪

      RAM(Random Access Memory)中文是隨機存取存儲器。為什么要強調(diào)隨機存儲呢？因為在此之前，一些的存儲器都是順序存儲（Direct-A...

      2022-10-24 標(biāo)簽：DRAM存儲器sram 3187 0

      基于CXL技術(shù)的大內(nèi)存池化方案解析

      如果 FaceBoo k平臺創(chuàng)建的TPP協(xié)議是正確的，那么它將有一個不同的內(nèi)存分頁系統(tǒng)，可以更好地解決由于在服務(wù)器主板之外有大量池化內(nèi)存而帶來的稍高的延遲。

      2022-10-20 標(biāo)簽：DRAMcpu人工智能 2539 0

      隨機存儲器RAM的工作過程及類型

      隨機存儲器RAM的工作過程及類型

      　　隨機存儲器RAM是指存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入。

      2022-10-18 標(biāo)簽：DRAM存儲器sram 5323 0

      存儲器的常見種類

      存儲器的常見種類

      存儲器是計算機結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲器計算機才具有記憶功能。基本的存儲器種類見圖基本存儲器種類。

      2022-10-18 標(biāo)簽：DRAMSDRAMFlaSh 8892 0

      DRAM和NAND閃存和其它存儲器技術(shù)的區(qū)別

      相變存儲器或 PCM 使用材料的一些主要物理轉(zhuǎn)變——例如結(jié)晶態(tài)和非晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)變——以及相關(guān)的電氣特性變化——來存儲數(shù)據(jù)。

      2022-10-18 標(biāo)簽：相變存儲器DRAMNand flash 3847 0

      非易失性存儲器是如何發(fā)展起來的？

      DRAM屬于易失性存儲器，也就是大家常說的內(nèi)存。今天，我們再來看看半導(dǎo)體存儲的另一個重要領(lǐng)域，也就是非易失性存儲器（也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD...

      2022-10-13 標(biāo)簽：DRAMSSD易失性存儲器 2389 0

      內(nèi)存芯片的發(fā)展史 DRAM技術(shù)的現(xiàn)狀

      當(dāng)時，半導(dǎo)體存儲技術(shù)被分為ROM和RAM兩個方向。ROM是只讀存儲器，存儲數(shù)據(jù)不會因為斷電而丟失，也稱外存。而RAM是隨機存取存儲器，用于存儲運算數(shù)據(jù)，...

      2022-10-09 標(biāo)簽：集成電路DRAM德州儀器 5276 0

      關(guān)于DDR4信號質(zhì)量測試 DDR4-DRAM的工作原理分析

      DRAM： 我們再說說DRAM。DRAM全稱Dynamic Random Access Memory，翻譯過來為動態(tài)隨機讀取存儲器。

      2022-10-06 標(biāo)簽：DRAMDDR3DDR 8062 0

      各種MRAM的技術(shù)路徑，MRAM的挑戰(zhàn)和前景

      本文旨在討論各種MRAM的技術(shù)路徑，其中包括磁場驅(qū)動型、自旋轉(zhuǎn)移扭矩（spin-transfer torque：STT）、自旋軌道扭矩（spin-orb...

      2022-09-29 標(biāo)簽：DRAM存儲器MRAM 4775 0

      全新沉積技術(shù)SPARC實現(xiàn)先進(jìn)邏輯和DRAM集成設(shè)計

      使用 SPARC 或單個前驅(qū)體活化自由基腔室技術(shù)制造的碳化硅氧化物 (SiCO) 薄膜具備密度大、堅固耐用、介電常數(shù)低 ~ 3.5-4.9、泄漏率低、厚...

      2022-09-29 標(biāo)簽：DRAMSPARC碳化硅 1262 0

      半導(dǎo)體存儲的基礎(chǔ)知識

      上周，我給大家仔細(xì)介紹了HDD硬盤、軟盤和光盤的發(fā)展史(鏈接)。

      2022-09-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM存儲器 1589 0

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        華天科技
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