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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù))
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DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲器分析
存儲器芯片領(lǐng)域,主要分為兩類:易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲器內(nèi)的信息就流失了,例如 DRAM,主要用來做PC機內(nèi)存(如DDR)和手機內(nèi)存(如...
DRAM (動態(tài)隨機訪問存儲器)對設(shè)計人員特別具有吸引力,因為它提供了廣泛的性能,用于各種計算機和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設(shè)計中。本文概括闡述了DRAM ...
3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM為什么拼不過它
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來,最具突破性的一項存儲技術(shù)。由于具備以下四點優(yōu)勢,3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者:...
PSRAM的時序比較簡單,主要根據(jù)各個時序圖理解每個時序階段,及其參數(shù)。重點要理解DQS/DM是誰驅(qū)動的,代表什么意思, 數(shù)據(jù)采樣的時間即DQS上升沿延...
大體上1Xnm工藝相當(dāng)于16-19nm級別、1Ynm相當(dāng)于14-16nm,1Znm工藝相當(dāng)于12-14nm級別。
HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM,它可以為高性能計算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲解決方案。本文將介...
2023-11-09 標(biāo)簽:DRAM數(shù)據(jù)傳輸HBM 1.7萬 0
什么是 DDR5?SDRAM 技術(shù)發(fā)展歷程
英特爾和 AMD 的核戰(zhàn)爭越演愈烈,現(xiàn)在的臺式機開始 6 核起跳,可以預(yù)見,馬上內(nèi)存的性能又將成為新的瓶頸。
最近幾年,電子產(chǎn)品的價格走勢不斷降低,大家也覺得日后的電子產(chǎn)品會越來越便宜,但事實是從去年開始,手機、電腦、家電等產(chǎn)品價格一直在持續(xù)漲價,而這其中的主要...
DRAM/NAND都是啥?科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別
現(xiàn)如今隨著手機的不斷推廣和普及,已掩蓋電腦時代的輝煌,很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。
存儲芯片是指集成電路中用來存儲數(shù)據(jù)的芯片,它可以存儲數(shù)字信號,包括二進(jìn)制碼、字符、圖像、聲音等信息。存儲芯片廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中,如計算機、手機、數(shù)碼相...
NVDIMM的幾種實現(xiàn)方式, NVDIMM-P的性能所做的硬件上的優(yōu)化和支持
這是一個目前還沒有發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn) (Under Development)。預(yù)計將與DDR5 標(biāo)準(zhǔn)一同發(fā)布。按照計劃,DDR5將比DDR4提供雙倍的帶寬,并提...
為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。
關(guān)于自主駕駛及其存儲需求的討論有很多,但很少有人談及汽車中其他需要使用存儲的系統(tǒng)。汽車中有四個主要系統(tǒng)會使用存儲,且每個系統(tǒng)的存儲需求各不相同。
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