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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù))
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在存儲信息時,對于動態(tài)存儲器,行地址首先將RAS鎖存于芯片中,然后列地址將CAS鎖存于芯片中,當(dāng)WE有效時,寫入數(shù)據(jù)則被存儲于指定的單元中。
2024-03-29 標(biāo)簽:集成電路DRAM半導(dǎo)體存儲器 4672 0
探針卡(Probe card)或許很多人沒有聽過,但看過關(guān)于,也就是晶圓測試方面文章的人應(yīng)該不會陌生,其中就有提到過探針卡。
閃存芯片陣列+計算加速器,在個人電腦達到服務(wù)器級性能
最近,麻省理工學(xué)院計算機科學(xué)與人工智能實驗室(CSAIL)的研究人員設(shè)計出一種設(shè)備,使用廉價的閃存(智能手機中使用的那種),僅使用一臺個人電腦就能處理大...
可通過去除電容外部雜質(zhì)硼和氫,減少電容器形成后的熱量預(yù)算,消除泄漏電流的退化,而不改變電容器的結(jié)構(gòu)或材料。
隨著chatGPT橫空出世,生成式AI紅遍全球,帶動AI芯片的需求強勁,英偉達(NVIDIA)的H100、A100全部由臺積電代工,并使用臺積電的CoW...
數(shù)據(jù)存儲技術(shù)未來發(fā)展趨勢與前景展望
數(shù)據(jù)存儲對于數(shù)據(jù)挖掘與分析、數(shù)據(jù)整合與共享、智能決策支持、業(yè)務(wù)模式創(chuàng)新以及優(yōu)化資源配置等方面具有重要作用。按照存儲介質(zhì)不同,數(shù)據(jù)存儲技術(shù)主要可分為磁性存...
2024-02-27 標(biāo)簽:DRAM數(shù)據(jù)存儲EEPROM 4430 0
DDR4的技術(shù)變革與應(yīng)用限制_市場趨勢解析
動態(tài)隨機存取內(nèi)存(Dynamic Random-Access Memory,DRAM)是常見的內(nèi)存元件。在處理器相關(guān)運作中,DRAM 經(jīng)常被用來當(dāng)作資料...
半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展歷程與當(dāng)前挑戰(zhàn)
計算機內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。二者相比,DRAM的存儲密度更高,而SRAM則具有最快的片上緩存。這兩類半導(dǎo)體存儲器都已經(jīng)歷了數(shù)十年的發(fā)展。
2021-10-13 標(biāo)簽:DRAMsram半導(dǎo)體存儲器 4275 0
你還在為存儲煩惱?英特爾數(shù)據(jù)存儲的解決方案詳細資料概述
人工智能(AI)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、機器學(xué)習(xí)(ML)…….這些技術(shù),相信混科技圈的你必然不會陌生;數(shù)據(jù)洪流、存儲策略、解決方案……最近是不是頻繁被業(yè)界提及?
2018-10-03 標(biāo)簽:DRAM數(shù)據(jù)存儲HDD 4230 0
DDR5內(nèi)存接口芯片組如何利用DDR5 for DIMM的優(yōu)勢?
2021 年,JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn),標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory mod...
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRA...
問題1:什么是DRAM、SRAM、SDRAM? 答:名詞解釋如下 DRAM--------動態(tài)隨即存取器,需要不斷的刷新,才能保存數(shù)據(jù),而且是行列地址復(fù)...
長鑫存儲正在加速從DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變
在今日舉辦的中國閃存技術(shù)峰會(CFMS)上,長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實驗室負責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢與行業(yè)應(yīng)用》的演講,披露了DRA...
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