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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關機就會丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術

存內計算芯片的基石-存儲介質匯總

作為新的計算架構，存內計算（Computing In Memory，CIM）被認為是具有潛力的革命性技術。重點是將存儲與計算融合，有效克服馮·諾依曼架構...

2024-05-16 標簽：芯片 DRAM 存儲器 2874 0

一文讀懂SSD硬盤

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2018-04-19 標簽：dram 三星電子 ssd 2874 0

關于SRAM存儲容量及基本特點

通常我們將存儲容量表示為：字數(shù)X位數(shù)，比如64KX8位，其含義為，以8位構成一個字，一共有64個字。這個概念要相當熟悉，后面理解題目很有用。

2024-01-09 標簽：放大器 DRAM 存儲器 2828 0

存儲器的分類及其區(qū)別

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2025-02-08 標簽：DRAM SDRAM 存儲器 2826 0

IEDM 2022上的新型存儲器簡介

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2023-02-14 標簽：DRAM 存儲器 CMOS工藝 2802 0

汽車存儲器的種類和功能是什么

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2023-09-05 標簽：mcu DRAM 存儲器 2801 0

DRAM中的靈敏恢復/讀出放大器

2009-12-04 標簽：DRAM 2668 0

串行接口的速率會比并行快的四種因素

高速串口不需要時鐘信號來同步數(shù)據(jù)流，也就沒有時鐘周期性的邊沿，頻譜不會集中，所以噪聲干擾少很多。

2023-01-11 標簽：DRAM 并行接口串行接口 2666 0

DRAM產(chǎn)品低功耗設計與演化

前期我們從工作電壓，頻率，容量等產(chǎn)品規(guī)格，prefetch/burst length內部訪問方式的角度介紹了DDR3/DDR4/LPDDR4(X)的一些...

2023-06-01 標簽：DRAM DDR3 接口 2655 0

知存科技助力AI應用落地：WTMDK2101-ZT1評估板實地評測與性能揭秘

隨著當今數(shù)據(jù)迅速增長，傳統(tǒng)的馮諾依曼架構內存墻正在成為計算性能進一步提升的阻礙。新一代的存內計算（IMC）和近存計算（NMC）架構有望突破這一瓶頸，顯著...

2024-05-16 標簽：DRAM AI 憶阻器 2651 0

DDR SDRAM 和SDRAM的主要差異

DDR內存通過在時鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，從而實現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)率。這意味著在每個時鐘周期內，DDR內存能夠傳輸兩次數(shù)據(jù)，提高了數(shù)據(jù)傳輸效率。

2024-04-27 標簽：DRAM SDRAM 存儲器 2646 0

通過CPLD進行接口連接和編程控制的大容量、高速度FIFO設計

許多系統(tǒng)都需要大容量FIFO作為緩存，但是由于成本和容量限制，常采用多個FIFO芯片級聯(lián)擴展，這往往導致系統(tǒng)結構復雜，成本高。本文分別針對Hynix公司...

2018-07-26 標簽：cpld dram sram 2636 0

關于存儲技術涉及的專業(yè)名詞介紹及各存儲器的區(qū)別

RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM SRAM DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random access memory(隨機存取...

2018-07-10 標簽：閃存 dram 存儲器 2597 0

什么是存儲器的刷新

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2024-09-10 標簽：DRAM 存儲器 cpu 2568 0

基于CXL技術的大內存池化方案解析

如果 FaceBoo k平臺創(chuàng)建的TPP協(xié)議是正確的，那么它將有一個不同的內存分頁系統(tǒng)，可以更好地解決由于在服務器主板之外有大量池化內存而帶來的稍高的延遲。

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SSD常用術語的簡單介紹

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半導體工藝之金屬布線工藝介紹

本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨立的工藝不同。在半導體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實是為了金屬布線才進行的。在金屬布線過程中，會...

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