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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
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馮氏結(jié)構(gòu)中使用內(nèi)存有兩種作用。一是保存狀態(tài),二是在執(zhí)行單元間通信。由于內(nèi)存是共享的,就需要做訪問仲裁;為了利用訪問局部性,每個執(zhí)行單元有一個私有的緩存,...
DRAM屬于易失性存儲器,也就是大家常說的內(nèi)存。今天,我們再來看看半導(dǎo)體存儲的另一個重要領(lǐng)域,也就是非易失性存儲器(也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD...
DRAM(Dynamic Random Access Memory)即動態(tài)隨機(jī)存儲器,是一種半導(dǎo)體存儲器,用于計算機(jī)系統(tǒng)中的隨機(jī)存取存儲。它由許多存儲單...
AEC-Q系列認(rèn)證是公認(rèn)的車規(guī)元器件的通用測試標(biāo)準(zhǔn)。IC設(shè)計企業(yè)想要進(jìn)入汽車電子領(lǐng)域,進(jìn)入汽車電子零部件供應(yīng)鏈,AEC-Q系列是必須獲得的認(rèn)證之一。
新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā),必須通過精心設(shè)計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑...
深入解析泛林集團(tuán)Striker ICEFill電介質(zhì)填充技術(shù)
沉積技術(shù)是推進(jìn)存儲器件進(jìn)步的關(guān)鍵要素。但隨著3D NAND堆棧的出現(xiàn),現(xiàn)有填充方法的局限性已開始凸顯。
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類,前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù),后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynam...
存儲器是集成電路最重要的技術(shù)之一,是集成電路核心競爭力的重要體現(xiàn)。然而,我國作為IC產(chǎn)業(yè)最大的消費國,相較于國外三星、英特爾等大型半導(dǎo)體公司的存儲器技術(shù)...
目前有多種基于 3D 堆疊方法, 主要包括: 芯片與芯片的堆疊( D2D) 、芯片與圓片的堆疊( D2W ) 以及圓片與圓片的堆疊( W2W) 。
2022-11-01 標(biāo)簽:DRAM片上系統(tǒng)ISP 2204 0
服務(wù)器RAM模塊-可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要
服務(wù)器 RAM,或者更準(zhǔn)確地說,服務(wù)器 RAM 模塊,是由許多組件組成的產(chǎn)品。與任何DRAM模塊一樣,其基本組件是PCB在生產(chǎn)過程中焊接集成電路和無源元...
為什么有的芯片是引腳封裝,而手機(jī)芯片則是用的底部BGA球珊封裝?
所謂的芯片,其實只有中間很小的一部分,仔細(xì)看它的結(jié)構(gòu),芯片是正面朝上,內(nèi)部的電路會連接到四周的凸塊。
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,是現(xiàn)代計算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的內(nèi)存組件。其基本單元的設(shè)計簡潔而...
關(guān)于半導(dǎo)體價值鏈分析(設(shè)計、制造和后制造)
半導(dǎo)體價值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。
2024-02-19 標(biāo)簽:DRAMNAND半導(dǎo)體制造 2083 0
SF-EP1C學(xué)習(xí)板:基于SDRAM讀寫的串口調(diào)試實驗
通常DRAM是有一個異步接口的,這樣它可以隨時響應(yīng)控制輸入的變化。而SDRAM有一個同步接口,在響應(yīng)控制輸入前會等待一個時鐘信號,這樣就能和計算機(jī)的系統(tǒng)...
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