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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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FPGA循環(huán)并行化應(yīng)用于先前任務(wù)并行化的推理內(nèi)核
此外,當(dāng)前內(nèi)核的外部?jī)?nèi)存訪問效率低下,因此內(nèi)存訪問也是瓶頸。在這種狀態(tài)下,即使進(jìn)行循環(huán)并行化,內(nèi)存訪問最終也會(huì)成為瓶頸。
物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中HyperRAM的使用優(yōu)勢(shì)
根據(jù)Ericsson在2020年6月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)報(bào)告指出,包括NB-IoT和Cat-M在內(nèi)的大規(guī)模物聯(lián)網(wǎng) (Massive IoT) 將持續(xù)部署到...
2024-10-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM物聯(lián)網(wǎng) 1388 0
芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下,DRAM——尤其是高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄,也...
2023-11-22 標(biāo)簽:DRAMSRAM數(shù)據(jù)中心 1376 0
存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體的重要市場(chǎng)之一,其約占據(jù)了半導(dǎo)體近1/3的市場(chǎng)份額。其中,從存儲(chǔ)芯片細(xì)分產(chǎn)品來看,DRAM和NAND Flash占據(jù)了存儲(chǔ)芯片95%以上的...
不同的存儲(chǔ)器技術(shù)介紹 如何選擇正確的存儲(chǔ)器技術(shù)
存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的主要功能是在云計(jì)算和人工智能 (AI)、汽車和移動(dòng)等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(jī)(CPU 或 GPU)提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) ...
許多高性能儀器使用動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)作為本地存儲(chǔ)器,DRAM是一種高密度、高帶寬的存儲(chǔ)器。選擇具有DRAM的NI FlexRIO FPGA模...
NRAM是一個(gè)近些年出現(xiàn)的新東西,它具備眾多優(yōu)點(diǎn):可以DRAM的速度提供非易失性,具有超越DRAM芯片的可擴(kuò)展性和對(duì)閃存的超強(qiáng)耐久性的潛力。
我們不斷向先進(jìn)的CMOS的微縮和新存儲(chǔ)技術(shù)的轉(zhuǎn)型,導(dǎo)致半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的日益復(fù)雜化。例如,在3D NAND內(nèi)存中,容量的擴(kuò)展通過垂直堆棧層數(shù)的增加來實(shí)現(xiàn),...
在數(shù)字時(shí)代,DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)扮演著至關(guān)重要的角色。它們存儲(chǔ)著我們的數(shù)據(jù),也承載著我們的記憶。然而,要正確地操作DRAM并確保其高效運(yùn)行,了...
如何選擇DRAM?深入了解內(nèi)存的使用方式及連接方式
DRAM 仍然是任何這些架構(gòu)中的重要組成部分,盡管多年來一直在努力用更快、更便宜或更通用的內(nèi)存取代它,甚至將其嵌入到 SoC 中。
全新沉積技術(shù)SPARC實(shí)現(xiàn)先進(jìn)邏輯和DRAM集成設(shè)計(jì)
使用 SPARC 或單個(gè)前驅(qū)體活化自由基腔室技術(shù)制造的碳化硅氧化物 (SiCO) 薄膜具備密度大、堅(jiān)固耐用、介電常數(shù)低 ~ 3.5-4.9、泄漏率低、厚...
JEDEC發(fā)布:GDDR7 DRAM新規(guī)范,專供顯卡與GPU使用
三星電子和SK海力士計(jì)劃在今年上半年量產(chǎn)下一代顯卡用內(nèi)存GDDR7 DRAM,這是用于圖形處理單元(GPU)的最新一代高性能內(nèi)存。
以更低的系統(tǒng)成本實(shí)現(xiàn)更高的移動(dòng)存儲(chǔ)性能
以更低的成本獲得更高的存儲(chǔ)性能可能會(huì)在存儲(chǔ)設(shè)備的設(shè)計(jì)中造成瓶頸。為了實(shí)現(xiàn)更高的性能,設(shè)備必須使用片上DRAM,這增加了總體成本。這就是統(tǒng)一內(nèi)存擴(kuò)展(UM...
CXL 增加了芯片內(nèi)部的技術(shù)復(fù)雜性,這需要集成電路(IC)和復(fù)雜的片上系統(tǒng)(SoC)專業(yè)知識(shí)來設(shè)計(jì)、開發(fā)和執(zhí)行復(fù)雜的 SoC。在 CXL 存儲(chǔ)器解決方案...
先進(jìn)制程工藝進(jìn)度緩慢的情況下,多芯片整合封裝成了半導(dǎo)體行業(yè)的大趨勢(shì),各家不斷玩出新花樣。
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