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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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為了兼具可擴(kuò)展性和數(shù)據(jù)處理速度,對(duì)于各種應(yīng)用,如圖像數(shù)據(jù)偵錯(cuò)、視頻數(shù)據(jù)壓縮、音頻數(shù)據(jù)增益、馬達(dá)控制等,可編程數(shù)據(jù)處理模塊(Programmable Da...
2020-07-02 標(biāo)簽:輸入輸出DRAM數(shù)據(jù)處理 982 0
結(jié)合卷積層來(lái)創(chuàng)建一個(gè)完整的推理函數(shù)
首先輸入一張1x28x28的圖片,然后兩次通過(guò)Conv2d -> ReLU -> MaxPool2d提取特征,最后轉(zhuǎn)為linear,>...
基于Chiplet方式的集成3D DRAM存儲(chǔ)方案
新能源汽車(chē)、5G、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的不斷發(fā)展,對(duì)芯片性能的需求越來(lái)越高,采用先進(jìn)封裝技術(shù)的 Chiplet 成為了芯片微縮化進(jìn)程的“續(xù)命良藥”。
2023-06-14 標(biāo)簽:DRAMDDR3可穿戴設(shè)備 925 0
如何辨別SRAM是否屬于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器呢
SRAM是一種具有靜止存取功能內(nèi)存的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,不需要進(jìn)行刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
研華推出全新的超寬溫SQRAM DDR4 3200耐用型內(nèi)存解決方案
研華SQRAM支持研華自主研發(fā)的SQ Manager軟件,可以實(shí)時(shí)監(jiān)控DRAM,提供有用的信息,包括動(dòng)態(tài)內(nèi)存速度、溫度和高級(jí)過(guò)熱警報(bào),以告知用戶內(nèi)存系統(tǒng)...
本文要點(diǎn)提示:? ? ? ? ?? 1. DRAM 的工作原理圖文解說(shuō),包括讀寫(xiě)以及存儲(chǔ);? ? ? ? ? 2. 揭秘DRAM便宜但SRAM貴之謎。?...
使用虛擬制造評(píng)估先進(jìn)DRAM電容器圖形化的工藝窗口
持續(xù)的器件微縮導(dǎo)致特征尺寸變小,工藝步驟差異變大,工藝窗口也變得越來(lái)越窄[1]。半導(dǎo)體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓...
關(guān)于DRAM市場(chǎng)趨勢(shì)的“虛假謊言
在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中,“小型化的極限”一直被人們談?wù)?。正如上次提到的,尖端邏輯MOS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點(diǎn)值相匹配,可以說(shuō)晶體管的小型化已經(jīng)...
索尼近期傳出了申請(qǐng)新型控制器的專利,專利名為「Controller having lights disposed along a loop of the...
在數(shù)據(jù)中心和邊緣運(yùn)行的技術(shù),如 AI 和視覺(jué),具有與之相關(guān)的巨大內(nèi)存和計(jì)算要求
2023-07-07 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng) 816 0
SiCO薄膜在實(shí)踐中表現(xiàn)如何?低介電薄膜如何解決串?dāng)_、隔離問(wèn)題
串?dāng)_問(wèn)題自電子學(xué)早期就一直存在。幸運(yùn)的是,我們有一個(gè)眾所周知的解決方式:隔離。在嘈雜的房間中,隔離需要在每個(gè)人的周?chē)挤胖酶粢舭?;而在集成電路上,通常?..
下一代HBM技術(shù)路線選擇對(duì)行業(yè)有何影響?
HBM 存儲(chǔ)器堆棧通過(guò)微凸塊連接到 HBM 堆棧中的硅通孔(TSV 或連接孔),并與放置在基礎(chǔ)封裝層上的中間件相連,中間件上還安裝有處理器,提供 HBM...
淺談人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)計(jì)算的內(nèi)存挑戰(zhàn)
CXL – CXL 提供了大幅擴(kuò)展內(nèi)存容量和提高帶寬的機(jī)會(huì),同時(shí)還從處理器中抽象出內(nèi)存類型。通過(guò)這種方式,CXL 為整合新的內(nèi)存技術(shù)提供了一個(gè)很好的接口...
隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大,DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加,為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道,糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤,...
2023-11-30 標(biāo)簽:DRAM振蕩器數(shù)據(jù)信號(hào) 765 0
追求更小的 DRAM 單元尺寸(cell size)仍然很活躍并且正在進(jìn)行中。對(duì)于 D12 節(jié)點(diǎn),DRAM 單元尺寸預(yù)計(jì)接近 0.0013 um2。無(wú)...
存儲(chǔ)器接口,數(shù)據(jù)安全的關(guān)口
隨著數(shù)智時(shí)代的到來(lái),智能設(shè)備的普及度越來(lái)越高,用戶受到網(wǎng)絡(luò)攻擊的風(fēng)險(xiǎn)和頻率也在不斷增加。然而,漏洞不只是存在于軟件中,硬件中也一樣存在。
新興存儲(chǔ)將改變行業(yè),對(duì)不同新興存儲(chǔ)的看法
當(dāng)前的存儲(chǔ)器技術(shù),包括閃存(NAND 和 NOR)、DRAM 和 SRAM,在其持續(xù)改進(jìn)方面面臨潛在的技術(shù)限制。因此,人們努力開(kāi)發(fā)新的存儲(chǔ)技術(shù)。這些新技...
威脅模型 數(shù)據(jù)生命周期管理(Data Lifecycle Management)通常將數(shù)據(jù)劃分為生產(chǎn)、存儲(chǔ)、使用、分享、銷毀、歸檔幾個(gè)階段。而從信息安全...
2023-11-29 標(biāo)簽:DRAM數(shù)據(jù)Linux 730 0
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