完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
文章:2274個(gè) 瀏覽:185593次 帖子:82個(gè)
面向圖形、網(wǎng)絡(luò)和HPC的下一代內(nèi)存技術(shù)
在過去的十年中,GDDR5已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),并在所有面向圖形的技術(shù)中占據(jù)重要地位。GDDR5 專注于使用更多功率來實(shí)現(xiàn)更高的時(shí)鐘速度。GDDR5 芯片以單...
第四代低功耗動(dòng)態(tài) DRAM 與其延展版的車輛應(yīng)用解決方案
許多半導(dǎo)體已經(jīng)實(shí)際應(yīng)用于汽車內(nèi),如電動(dòng)車(含油電混合車)所使用的功率半導(dǎo)體、車身與被動(dòng)安全裝置使用的微控制器、數(shù)字信號處理器、半導(dǎo)體傳感器、不同種類的內(nèi)...
次世代記憶體換當(dāng)家?關(guān)于新當(dāng)家的那點(diǎn)事
據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)導(dǎo),IBM 和三星在電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱,兩家公司攜手研發(fā)的STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù),成...
基于DDR DRAM控制器實(shí)現(xiàn)MPMA存取輸入/輸出端口的設(shè)計(jì)
為了兼具可擴(kuò)展性和數(shù)據(jù)處理速度,對于各種應(yīng)用,如圖像數(shù)據(jù)偵錯(cuò)、視頻數(shù)據(jù)壓縮、音頻數(shù)據(jù)增益、馬達(dá)控制等,可編程數(shù)據(jù)處理模塊(Programmable Da...
3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí),3D DRAM開發(fā)路線圖
目前,各大內(nèi)存芯片廠商,以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行3D DRAM的研發(fā)工作,并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展,距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。
先進(jìn)封裝技術(shù)中最常見的10個(gè)術(shù)語介紹
將大型SoC分解為較小的小芯片,與單顆裸晶相比具有更高的良率和更低的成本。Chiplet使設(shè)計(jì)人員可以充分利用各種IP,而不用考慮采用何種工藝節(jié)點(diǎn),以及...
國產(chǎn)ARM + FPGA的SDIO通信開發(fā)介紹!
SDIO(Secure Digital lnput and Output),即安全數(shù)字輸入輸出接口。SDIO總線協(xié)議是由SD協(xié)議演化而來,它主要是對SD...
按照數(shù)據(jù)關(guān)系劃分:Inclusive/exclusive Cache: 下級Cache包含上級的數(shù)據(jù)叫inclusive Cache。不包含叫exclu...
淺析動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM集成工藝
在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。
離子注入技術(shù)在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應(yīng)用
在DRAM生產(chǎn)中,離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻,這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。
2023-06-19 標(biāo)簽:CMOSMOSFET驅(qū)動(dòng)器 1101 0
熱概念增強(qiáng)DRAM內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)
熱管理問題隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展,并成為嵌入式系統(tǒng)、可靠性和性能的關(guān)鍵。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)師之間的設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)也在不斷發(fā)展,并可能影響為耐用性...
存儲(chǔ)系統(tǒng)基礎(chǔ)知識全解:存儲(chǔ)協(xié)議及關(guān)鍵技術(shù)
SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成,控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等,存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-10-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器DRAMNAND 1084 0
SPARC:用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)
芯片已經(jīng)無處不在:從手機(jī)和汽車到人工智能的云服務(wù)器,所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強(qiáng)大。
隨著芯片制造商尋找維持驅(qū)動(dòng)電流的新方法,鐵電體(Ferroelectric)重新獲得關(guān)注。
在嵌入式系統(tǒng)中如何利用CPLD技術(shù)來更加方便的使用DRAM?
DRAM控制器由80C186XL狀態(tài)信號S2、S1和S0的解碼來檢測總線的開始、類型和結(jié)束。這些狀態(tài)線是在CLKOUT的上升沿開始有效,在CLKOUT的...
現(xiàn)有的計(jì)算機(jī)體系架構(gòu)中通常采用層級緩存來彌補(bǔ)外存和內(nèi)存之間的性能差距。但是,層緩存都有極限帶寬和有限的命中率,在層級緩存下數(shù)據(jù)需要頻繁的在各個(gè)層級緩存之...
談?wù)劗?dāng)靜態(tài)SRAM芯片存儲(chǔ)字節(jié)的過程是怎樣的
對于X86處理器,它通過地址總線發(fā)出一個(gè)具有22位二進(jìn)制數(shù)字的地址編碼--其中11位是行地址,11位是列地址,這是通過RAM地址接口進(jìn)行分離的。
本文作者曾經(jīng)為計(jì)算機(jī)主板制造公司撰寫關(guān)于自動(dòng)超頻(overclock)的BIOS,發(fā)現(xiàn)微處理器由于受限于主存儲(chǔ)器的性能而必須降低頻率頻率來維持計(jì)算機(jī)系統(tǒng)...
2018-02-02 標(biāo)簽:dram 984 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |