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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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半導(dǎo)體存儲(chǔ)的基礎(chǔ)知識(shí)
上周,我給大家仔細(xì)介紹了HDD硬盤、軟盤和光盤的發(fā)展史(鏈接)。
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備,如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。
? 一、HBM 是什么? 1、HBM 是 AI 時(shí)代的必需品作為行業(yè)主流存儲(chǔ)產(chǎn)品的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 DRAM 針對(duì)不同的應(yīng)用領(lǐng)域定義了不同的產(chǎn) 品,幾...
單片機(jī)解密為什么是撬開芯片國產(chǎn)化的第一步呢
芯片國產(chǎn)化是中國在信息安全自主可控政策領(lǐng)域的實(shí)踐領(lǐng)域之一,作為信息技術(shù)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè),半導(dǎo)體集成電路持續(xù)得到國家政策的扶持。
二維 (2D) 設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 (DRC) 已不足以用來規(guī)范設(shè)計(jì)以達(dá)成特定性能和良率目標(biāo)的要求。同時(shí)完全依賴實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) (DOE) 來進(jìn)行工藝表征和優(yōu)化也變...
元器件原理<DRAM> 由1個(gè)晶體管、1個(gè)電容器構(gòu)成 數(shù)據(jù)的寫入方法 <“1” 時(shí)> Word線電位為 high Bit線電位為 high Word線電...
ZNS SSD設(shè)計(jì)架構(gòu)及性能優(yōu)化
ZNS使基于閃存的固態(tài)硬盤具有更高的性能和更低的每字節(jié)成本。通過將管理擦除塊內(nèi)數(shù)據(jù)組織的責(zé)任從FTL轉(zhuǎn)移到主機(jī)軟件,ZNS消除了設(shè)備內(nèi)LBA到頁的映射、...
2023-06-29 標(biāo)簽:閃存DRAM存儲(chǔ)介質(zhì) 1535 0
由于內(nèi)存接口芯片的大規(guī)模商用要經(jīng)過下游廠商的多重認(rèn)證,還要攻克低功耗內(nèi)存接口芯片的核心技術(shù)難關(guān),從 DDR4 世代開始,全球內(nèi)存接口芯片廠商僅剩 Ram...
3D DRAM時(shí)代即將到來,泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)
SEMulator3D將在半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)和制造中發(fā)揮重要作用 作者:泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門 SEMulator3D?應(yīng)用...
2023-08-08 標(biāo)簽:DRAM泛林集團(tuán) 1473 0
數(shù)字化趨勢(shì)正在驅(qū)動(dòng)著整個(gè)設(shè)備的增長(zhǎng),未來會(huì)有更多安全鏈接到云端,在設(shè)備端更加智能的處理。與此同時(shí),數(shù)字化也會(huì)帶來更大的32位MCU的增長(zhǎng)。已經(jīng)連續(xù)好幾年...
DRAM從20世紀(jì)70年代初到90年代初生產(chǎn),接口都是異步的,其中輸入控制信號(hào)直接影響內(nèi)部功能。
2024-07-29 標(biāo)簽:DRAMSDRAM內(nèi)存控制器 1464 0
數(shù)據(jù)庫性能翻3倍:虹科Redis企業(yè)版軟件的RoF技術(shù)是如何做到的?
虹科云科技,企業(yè)級(jí)云科技方案的引領(lǐng)者 Redis on flash簡(jiǎn)介 Redis on Flash (RoF)是Redis的分層存儲(chǔ)技術(shù),即將數(shù)據(jù)存放...
2022-11-30 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)技術(shù)數(shù)據(jù)庫 1456 0
對(duì)于DRAM,其主要由行和列組成,每一個(gè)bit中都是由類似右下圖的類晶體管的結(jié)構(gòu)組成,對(duì)于sdram的數(shù)據(jù),可以通過控制column和row就可以訪問s...
VLT技術(shù)可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局
Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù),簡(jiǎn)稱VLT技術(shù)。據(jù)Kilopa...
PHY 是一種物理網(wǎng)絡(luò)傳輸設(shè)備,它將交換芯片、網(wǎng)絡(luò)接口或計(jì)算引擎上或內(nèi)部的任何數(shù)量的其他類型的接口鏈接到物理介質(zhì)(銅線、光纖、無線電信號(hào)),而物理介質(zhì)又...
通過多級(jí)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì),存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲(chǔ)容量和訪問速度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器提供了快速的訪問速度,而輔助存儲(chǔ)器則提供了大量的...
升級(jí)版PCIe 5.0 SSD深度評(píng)測(cè)解析
為了提升SSD的性能,HOF名人堂EX50S PCIe 5.0 M.2 SSD采用了獨(dú)立緩存設(shè)計(jì)。本次測(cè)試的2TB產(chǎn)品配備了多達(dá)4GB獨(dú)立緩存(編號(hào)為H...
物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中HyperRAM的使用優(yōu)勢(shì)
根據(jù)Ericsson在2020年6月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)報(bào)告指出,包括NB-IoT和Cat-M在內(nèi)的大規(guī)模物聯(lián)網(wǎng) (Massive IoT) 將持續(xù)部署到...
2024-10-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM物聯(lián)網(wǎng) 1405 0
探索閃存內(nèi)存如何應(yīng)對(duì)“內(nèi)存墻”的可行性
首先,內(nèi)存請(qǐng)求與閃存內(nèi)存之間存在顆粒度不匹配。這導(dǎo)致了在閃存上需要存在明顯的流量放大,除了已有的閃存間接性需求[23,33]之外:例如,將64B的緩存行...
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