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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
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DRAM錯(cuò)誤數(shù)據(jù)主要通過Linux檢錯(cuò)糾錯(cuò)驅(qū)動程序采集。同時(shí)獲取每個(gè)CE的微觀地址信息,即channel、rank、bank、row和column。
? 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件,廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本...
冗余電路保險(xiǎn)措施的導(dǎo)入—備用記憶體的機(jī)制
在半導(dǎo)體記憶體中,例如一個(gè)1G的DRAM,代表一個(gè)半導(dǎo)體晶片上擁有10億個(gè)能夠記憶1 bit的資訊單位。
“憑借先進(jìn)的封裝技術(shù),一些公司已經(jīng)在 CPU 上堆疊 SRAM,”Lee 說?!暗窃?3 級之后,我們可以有 4 級,一個(gè)額外的緩存層嗎?根據(jù)工作負(fù)載...
分析師熱議美光并購恒憶案 美光(Micron)以12.7億美元總價(jià)并購恒憶(Numonyx),為內(nèi)存產(chǎn)業(yè)版圖又創(chuàng)新局,究竟后續(xù)可能對市場影響為何,以下...
三星電子因?yàn)榫A代工廠規(guī)模小,所以租下了龐大的DRAM廠的一部分來練習(xí)EUV曝光30萬到40萬張,但似乎還不夠,7nm和5nm的良率也很低。更糟糕的是,...
CXL內(nèi)存基于微基準(zhǔn)的特性研究和最佳實(shí)踐
隨著線程數(shù)的增加,在每個(gè)方案上運(yùn)行DLRM推理都是線性的,并且斜率不同。DDR5-R1和CXL存儲器的總體趨勢相似,這與第4.3.2節(jié)中的觀察結(jié)果一致
2023-04-12 標(biāo)簽:DRAM深度學(xué)習(xí) 591 0
AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)由汽車電子協(xié)會發(fā)布,旨在規(guī)范汽車電子器件的可靠性和質(zhì)量要求。該標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了多個(gè)方面,包括溫度范圍、濕度、機(jī)械沖壓、振動、可靠性等,總...
2023-08-18 標(biāo)簽:閃存DRAM網(wǎng)絡(luò)安全 545 0
韓國研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)新型超低功耗存儲設(shè)備
DRAM是最常用的存儲器之一,速度非???,但具有易失性特性,當(dāng)電源關(guān)閉時(shí),數(shù)據(jù)會消失。NAND閃存是一種存儲設(shè)備,讀/寫速度相對較慢,但它具有非易失性特...
數(shù)據(jù)中心場景下的內(nèi)存交換技術(shù)TMO應(yīng)用研究
這篇文章提出的TMO引入了一種新型的Linux內(nèi)核機(jī)制來實(shí)時(shí)檢測由于CPU、內(nèi)存和IO的資源短缺導(dǎo)致的工作丟失。
使用新的DRAM進(jìn)步來提高嵌入式系統(tǒng)的性能
DRAM 技術(shù)的進(jìn)步伴隨著多核處理器、新操作系統(tǒng)的出現(xiàn),以及對許多不同計(jì)算平臺和應(yīng)用程序(例如服務(wù)器、工作站、大容量存儲系統(tǒng)、超級計(jì)算機(jī)、PC 和外圍設(shè)...
2024-05-03 標(biāo)簽:DRAM嵌入式系統(tǒng)存儲系統(tǒng) 459 0
人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)計(jì)算中的內(nèi)存挑戰(zhàn)
更多帶寬 – 隨著需要移動大量數(shù)據(jù),我們目睹了所有 DRAM 類型繼續(xù)競相提高數(shù)據(jù)速率以提供更多內(nèi)存帶寬。
美光公司預(yù)測的第四季度財(cái)報(bào)銷售業(yè)績(至8月底)為-21%。美光預(yù)計(jì)將于2022年9月29日公布其第四季度和全年銷售業(yè)績。他們的業(yè)績可能會為行業(yè)其它公司今...
2022-12-19 標(biāo)簽:DRAM 411 0
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