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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

長江存儲(chǔ)PC411 1TB SSD詳細(xì)評(píng)測

長江存儲(chǔ)晶棧Xtacking架構(gòu)的原理就是在兩片獨(dú)立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，然后在芯片封裝階段將兩者合二為一，更高效率的同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了更高的...

2024-01-16 標(biāo)簽：DRAM SSD NAND閃存 2011 0

關(guān)于FPGA上HBM 425GB/s內(nèi)存帶寬的實(shí)測

在FPGA上對(duì)傳統(tǒng)內(nèi)存進(jìn)行基準(zhǔn)測試。先前的工作[20]，[22]，[23]，[47]試圖通過使用高級(jí)語言（例如OpenCL）在FPGA上對(duì)傳統(tǒng)存儲(chǔ)器（例...

2022-12-19 標(biāo)簽：fpga DRAM 存儲(chǔ)器 2008 0

關(guān)于內(nèi)存的基本知識(shí)

內(nèi)存電路結(jié)構(gòu)** 首先，從電路結(jié)構(gòu)上看來，內(nèi)存分為DRAM和SRAM，DRAM由線陣列MOS管和電容組成

2023-02-17 標(biāo)簽：DRAM MOS管 sram 2006 0

混合NVM/DRAM平臺(tái)上的內(nèi)存帶寬調(diào)節(jié)策略

隨著相變存儲(chǔ)器 (PCM)、STT-MRAM、憶阻器和英特爾的 3D-XPoint 等技術(shù)的快速發(fā)展，高速的、可字節(jié)尋址的新興 NVM 的產(chǎn)品逐漸涌現(xiàn)于市場中

2023-11-14 標(biāo)簽：PCM DRAM 存儲(chǔ)器 1981 0

什么原因會(huì)影響TSV的可靠性呢？

就像PCB中的高縱橫比通孔和小直徑通孔一樣，半導(dǎo)體封裝中的3D互連也面臨著與3D晶片堆棧的熱力學(xué)行為相關(guān)的可靠性挑戰(zhàn)。

2023-07-21 標(biāo)簽：pcb DRAM HDI 1971 0

HBM：突破AI算力內(nèi)存瓶頸，技術(shù)迭代引領(lǐng)高性能存儲(chǔ)新紀(jì)元

HBM制造集成前道工藝與先進(jìn)封裝，TSV、EMC、鍵合工藝是關(guān)鍵。HBM制造的關(guān)鍵在于TSV DRAM，以及每層TSV DRAM之間的連接方式。

2024-03-14 標(biāo)簽：DRAM 寄存器 cpu 1886 0

淺談DRAM制造工藝及微縮挑戰(zhàn)

薄沉積的使用可以使抗蝕劑硬化，厚沉積的使用可以縮小臨界尺寸（Critical Dimensions：CD）。

2023-01-09 標(biāo)簽：電容器 DRAM 光刻膠 1863 0

非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制

非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高，...

2011-09-07 標(biāo)簽：PCM DRAM 存儲(chǔ)器 1768 0

漫談交換式電源的原理與設(shè)計(jì)

我們花了十多次的篇幅，說明了常用的交換式電源的原理。從可以升壓的 boost converter 開始，到降壓用的 buck converter，我們用...

2023-04-04 標(biāo)簽：模擬電路 DRAM 輸出電壓 1723 0

高速DRAM的training

隨著每一代接口(Interface)和存儲(chǔ)(memory)的頻率和速率的提高，信號(hào)采樣以及傳輸變得越來越困難，因?yàn)閿?shù)據(jù)眼(data eyes)越來越小。

2024-02-25 標(biāo)簽：DRAM 寄存器接口 1717 0

長江存儲(chǔ)致態(tài)Ti600 2TB SSD評(píng)測分析

致態(tài)Ti600系列SSD采用了長江存儲(chǔ)最新一代NAND閃存顆粒，基于晶棧Xtacking 3.0架構(gòu)，再配合優(yōu)秀主控解決方案，可以達(dá)到7000M...

2023-09-27 標(biāo)簽：DRAM NAND SSD 1715 0

簡單認(rèn)識(shí)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣...

2023-11-17 標(biāo)簽：mcu DRAM SDRAM 1703 0

NVIDIA首席科學(xué)家Bill Dally：深度學(xué)習(xí)硬件趨勢

Bill Dally于2009年1月加入NVIDIA擔(dān)任首席科學(xué)家，此前在斯坦福大學(xué)任職12年，擔(dān)任計(jì)算機(jī)科學(xué)系主任。Dally及其斯坦福團(tuán)隊(duì)開發(fā)了系統(tǒng)...

2024-02-25 標(biāo)簽：DRAM 寄存器深度學(xué)習(xí) 1695 0

磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM)制造工藝

磁性隧道結(jié)（MTJ）通常是由兩層鐵磁材料中間夾著薄絕緣屏蔽（MgO 或Al2O3）層組成的，它可以實(shí)現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài)隧道磁電阻 ( Tunneling Magn...

2023-02-01 標(biāo)簽：DRAM sram TMR 1694 0

一文了解新型存儲(chǔ)技術(shù)

萬物智聯(lián)時(shí)代的到來，大幅提升了人工智能 (AI) 及邊緣計(jì)算 (Edge Computing)等巨量運(yùn)算架構(gòu)的應(yīng)用需求。但是傳統(tǒng)存儲(chǔ)器均在耗電量、數(shù)據(jù)訪...

2023-04-12 標(biāo)簽：DRAM NAND FlaSh 1690 0

基于PCI-e協(xié)議的CXL技術(shù)

CXL是一個(gè)全新的得到業(yè)界認(rèn)同的互聯(lián)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，其正帶著服務(wù)器架構(gòu)迎來革命性的轉(zhuǎn)變。

2023-02-02 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 NIC 1650 0

美光科技DRAM和通用閃存3.1嵌入式解決方案通過高通平臺(tái)認(rèn)證

美光的低功耗內(nèi)存解決方案為驍龍XR2 Gen 2平臺(tái)上的元宇宙應(yīng)用提供高速和高能效。美光科技宣布，其低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X(LPDDR5X)DRAM和...

2023-10-27 標(biāo)簽：高通閃存嵌入式 1624 0

動(dòng)態(tài)時(shí)鐘停止重啟太快，可通過編程LPDDR2控制器解決

在沒有內(nèi)存事務(wù)處理執(zhí)行以及如果接收到內(nèi)存請求重啟時(shí)鐘時(shí)，用戶可通過編程 LPDDR2 控制器來停止 DRAM 時(shí)鐘。

2018-06-23 標(biāo)簽：dram soc 1624 0

DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization

隨著系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會(huì)接入多個(gè) DRAM Devices。而多個(gè) DRAM Devices 不同的組織方式，會(huì)帶來不同的...

2017-03-28 標(biāo)簽：DRAM 1615 0

先進(jìn)工藝下的SRAM功耗和性能挑戰(zhàn)

隨著AI設(shè)計(jì)對(duì)內(nèi)部存儲(chǔ)器訪問的要求越來越高，SRAM在工藝節(jié)點(diǎn)遷移中進(jìn)一步增加功耗已成為一個(gè)的問題。

2024-04-09 標(biāo)簽：CMOS DRAM sram 1611 0

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德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標(biāo)準(zhǔn)。
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來到三星，現(xiàn)在為中芯國際執(zhí)行長。
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上海安路信息科技有限公司成立于2011年，總部位于浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)。安路科技專注于為客戶提供高性價(jià)比的可編程邏輯器件（FPGA）、可編程系統(tǒng)級(jí)芯片（SOC）、定制化可編程芯片、及相關(guān)軟件設(shè)計(jì)工具和創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
iBeacon

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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢在該細(xì)分市場持續(xù)保持全球第一的市場地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國家和地區(qū)，深受用戶喜愛。
iPhone6S

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北京時(shí)間2015年9月10日，美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
華天科技

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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
OLED電視

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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