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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù))
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DRAM實現(xiàn)市場最大增長,無線連接等技術(shù)大有可為
2018年McClean報告的年中更新中,IC Insights更新了WSTS定義的33個主要IC產(chǎn)品類別中每個類別的銷售增長預(yù)測(圖1)。IC Ins...
Kevin K. Chang:解決了DRAM問題 提出新的架構(gòu)改進DRAM延遲問題
在內(nèi)存和存儲代價高昂的時候,數(shù)據(jù)移動被限制在一個寄存器大小的塊中,或者最多是來自磁盤的512字節(jié)塊。但如今,在存儲容量達千兆字節(jié)的存儲空間和海量內(nèi)存的情...
DRAM 原理 2 :DRAM Memory Organization
在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中,介紹了單個 Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中,將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
內(nèi)存芯片的發(fā)展史 DRAM技術(shù)的現(xiàn)狀
當(dāng)時,半導(dǎo)體存儲技術(shù)被分為ROM和RAM兩個方向。ROM是只讀存儲器,存儲數(shù)據(jù)不會因為斷電而丟失,也稱外存。而RAM是隨機存取存儲器,用于存儲運算數(shù)據(jù),...
dram存儲器斷電后信息會丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎
DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器是一種易失性存儲器,意味著當(dāng)斷電時,存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使...
以SDR SDRAM 為例,DRAM Device 與 Host 端的接口描述
本文則以 SDR SDRAM 為例,描述 DRAM Device 與 Host 端的接口,以及其內(nèi)部的其他模塊,包括 Control Logic、IO、...
MRAM會取代DDR嗎?簡單比較下MRAM、SRAM和DRAM之間的區(qū)別
在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲產(chǎn)品就是DRAM和NAND,DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
DDR SDRAM,是一種雙數(shù)據(jù)速率(DDR)同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)。作為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)里最重要的核心部件之一,應(yīng)用十分廣泛。從消費類電子到...
在3D IC封裝中,邏輯模塊堆疊在內(nèi)存模塊上,而不是創(chuàng)建一個大型的系統(tǒng)片上(SoC),并且模塊通過一個主動交互器連接。
DDR PHY是DRAM和內(nèi)存控制器通信的橋梁,它負責(zé)把內(nèi)存控制器發(fā)過來的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成符合DDR協(xié)議的信號,并發(fā)送到DRAM。
更深存儲器應(yīng)用如何實現(xiàn)?IDT技術(shù)白皮書為你解惑
LRDIMM(低負載雙列直插存儲器模塊) 和 RDIMM(雙列直插存儲器模塊) 為數(shù)據(jù)中心企業(yè)服務(wù)器提供補充解決方案——LRDIMM 針對需要更深存儲器...
各種MRAM的技術(shù)路徑,MRAM的挑戰(zhàn)和前景
本文旨在討論各種MRAM的技術(shù)路徑,其中包括磁場驅(qū)動型、自旋轉(zhuǎn)移扭矩(spin-transfer torque:STT)、自旋軌道扭矩(spin-orb...
新式DRAM存取技術(shù)提升動態(tài)隨機DRAM訪問速度
本文透過對于靜態(tài)隨機存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究,提出一種新的 存取技術(shù) ,可望提升動態(tài)隨機存取內(nèi)存( DRAM )單元的訪問速度。 超頻...
我們都知道硬盤的機械結(jié)構(gòu)應(yīng)該是好用的,我對那些部分也不感興趣。我的興趣在于大多數(shù)硬盤背面都有的那一小塊PCB板子,上面有SATA接口和電源接口。
系統(tǒng)設(shè)計工程師不可不知的DRAM控制器核心結(jié)論
電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示: DRAM控制器藏在您的系統(tǒng)核心芯片系統(tǒng)(SoC)中,可能有兩個,甚至是四個。有一些精心制作的邏輯小模塊,用于連接SoC內(nèi)部和外部...
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