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      標(biāo)簽　>　dram

      dram

      dram

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      DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

      文章：2274個 瀏覽：185543次 帖子：82個

      dram技術(shù)

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      相信有很多人都對計算機里的各種存儲器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash ...

      2020-12-17 標(biāo)簽：DRAMsramNand flash 1.2萬 0

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      圖3-4是閃存芯片里面存儲單元的閾值電壓分布函數(shù)，橫軸是閾值電壓，縱軸是存儲單元數(shù)量。其實在0或1的時候，并非所有的存儲單元都是同樣的閾值電壓，而是以這...

      2018-11-13 標(biāo)簽：閃存DRAM固態(tài)硬盤 1.2萬 0

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      盡管ㄧ些新存儲器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來，但在這競爭激烈的市場，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲器技術(shù)的列表。然而，無論哪一個技術(shù)勝出，這些新型非易失性技...

      2018-12-24 標(biāo)簽：DRAMNAND嵌入式存儲器 1.1萬 1

      動態(tài)隨機存儲器集成工藝（DRAM）詳解

      在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器...

      2023-02-08 標(biāo)簽：DRAM存儲器工藝 1.1萬 0

      FPGA上的HBM性能實測結(jié)果分析

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      本文是第一篇詳細(xì)介紹HBM在FPGA上性能實測結(jié)果的頂會論文（FCCM2020，Shuhai: Benchmarking High Bandwidth ...

      2020-11-08 標(biāo)簽：fpgaDRAMHBM 1.1萬 0

      DDR的基礎(chǔ)知識

      DDR 正面就是一個rank，背面如果也有顆粒，那就又是一個rank。實物圖中的8個顆粒組成了一個rank。

      2022-12-14 標(biāo)簽：DRAMDDR 1.0萬 0

      SRAM簡介及與DRAM/SDRAM的比較

      RAM RAM是指通過指令可以隨機的、個別的對各個存儲單元進行訪問的存儲器，一般訪問時間基本固定，而與存儲單元地址無關(guān)。RAM的速度比較快，但其保存的信...

      2011-08-25 標(biāo)簽：DRAMSDRAMSRAM 1.0萬 0

      SRAM存儲器的工作原理

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      SRAM也是易失性存儲器，但是，與DRAM相比，只要設(shè)備連接到電源，信息就被存儲，一旦設(shè)備斷開電源，就會失去信息。 這個設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多，...

      2023-03-21 標(biāo)簽：DRAM存儲器sram 1.0萬 0

      關(guān)于DDR5你知道多少 DDR5的新挑戰(zhàn)

      驅(qū)動DRAM內(nèi)存市場向DDR5升級的動力應(yīng)該是來自對帶寬有強烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，比如云服務(wù)器、邊緣計算等等，由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務(wù)器CPU核心數(shù)量...

      2020-03-22 標(biāo)簽：DRAM穩(wěn)壓器臺積電 1.0萬 0

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      Storage Capacitor，即存儲電容，它通過存儲在其中的電荷的多和少，或者說電容兩端電壓差的高和低，來表示邏輯上的 1 和 0。

      2020-09-22 標(biāo)簽：DRAM存儲 9712 0

      基于個人經(jīng)驗對 Arduino 入門套件作了相關(guān)介紹，開啟創(chuàng)客世界大門

      ATmega328P 處理器是一款低功耗 8 位微控制器，采用增強型精簡指令集計算機 (RISC) 架構(gòu)

      2019-08-02 標(biāo)簽：DRAMArduino創(chuàng)客 9478 0

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      DRAM包括：SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx（Reduced Latency DRAM）、EDO DR...

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      來源：本文由半導(dǎo)體行業(yè)觀察（ID:icbank）編譯自anandtech 蘋果發(fā)布了他們?nèi)碌腗acBook系列產(chǎn)品。這不是一個普通的發(fā)布版本，如果說有...

      2020-11-12 標(biāo)簽：DRAMcpu蘋果 9445 0

      對RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM的簡單介紹

      RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器...

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      非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲器主要分為塊尋址和字...

      2019-04-07 標(biāo)簽：DRAM存儲器RRAM 9184 0

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      存儲器是計算機結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲器計算機才具有記憶功能?；镜拇鎯ζ鞣N類見圖基本存儲器種類。

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      上電與初始化是由一系列精心設(shè)計的步驟組成的序列（sequence）。一般來說，在系統(tǒng)上電之后，ASIC/FPGA/處理器中的 DDR 控制器會被從復(fù)位狀...

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      只讀存儲器有哪些類型及相變存儲器的詳細(xì)介紹

      對于存儲器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機內(nèi)就具備存儲器。為增進大家對存儲器的認(rèn)識，本文將對只讀存儲器的種類予以介紹，并對相變存儲器、存儲器生命...

      2020-12-06 標(biāo)簽：DRAM存儲器EEPROM 8760 0

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      DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Sy...

      2019-02-04 標(biāo)簽：閃存DRAM存儲器 8742 0

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      • 寒武紀(jì)
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        半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進行浸蝕，布線，制成的能實現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風(fēng)。
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        德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標(biāo)準(zhǔn)。
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