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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

知存科技助力AI應(yīng)用落地：WTMDK2101-ZT1評(píng)估板實(shí)地評(píng)測(cè)與性能揭秘

隨著當(dāng)今數(shù)據(jù)迅速增長(zhǎng)，傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)內(nèi)存墻正在成為計(jì)算性能進(jìn)一步提升的阻礙。新一代的存內(nèi)計(jì)算（IMC）和近存計(jì)算（NMC）架構(gòu)有望突破這一瓶頸，顯著...

2024-05-16 標(biāo)簽：DRAM AI 憶阻器 2601 0

DDR與LPDDR的工作原理及異同點(diǎn)？

DDR和LPDDR都是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的類型，它們?cè)谟?jì)算機(jī)和移動(dòng)設(shè)備中用于臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

2024-05-12 標(biāo)簽：DRAM DDR 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3395 0

冗余電路保險(xiǎn)措施的導(dǎo)入—備用記憶體的機(jī)制

在半導(dǎo)體記憶體中，例如一個(gè)1G的DRAM，代表一個(gè)半導(dǎo)體晶片上擁有10億個(gè)能夠記憶1 bit的資訊單位。

2024-04-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 晶圓 618 0

如何處理SoC中的性能瓶頸呢？

SoC 中不斷添加處理核心，但它們不會(huì)都得到充分利用，因?yàn)檎嬲钠款i沒(méi)有得到解決。

2024-05-01 標(biāo)簽：處理器 DRAM SoC芯片 1197 0

DDR SDRAM 和SDRAM的主要差異

DDR內(nèi)存通過(guò)在時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，從而實(shí)現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)率。這意味著在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，DDR內(nèi)存能夠傳輸兩次數(shù)據(jù)，提高了數(shù)據(jù)傳輸效率。

2024-04-27 標(biāo)簽：DRAM SDRAM 存儲(chǔ)器 2583 0

使用新的DRAM進(jìn)步來(lái)提高嵌入式系統(tǒng)的性能

DRAM 技術(shù)的進(jìn)步伴隨著多核處理器、新操作系統(tǒng)的出現(xiàn)，以及對(duì)許多不同計(jì)算平臺(tái)和應(yīng)用程序（例如服務(wù)器、工作站、大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)、超級(jí)計(jì)算機(jī)、PC 和外圍設(shè)...

2024-05-03 標(biāo)簽：DRAM 嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng) 433 0

3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)，3D DRAM開(kāi)發(fā)路線圖

目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行3D DRAM的研發(fā)工作，并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。

2024-04-17 標(biāo)簽：處理器 DRAM 三星電子 1121 0

存算一體架構(gòu)的優(yōu)勢(shì)及分類

存內(nèi)計(jì)算同樣是將計(jì)算和存儲(chǔ)合二為一的技術(shù)。它有兩種主要思路。第一種思路是通過(guò)電路革新，讓存儲(chǔ)器本身就具有計(jì)算能力。

2024-04-09 標(biāo)簽：芯片 DRAM 邏輯電路 2119 0

先進(jìn)工藝下的SRAM功耗和性能挑戰(zhàn)

隨著AI設(shè)計(jì)對(duì)內(nèi)部存儲(chǔ)器訪問(wèn)的要求越來(lái)越高，SRAM在工藝節(jié)點(diǎn)遷移中進(jìn)一步增加功耗已成為一個(gè)的問(wèn)題。

2024-04-09 標(biāo)簽：CMOS DRAM sram 1578 0

如何打造超越英偉達(dá)性能的GPU

PHY 是一種物理網(wǎng)絡(luò)傳輸設(shè)備，它將交換芯片、網(wǎng)絡(luò)接口或計(jì)算引擎上或內(nèi)部的任何數(shù)量的其他類型的接口鏈接到物理介質(zhì)（銅線、光纖、無(wú)線電信號(hào)），而物理介質(zhì)又...

2024-04-08 標(biāo)簽：DRAM gpu 內(nèi)存 1380 0

韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)新型超低功耗存儲(chǔ)設(shè)備

DRAM是最常用的存儲(chǔ)器之一，速度非?？欤哂幸资蕴匦?，當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)，數(shù)據(jù)會(huì)消失。NAND閃存是一種存儲(chǔ)設(shè)備，讀/寫速度相對(duì)較慢，但它具有非易失性特...

2024-04-08 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 507 0

存儲(chǔ)芯片是什么樣存儲(chǔ)信息的

在存儲(chǔ)信息時(shí)，對(duì)于動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器，行地址首先將RAS鎖存于芯片中，然后列地址將CAS鎖存于芯片中，當(dāng)WE有效時(shí)，寫入數(shù)據(jù)則被存儲(chǔ)于指定的單元中。

2024-03-29 標(biāo)簽：集成電路 DRAM 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 4554 0

什么是HBM3E內(nèi)存？Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對(duì)高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。

2024-03-20 標(biāo)簽：處理器 DRAM 人工智能 3595 0

JEDEC發(fā)布：GDDR7 DRAM新規(guī)范，專供顯卡與GPU使用

三星電子和SK海力士計(jì)劃在今年上半年量產(chǎn)下一代顯卡用內(nèi)存GDDR7 DRAM，這是用于圖形處理單元（GPU）的最新一代高性能內(nèi)存。

2024-03-18 標(biāo)簽：DRAM 三星電子內(nèi)存 1216 0

DDR5內(nèi)存接口芯片組如何利用DDR5 for DIMM的優(yōu)勢(shì)？

2021 年，JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory mod...

2024-03-17 標(biāo)簽：DRAM 接收器 DDR4 4057 0

HBM：突破AI算力內(nèi)存瓶頸，技術(shù)迭代引領(lǐng)高性能存儲(chǔ)新紀(jì)元

HBM制造集成前道工藝與先進(jìn)封裝，TSV、EMC、鍵合工藝是關(guān)鍵。HBM制造的關(guān)鍵在于TSV DRAM，以及每層TSV DRAM之間的連接方式。

2024-03-14 標(biāo)簽：DRAM 寄存器 cpu 1835 0

可靠性測(cè)試中,如何減少HCI和電遷移的測(cè)試時(shí)間？

許多可靠性“磨損”測(cè)試監(jiān)測(cè)的是一個(gè)性能參數(shù)，該參數(shù)隨著對(duì)數(shù)變化的時(shí)間長(zhǎng)度而穩(wěn)步下降。

2024-03-13 標(biāo)簽：DRAM NMOS 晶體管 2991 0

淺析RAM存儲(chǔ)器內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

在計(jì)算機(jī)中，CPU需要定期地從 RAM 存儲(chǔ)器中讀取數(shù)據(jù)和指令。隨著計(jì)算機(jī)應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，RAM 存儲(chǔ)器的容量和速度不斷提高，以適應(yīng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的需要。

2024-03-04 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 cpu 2908 0

人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)計(jì)算中的內(nèi)存挑戰(zhàn)

更多帶寬 – 隨著需要移動(dòng)大量數(shù)據(jù)，我們目睹了所有 DRAM 類型繼續(xù)競(jìng)相提高數(shù)據(jù)速率以提供更多內(nèi)存帶寬。

2024-03-04 標(biāo)簽：DRAM sram 人工智能 447 0

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與前景展望

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)對(duì)于數(shù)據(jù)挖掘與分析、數(shù)據(jù)整合與共享、智能決策支持、業(yè)務(wù)模式創(chuàng)新以及優(yōu)化資源配置等方面具有重要作用。按照存儲(chǔ)介質(zhì)不同，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)主要可分為磁性存...

2024-02-27 標(biāo)簽：DRAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)EEPROM 4379 0

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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