什么原因會影響TSV的可靠性呢？

就像PCB中的高縱橫比通孔和小直徑通孔一樣，半導(dǎo)體封裝中的3D互連也面臨著與3D晶片堆棧的熱力學(xué)行為相關(guān)的可靠性挑戰(zhàn)。

2023-07-21 標(biāo)簽：pcbDRAMHDI 1949 0

SiCO薄膜在實(shí)踐中表現(xiàn)如何？低介電薄膜如何解決串?dāng)_、隔離問題

串?dāng)_問題自電子學(xué)早期就一直存在。幸運(yùn)的是，我們有一個眾所周知的解決方式：隔離。在嘈雜的房間中，隔離需要在每個人的周圍都放置隔音板；而在集成電路上，通?？?..

2023-07-20 標(biāo)簽：集成電路DRAM存儲器 796 0

讓你徹底看懂LCD屏的控制原理！

這可能是最古老、最簡單的液晶屏了，型號是1602A，它是上世紀(jì)80的產(chǎn)物，但是直到現(xiàn)在它還是非常受歡迎，在很多設(shè)備上都可以看到它的身影。

2023-07-18 標(biāo)簽：微控制器DRAM液晶屏 2437 0

DRAM和SRAM元器件原理

元器件原理＜DRAM＞ 由1個晶體管、1個電容器構(gòu)成 數(shù)據(jù)的寫入方法 ＜“1” 時＞ Word線電位為 high Bit線電位為 high Word線電...

2023-07-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM存儲器 1530 0

FPGA與CPU之間是如何通信的？

馮氏結(jié)構(gòu)中使用內(nèi)存有兩種作用。一是保存狀態(tài)，二是在執(zhí)行單元間通信。由于內(nèi)存是共享的，就需要做訪問仲裁;為了利用訪問局部性，每個執(zhí)行單元有一個私有的緩存，...

2023-07-12 標(biāo)簽：fpgaDRAMcpu 2406 0

為什么需要HBM？

在數(shù)據(jù)中心和邊緣運(yùn)行的技術(shù)，如 AI 和視覺，具有與之相關(guān)的巨大內(nèi)存和計算要求

2023-07-07 標(biāo)簽：DRAM存儲器嵌入式系統(tǒng) 813 0

SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)

芯片已經(jīng)無處不在：從手機(jī)和汽車到人工智能的云服務(wù)器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強(qiáng)大。

2023-07-12 標(biāo)簽：DRAMSPARC云服務(wù)器 1065 0

半導(dǎo)體存儲芯片分類淺述

全球每年的存儲芯片的市場規(guī)模在1600億美元左右，而且隨著高性能計算機(jī)，服務(wù)器，邊緣計算，智能穿戴市場，物聯(lián)網(wǎng)和車聯(lián)網(wǎng)全球市場規(guī)模的不斷做大，存儲器市場...

2023-07-03 標(biāo)簽：DRAMNAND物聯(lián)網(wǎng) 3537 0

DDR4-初始化、訓(xùn)練和校準(zhǔn)

上電與初始化是由一系列精心設(shè)計的步驟組成的序列（sequence）。一般來說，在系統(tǒng)上電之后，ASIC/FPGA/處理器中的 DDR 控制器會被從復(fù)位狀...

2023-07-03 標(biāo)簽：處理器DRAM子系統(tǒng) 8805 0

ZNS SSD設(shè)計架構(gòu)及性能優(yōu)化

ZNS使基于閃存的固態(tài)硬盤具有更高的性能和更低的每字節(jié)成本。通過將管理擦除塊內(nèi)數(shù)據(jù)組織的責(zé)任從FTL轉(zhuǎn)移到主機(jī)軟件，ZNS消除了設(shè)備內(nèi)LBA到頁的映射、...

2023-06-29 標(biāo)簽：閃存DRAM存儲介質(zhì) 1517 0

半導(dǎo)體存儲器簡介

半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在...

2023-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMFlaSh 4733 0

離子注入技術(shù)在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應(yīng)用

在DRAM生產(chǎn)中，離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻，這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。

2023-06-19 標(biāo)簽：CMOSMOSFET驅(qū)動器 1101 0

基于Chiplet方式的集成3D DRAM存儲方案

新能源汽車、5G、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的不斷發(fā)展，對芯片性能的需求越來越高，采用先進(jìn)封裝技術(shù)的 Chiplet 成為了芯片微縮化進(jìn)程的“續(xù)命良藥”。

2023-06-14 標(biāo)簽：DRAMDDR3可穿戴設(shè)備 921 0

ST在新品MCU上做了哪些改進(jìn)

數(shù)字化趨勢正在驅(qū)動著整個設(shè)備的增長，未來會有更多安全鏈接到云端，在設(shè)備端更加智能的處理。與此同時，數(shù)字化也會帶來更大的32位MCU的增長。已經(jīng)連續(xù)好幾年...

2023-06-12 標(biāo)簽：mcuDRAMST 1444 0

PSRAM完全解讀

PSRAM的時序比較簡單,主要根據(jù)各個時序圖理解每個時序階段,及其參數(shù)。重點(diǎn)要理解DQS/DM是誰驅(qū)動的,代表什么意思, 數(shù)據(jù)采樣的時間即DQS上升沿延...

2023-06-08 標(biāo)簽：DRAM存儲單元sram 4.5萬 0

比特錯誤模式對DRAM故障預(yù)測有何影響？

DRAM錯誤數(shù)據(jù)主要通過Linux檢錯糾錯驅(qū)動程序采集。同時獲取每個CE的微觀地址信息，即channel、rank、bank、row和column。

2023-06-01 標(biāo)簽：DRAMLinux 663 0

DRAM產(chǎn)品低功耗設(shè)計與演化

前期我們從工作電壓，頻率，容量等產(chǎn)品規(guī)格，prefetch/burst length內(nèi)部訪問方式的角度介紹了DDR3/DDR4/LPDDR4(X)的一些...

2023-06-01 標(biāo)簽：DRAMDDR3接口 2630 0

數(shù)據(jù)中心場景下的內(nèi)存交換技術(shù)TMO應(yīng)用研究

這篇文章提出的TMO引入了一種新型的Linux內(nèi)核機(jī)制來實(shí)時檢測由于CPU、內(nèi)存和IO的資源短缺導(dǎo)致的工作丟失。

2023-05-31 標(biāo)簽：DRAMLinuxSSD 495 0

深入理解Cache工作原理

按照數(shù)據(jù)關(guān)系劃分：Inclusive/exclusive Cache: 下級Cache包含上級的數(shù)據(jù)叫inclusive Cache。不包含叫exclu...

2023-05-30 標(biāo)簽：DRAM存儲Cache 1111 0