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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

LPDDR4：是什么讓它更快并降低功耗

DRAM 存儲(chǔ)器是任何計(jì)算設(shè)備的“心臟”，例如智能手機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器等。LPDDR4 主要用于提高智能手機(jī)、平板電腦和超薄筆記本電腦等移動(dòng)計(jì)算設(shè)備...

2023-05-26 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器服務(wù)器 7308 0

以更低的系統(tǒng)成本實(shí)現(xiàn)更高的移動(dòng)存儲(chǔ)性能

以更低的成本獲得更高的存儲(chǔ)性能可能會(huì)在存儲(chǔ)設(shè)備的設(shè)計(jì)中造成瓶頸。為了實(shí)現(xiàn)更高的性能，設(shè)備必須使用片上DRAM，這增加了總體成本。這就是統(tǒng)一內(nèi)存擴(kuò)展（UM...

2023-05-26 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)器 1253 0

面向圖形、網(wǎng)絡(luò)和HPC的下一代內(nèi)存技術(shù)

在過(guò)去的十年中，GDDR5已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，并在所有面向圖形的技術(shù)中占據(jù)重要地位。GDDR5 專(zhuān)注于使用更多功率來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的時(shí)鐘速度。GDDR5 芯片以單...

2023-05-26 標(biāo)簽：芯片 DRAM 接口 1210 0

LPDDR5：增強(qiáng)物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和圖像處理的帶寬、可靠性和功耗

云計(jì)算、人工智能、自動(dòng)駕駛汽車(chē)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)、嵌入式視覺(jué)等新應(yīng)用正在推動(dòng)對(duì)內(nèi)存性能和能效的更嚴(yán)格要求。內(nèi)存是這些系統(tǒng)的核心，需要高帶寬和速度以及更低的功耗和...

2023-05-26 標(biāo)簽：DRAM 云計(jì)算自動(dòng)駕駛 3767 0

DDR5/4/3/2：每一代 DDR 如何提高內(nèi)存密度和速度

SDRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，與CPU的時(shí)鐘速度同步。SDRAM也代表SDR SDRAM（單數(shù)據(jù)速率SDRAM）。單數(shù)據(jù)速率意味著SDR SDRAM在...

2023-05-26 標(biāo)簽：DRAM SDRAM 存儲(chǔ)器 3230 0

HBM性能驗(yàn)證變得簡(jiǎn)單

HBM2E（高帶寬內(nèi)存）是一種高性能 3D 堆疊 DRAM，用于高性能計(jì)算和圖形加速器。它使用更少的功率，但比依賴(lài)DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高...

2023-05-26 標(biāo)簽：處理器 DRAM 內(nèi)存 1049 0

存儲(chǔ)要不要分層，關(guān)鍵要看它！

現(xiàn)有的計(jì)算機(jī)體系架構(gòu)中通常采用層級(jí)緩存來(lái)彌補(bǔ)外存和內(nèi)存之間的性能差距。但是，層緩存都有極限帶寬和有限的命中率，在層級(jí)緩存下數(shù)據(jù)需要頻繁的在各個(gè)層級(jí)緩存之...

2023-05-23 標(biāo)簽：DRAM SSD CAS 1029 0

超高速存儲(chǔ)器測(cè)試的KGD解決方案

　與隨著DRAM和高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）本機(jī)速度能力的提高，最新的內(nèi)存正在超過(guò)2 GHz（4 Gbps），這就對(duì)現(xiàn)有的ATE測(cè)試器提出了更高的限制。

2023-05-19 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器測(cè)試器 2106 0

存儲(chǔ)器接口，數(shù)據(jù)安全的關(guān)口

隨著數(shù)智時(shí)代的到來(lái)，智能設(shè)備的普及度越來(lái)越高，用戶(hù)受到網(wǎng)絡(luò)攻擊的風(fēng)險(xiǎn)和頻率也在不斷增加。然而，漏洞不只是存在于軟件中，硬件中也一樣存在。

2023-05-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 存儲(chǔ)器 748 0

服務(wù)器RAM模塊-可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要

服務(wù)器 RAM，或者更準(zhǔn)確地說(shuō)，服務(wù)器 RAM 模塊，是由許多組件組成的產(chǎn)品。與任何DRAM模塊一樣，其基本組件是PCB在生產(chǎn)過(guò)程中焊接集成電路和無(wú)源元...

2023-05-04 標(biāo)簽：DRAM RAM 服務(wù)器 2174 0

金屬布線的工藝為半導(dǎo)體注入生命的連接

經(jīng)過(guò)氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會(huì)形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會(huì)讓晶圓表面布滿(mǎn)晶體管和電容（Capacitor）；

2023-04-28 標(biāo)簽：DRAM 晶圓晶體管 1286 0

芯片制造的高互連線間距問(wèn)題

IBM 和三星開(kāi)發(fā)了一種釕和氣隙集成方案，解決了一個(gè)迫在眉睫的高互連線間距問(wèn)題。

2023-04-25 標(biāo)簽：芯片 DRAM IBM 2306 0

半導(dǎo)體工藝之金屬布線工藝介紹

本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨(dú)立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實(shí)是為了金屬布線才進(jìn)行的。在金屬布線過(guò)程中，會(huì)...

2023-04-25 標(biāo)簽：DRAM cpu 晶體管 2469 0

什么是DRAM？DRAM存儲(chǔ)單元電路讀寫(xiě)原理

內(nèi)存芯片中每個(gè)單元都有以字節(jié)線和比特線組合的獨(dú)立地址。以2016年主流4GB單面8芯片內(nèi)存條為例，每粒內(nèi)存芯片有4G個(gè)獨(dú)立地址。

2023-04-25 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器云計(jì)算 1.7萬(wàn) 0

一文了解新型存儲(chǔ)器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRA...

2023-04-19 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 RAM 4148 0

FPGA循環(huán)并行化應(yīng)用于先前任務(wù)并行化的推理內(nèi)核

此外，當(dāng)前內(nèi)核的外部?jī)?nèi)存訪問(wèn)效率低下，因此內(nèi)存訪問(wèn)也是瓶頸。在這種狀態(tài)下，即使進(jìn)行循環(huán)并行化，內(nèi)存訪問(wèn)最終也會(huì)成為瓶頸。

2023-04-17 標(biāo)簽：fpga DRAM 存儲(chǔ)器 1386 0

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開(kāi)發(fā)，必須通過(guò)精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑...

2023-04-13 標(biāo)簽：DRAM IC制造 IMEC 2322 0

CXL內(nèi)存基于微基準(zhǔn)的特性研究和最佳實(shí)踐

隨著線程數(shù)的增加，在每個(gè)方案上運(yùn)行DLRM推理都是線性的，并且斜率不同。DDR5-R1和CXL存儲(chǔ)器的總體趨勢(shì)相似，這與第4.3.2節(jié)中的觀察結(jié)果一致

2023-04-12 標(biāo)簽：DRAM 深度學(xué)習(xí) 591 0

一文了解新型存儲(chǔ)技術(shù)

萬(wàn)物智聯(lián)時(shí)代的到來(lái)，大幅提升了人工智能 (AI) 及邊緣計(jì)算 (Edge Computing)等巨量運(yùn)算架構(gòu)的應(yīng)用需求。但是傳統(tǒng)存儲(chǔ)器均在耗電量、數(shù)據(jù)訪...

2023-04-12 標(biāo)簽：DRAM NAND FlaSh 1672 0

漫談交換式電源的原理與設(shè)計(jì)

我們花了十多次的篇幅，說(shuō)明了常用的交換式電源的原理。從可以升壓的 boost converter 開(kāi)始，到降壓用的 buck converter，我們用...

2023-04-04 標(biāo)簽：模擬電路 DRAM 輸出電壓 1716 0

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寒武紀(jì)是目前國(guó)際上少數(shù)幾家全面系統(tǒng)掌握了通用型智能芯片及其基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件研發(fā)和產(chǎn)品化核心技術(shù)的企業(yè)之一，能提供云邊端一體、軟硬件協(xié)同、訓(xùn)練推理融合、具備統(tǒng)一生態(tài)的系列化智能芯片產(chǎn)品和平臺(tái)化基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件。
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半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕，布線，制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見(jiàn)的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車(chē)有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國(guó)企業(yè)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（D-RAM）市場(chǎng)占上風(fēng)。
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德國(guó)易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無(wú)線能量采集技術(shù)的開(kāi)創(chuàng)者。2012年3月，國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無(wú)線國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
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Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場(chǎng)的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持，供應(yīng)來(lái)自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品，涵蓋25個(gè)不同元器件類(lèi)別，并特別專(zhuān)注于互連與機(jī)電產(chǎn)品。其主要分銷(xiāo)產(chǎn)品包括互連器件、繼電器、風(fēng)扇、開(kāi)關(guān)和傳感器、電路保護(hù)與熱管理、套管和線束產(chǎn)品、晶體與振蕩器。
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RISC-V是一個(gè)基于精簡(jiǎn)指令集（RISC）原則的開(kāi)源指令集架構(gòu)（ISA），重點(diǎn)在于它是開(kāi)源的，這是與另外兩個(gè)主流架構(gòu)英特爾的 X86和軟銀的Arm最大區(qū)別。
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來(lái)到三星，現(xiàn)在為中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)。
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紫光展銳是我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)，以生態(tài)為核心戰(zhàn)略，高舉5G和AI兩面技術(shù)旗幟，以?xún)r(jià)值、未來(lái)、服務(wù)為三個(gè)指向，為個(gè)人與社會(huì)的智能化服務(wù)。
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北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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MACOM是一家高性能模擬射頻、微波、毫米波和光電解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，總部位于美國(guó)馬薩諸塞州洛厄爾，擁有超過(guò)60年的歷史?？偛吭O(shè)在美國(guó)洛厄爾，馬薩諸塞州。
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上海安路信息科技有限公司成立于2011年，總部位于浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)。安路科技專(zhuān)注于為客戶(hù)提供高性?xún)r(jià)比的可編程邏輯器件（FPGA）、可編程系統(tǒng)級(jí)芯片（SOC）、定制化可編程芯片、及相關(guān)軟件設(shè)計(jì)工具和創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。
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驍龍835（一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
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　　華為Mate 9系列是華為推出的商務(wù)旗艦手機(jī)。華為Mate 9系列搭載麒麟960海思處理器，操作系統(tǒng)為基于Android 7.0深度定制的EMUI5.0。
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長(zhǎng)電科技面向全球提供封裝設(shè)計(jì)、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)及認(rèn)證，以及從芯片中測(cè)、封裝到成品測(cè)試及出貨的全套專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)服務(wù)。長(zhǎng)電科技生產(chǎn)、研發(fā)和銷(xiāo)售網(wǎng)絡(luò)已覆蓋全球主要半導(dǎo)體市場(chǎng)。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋(píng)果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周?chē)l(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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公司在特別依賴(lài)分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷(xiāo)全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶(hù)喜愛(ài)。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋(píng)果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車(chē)電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
東軟

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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
OLED電視

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱(chēng)“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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