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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō),可以分為兩類(lèi),一類(lèi)就是易失性存儲(chǔ)器,一類(lèi)是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤(pán)。
SRAM也是易失性存儲(chǔ)器,但是,與DRAM相比,只要設(shè)備連接到電源,信息就被存儲(chǔ),一旦設(shè)備斷開(kāi)電源,就會(huì)失去信息。 這個(gè)設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多,...
在IC領(lǐng)域,SRAM(Static Random-Access Memory)是一種靜態(tài)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器?!办o態(tài)”是相對(duì)于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)...
地址線(xiàn)最多的是 16Gb 容量的 x4 顆粒,使用 A0-A17 地址線(xiàn)。需要注意的是所有 PHY 都會(huì)有 A0-A16 (因?yàn)?RAS\_n 復(fù)用為 ...
結(jié)合卷積層來(lái)創(chuàng)建一個(gè)完整的推理函數(shù)
首先輸入一張1x28x28的圖片,然后兩次通過(guò)Conv2d -> ReLU -> MaxPool2d提取特征,最后轉(zhuǎn)為linear,>...
從DDR3到LPDDR4(X),看產(chǎn)品細(xì)分差異優(yōu)化發(fā)展
DDR從誕生開(kāi)始,就由于其在時(shí)鐘上升沿和下降沿均可進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,相較之前SDR單邊傳輸,以double date rate的速率優(yōu)勢(shì),極大提高了帶寬,逐...
用C語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)一個(gè)全連接層和激活函數(shù)ReLU
全連接層是將輸入向量X乘以權(quán)重矩陣W,然后加上偏置B的過(guò)程。下面轉(zhuǎn)載第二篇的圖,能按照這個(gè)圖計(jì)算就可以了。
探針卡(Probe card)或許很多人沒(méi)有聽(tīng)過(guò),但看過(guò)關(guān)于,也就是晶圓測(cè)試方面文章的人應(yīng)該不會(huì)陌生,其中就有提到過(guò)探針卡。
單片機(jī)解密為什么是撬開(kāi)芯片國(guó)產(chǎn)化的第一步呢
芯片國(guó)產(chǎn)化是中國(guó)在信息安全自主可控政策領(lǐng)域的實(shí)踐領(lǐng)域之一,作為信息技術(shù)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè),半導(dǎo)體集成電路持續(xù)得到國(guó)家政策的扶持。
先進(jìn)制程工藝進(jìn)度緩慢的情況下,多芯片整合封裝成了半導(dǎo)體行業(yè)的大趨勢(shì),各家不斷玩出新花樣。
DRAM和NAND的局限性 未來(lái)如何使用量子計(jì)算
“憑借先進(jìn)的封裝技術(shù),一些公司已經(jīng)在 CPU 上堆疊 SRAM,”Lee 說(shuō)。“但是在 3 級(jí)之后,我們可以有 4 級(jí),一個(gè)額外的緩存層嗎?根據(jù)工作負(fù)載...
對(duì)于DRAM,其主要由行和列組成,每一個(gè)bit中都是由類(lèi)似右下圖的類(lèi)晶體管的結(jié)構(gòu)組成,對(duì)于sdram的數(shù)據(jù),可以通過(guò)控制column和row就可以訪問(wèn)s...
對(duì)于DRAM,其主要由行和列組成,每一個(gè)bit中都是由類(lèi)似右下圖的類(lèi)晶體管的結(jié)構(gòu)組成,對(duì)于sdram的數(shù)據(jù),可以通過(guò)控制column和row就可以訪問(wèn)s...
在筆者看來(lái),市場(chǎng)對(duì)新興存儲(chǔ)器并不友善,盡管人們?nèi)匀幌M鎯?nèi)計(jì)算(copute in memory)能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲(chǔ)器。
淺析動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM集成工藝
在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器集成工藝(DRAM)詳解
在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器...
追求更小的 DRAM 單元尺寸(cell size)仍然很活躍并且正在進(jìn)行中。對(duì)于 D12 節(jié)點(diǎn),DRAM 單元尺寸預(yù)計(jì)接近 0.0013 um2。無(wú)...
隨著芯片制造商尋找維持驅(qū)動(dòng)電流的新方法,鐵電體(Ferroelectric)重新獲得關(guān)注。
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