臺(tái)積電搶跑7nm制程 EUV準(zhǔn)備好了嗎？

先進(jìn)制程顯然對(duì)吸引高利潤(rùn)率業(yè)務(wù)極為關(guān)鍵，各家企業(yè)早在各個(gè)節(jié)點(diǎn)上展開(kāi)時(shí)間競(jìng)賽。如今，先進(jìn)制程的戰(zhàn)役已在10納米開(kāi)鑼?zhuān)^臺(tái)積電與聯(lián)發(fā)科共同推出10納米產(chǎn)品H...

2017-01-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電EUV7nm制程 1142 0

7nm制程硝煙四起 臺(tái)積電/三星要超越英特爾？

在一場(chǎng)將于12月舉行的技術(shù)研討會(huì)上，晶圓代工大廠臺(tái)積電（TSMC）將與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Globalfoundries、三星（Samsung）結(jié)成的伙伴聯(lián)盟，公開(kāi)...

2016-10-25 標(biāo)簽：芯片制造EUV7nm制程 1235 0

電子芯聞早報(bào)：三星焦頭爛額仍砸錢(qián)買(mǎi)EUV 樂(lè)Pro3跑分被小米5s超越

今日芯聞早報(bào)：三星焦頭爛額仍砸錢(qián)買(mǎi)EUV追趕臺(tái)積電；和輝光電宣布建六代AMOLED廠；iPhone 7風(fēng)潮可望拉抬半導(dǎo)體封測(cè)業(yè)績(jī)表現(xiàn)；Apple Wat...

2016-09-22 標(biāo)簽：EUV小米vr小米5s 2371 0

三星攜EUV微影技術(shù)7nm工藝加入半導(dǎo)體制程大戰(zhàn)

在這場(chǎng)最先進(jìn)工藝產(chǎn)能的競(jìng)爭(zhēng)中，隨著三星和Intel的加入，無(wú)論是哪一家獲得蘋(píng)果或高通的芯片訂單，沒(méi)有獲得這兩家大客戶訂單的半導(dǎo)體代工廠都會(huì)爭(zhēng)取大陸的芯片...

2016-09-02 標(biāo)簽：三星電子10nmEUV 1145 0

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán)：EUV光刻最新進(jìn)展如何

現(xiàn)在16/14nm節(jié)點(diǎn)時(shí)通常采用兩次圖形曝光技術(shù)，如果EUV成功量產(chǎn)，可以避免在10nm及以下時(shí)要采用三次或者四次圖形曝光技術(shù)，成本上可大幅的節(jié)省。

2016-08-02 標(biāo)簽：英特爾EUV 1215 0

后摩爾定律時(shí)代，半導(dǎo)體技術(shù)將走向何方?

不能否認(rèn)的是，摩爾定律正在逐漸走向極限。業(yè)界對(duì)于未來(lái)技術(shù)如何發(fā)展，早已有了“More Moore”（繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律）和“More than Moore...

2016-06-02 標(biāo)簽：摩爾定律IMECEUV 1273 0

2016年EUV降臨 半導(dǎo)體格局生變

在9月份召開(kāi)的“SEMICON Taiwan 2014”展覽會(huì)上，ASML公司的臺(tái)灣地區(qū)銷(xiāo)售經(jīng)理鄭國(guó)偉透露，第3代極紫外光（EUV）設(shè)備已出貨6臺(tái)。

2014-10-11 標(biāo)簽：臺(tái)積電FinFETEUV 1938 5

EUV遭受新挫折 半導(dǎo)體10nm工藝步履維艱

期EUV光刻機(jī)出現(xiàn)一系列的問(wèn)題被曝光。有些專(zhuān)家認(rèn)為在TSMC現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的光源故障對(duì)于EUV的實(shí)用性，尤其是對(duì)于未來(lái)的量產(chǎn)型EUV光刻機(jī)客戶會(huì)產(chǎn)生疑惑，可能...

2014-02-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺(tái)積電EUV 1987 0

芯片突破摩爾定律？英特爾說(shuō)EUV光刻技術(shù)可做到

據(jù)美國(guó)科技博客BusinessInsider報(bào)道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅(jiān)定不移地延續(xù)著...

2013-11-01 標(biāo)簽：芯片英特爾摩爾定律 1972 0

ASML：預(yù)計(jì)2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型EUV機(jī)臺(tái)

設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾（ASML）已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）和重量級(jí)晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產(chǎn)出速度，預(yù)計(jì)2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型...

2013-08-19 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電IP 1952 0

14納米工藝節(jié)點(diǎn)會(huì)給設(shè)計(jì)帶來(lái)哪些挑戰(zhàn)？

據(jù)國(guó)際物理系統(tǒng)研討會(huì)（ISPD）上專(zhuān)家表示：實(shí)現(xiàn)14納米芯片生產(chǎn)可能會(huì)比原先想象的更困難；14納米節(jié)點(diǎn)給設(shè)計(jì)師帶來(lái)了許多挑戰(zhàn)。這些困難和挑戰(zhàn)何在？詳見(jiàn)本文...

2013-04-08 標(biāo)簽：3DFinFETEUV 3810 0

浸潤(rùn)式微影技術(shù)強(qiáng)勢(shì)晉級(jí)，EUV技術(shù)可有出頭日？

浸潤(rùn)式微影技術(shù)、多重圖形以及高折射率液體，將讓193納米微影設(shè)備走到國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖（ITRS）目前的終點(diǎn)：8納米。屆時(shí)，EUV技術(shù)可有出頭日？

2012-12-26 標(biāo)簽：英特爾德州儀器EUV 6017 0

深入探究20 nm技術(shù)的發(fā)展前景和挑戰(zhàn)

20nm節(jié)點(diǎn)在是否應(yīng)該等待即將投產(chǎn)的EUV光刻法以及是否需要finFET晶體管上引起頗大爭(zhēng)議。本文深入探究20 nm技術(shù)的發(fā)展前景和挑戰(zhàn)，為大家解惑。

2012-12-14 標(biāo)簽：三星電子TSMCEUV 3477 0

摩爾定律在14nm節(jié)點(diǎn)上迎來(lái)大挑戰(zhàn)

在2012年度的國(guó)際電子元件大會(huì)上，有專(zhuān)家指出，半導(dǎo)體制程在14nm的節(jié)點(diǎn)上會(huì)迎來(lái)大挑戰(zhàn)，而不符合偶爾定律的要求。

2012-12-13 標(biāo)簽：摩爾定律EUV 1205 0

ASML聲稱(chēng)：EUV設(shè)備最快會(huì)在2016年推出

電子發(fā)燒友網(wǎng)訊： 光刻設(shè)備廠商ASML Holding NV的CEO Eric Meurice 宣稱(chēng)該公司已經(jīng)投入到下一代元紫外線光刻技術(shù)（EUV）設(shè)備...

2012-07-19 標(biāo)簽：EUVASML 1479 0

英特爾10nm設(shè)計(jì)規(guī)則初定，EUV技術(shù)恐錯(cuò)過(guò)良機(jī)

盡管英特爾在距今4年前便已開(kāi)始計(jì)劃10nm節(jié)點(diǎn)，但該公司目前正在敲定相關(guān)的制程設(shè)計(jì)規(guī)則，而EUV則遲遲未能參與此一盛晏?！癊UV趕不及參與10nm節(jié)點(diǎn)設(shè)...

2011-03-08 標(biāo)簽：英特爾10nmEUV 1214 0