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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。

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finfet技術(shù)

FinFET到底是什么呢？

提到FET，學(xué)電子的人都比較熟悉，F(xiàn)ET就是Field-Effect Transistor，場效應(yīng)管。

2023-07-12 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)管 FET 4149 0

半導(dǎo)體前端工藝：金屬布線—為半導(dǎo)體注入生命的連接

生成接觸孔后，下一步就是連接導(dǎo)線。在半導(dǎo)體制程中，連接導(dǎo)線的過程與一般電線的生產(chǎn)過程非常相似，即先制作線的外皮。在一般的電路連接中，直接采用成品電線即可...

2023-07-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 TSMC 晶體管 3802 0

什么是FinFET？鰭式場效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？

推動半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢之一是采用FinFET工藝。工程師介紹，另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵（GAA）晶體管。這提供了柵極和溝...

2023-07-07 標(biāo)簽：場效應(yīng)管晶體管 FinFET 9961 0

合成是否仍然獨(dú)立于工藝

物理合成的好處是改進(jìn)了基于合成中實(shí)際物理信息的時序相關(guān)性，包括粗略放置和平面圖。合成中的這種附加信息可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的時序估計(jì)，使優(yōu)化引擎能夠?qū)Ｗ⒂谡_的路徑...

2023-05-25 標(biāo)簽：布線編譯器 FinFET 592 0

3nm及以下的5D提取需求

有據(jù)可查的是，與平面晶體管相比，從16nm/14nm開始的FinFET技術(shù)大大增加了必須提取的寄生值的數(shù)量。這些類似3D架構(gòu)的鰭片會產(chǎn)生許多電容值，必須...

2023-05-25 標(biāo)簽：電容晶圓 FinFET 645 0

金屬布線的工藝為半導(dǎo)體注入生命的連接

經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；

2023-04-28 標(biāo)簽：DRAM 晶圓晶體管 1275 0

芯片工程師，是時候了解GAA晶體管了

雖然只有12年的歷史，但finFET已經(jīng)走到了盡頭。從3nm開始，它們將被環(huán)柵 (GAA)取代，預(yù)計(jì)這將對芯片的設(shè)計(jì)方式產(chǎn)生重大影響。

2023-04-18 標(biāo)簽：芯片晶體管納米 2224 0

單晶硅刻蝕工藝流程

FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。

2023-03-30 標(biāo)簽：CMOS DRAM AFM 4886 0

EDA探索之MOSFET的微縮-nanosheet era

主要的障礙在于n型和p型器件之間需要很大的空間余量，這使得有效納米片寬度在按比例的單元高度中變得困難，空間被功函數(shù)金屬的圖形化步驟所消耗。

2023-03-24 標(biāo)簽：CMOS MOSFET eda 716 0

低功耗貫穿芯片設(shè)計(jì)全流程

低功耗一直是便攜式電子設(shè)備的關(guān)鍵要求，但近年來，在人工智能、5G、大數(shù)據(jù)中心、汽車等應(yīng)用快速發(fā)展的推動下，對低功耗的需求已經(jīng)擴(kuò)散到更多的終端產(chǎn)品中。

2023-02-14 標(biāo)簽：soc 散熱器 RTL 1579 0

鰭式場效應(yīng)晶體管工藝流程（FinFET）

首先沉積鰭軸( Mandrel)和硬掩模層，掩模圖形化鰭軸并刻蝕，形成第一側(cè)墻；

2023-01-31 標(biāo)簽：晶體管場效應(yīng)晶體管 FinFET 4301 0

使用虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)預(yù)測先進(jìn)FinFET技術(shù)的工藝窗口和器件性能

負(fù)載效應(yīng) (loading) 的控制對良率和器件性能有重大影響，并且它會隨著 FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）器件工藝的持續(xù)微縮變得越來越重要[1-2]...

2023-01-06 標(biāo)簽：晶體管 FinFET 負(fù)載效應(yīng) 1592 0

FinFET 發(fā)展的演變

技術(shù)路線圖始終是雙向的，一半來自技術(shù)方面的進(jìn)步，另一半來自市場的需求。

2022-08-10 標(biāo)簽：MOSFET 3D 晶圓 3175 0

適用于1nm邏輯技術(shù)節(jié)點(diǎn)器件架構(gòu)解析

由于從平面 FET 過渡到 FinFET，晶體管尺寸減小了，而性能卻提高了。這種轉(zhuǎn)變是必要的，因?yàn)槠矫?FET 的性能在柵極長度減小時開始下降。FinF...

2022-07-21 標(biāo)簽：晶體管 FinFET 1741 0

5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預(yù)測下一代半導(dǎo)體的性能

雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現(xiàn)更高...

2022-05-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電路仿真 FinFET 8087 0

未來半導(dǎo)體制造需要怎樣的EDA工具機(jī)器學(xué)習(xí)為EDA帶來什么改變

在20／22nm引入FinFET以后，先進(jìn)工藝變得越來越復(fù)雜。在接下來的發(fā)展中，實(shí)現(xiàn)“每兩年將晶體管數(shù)量增加一倍，性能也提升一倍”變得越來越困難。摩爾定...

2021-02-06 標(biāo)簽：晶圓 eda FinFET 4099 0

淺談半導(dǎo)體晶體管間距的縮放面積及連續(xù)節(jié)點(diǎn)的有效密度

翻譯自——newelectronics 摩爾定律已經(jīng)不能用了嗎？其實(shí)這取決于哪一方面。斯坦福大學(xué)電氣工程教授Philip Wong與來自麻省理工學(xué)院、...

2021-01-25 標(biāo)簽：CMOS 電路設(shè)計(jì)eda 3679 0

FinFET的效用已趨于極限淺談晶體管縮放的難題

作者：泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前...

2021-01-25 標(biāo)簽：晶體管 FinFET 柵極晶體管 3505 0

數(shù)字電路處理中仿照技術(shù)正在漸漸沒落

在這樣一個對數(shù)字電路處理有利的世界中，仿照技術(shù)更多地用來處理對它們晦氣的進(jìn)程。但這個現(xiàn)象或許正在改動。

2020-04-06 標(biāo)簽：傳感器數(shù)字電路 FinFET 1461 0

FinFET與平面MOSFET有什么不同

Nandra補(bǔ)充說，“FinFET固有增益很高，但是跨導(dǎo)（gm）實(shí)際上很低，和頻率（ft）一樣。更先進(jìn)的幾何布局比平面器件更容易實(shí)現(xiàn)匹配，能夠很好的控制...

2019-09-25 標(biāo)簽：SoC系統(tǒng)FinFET 1.4萬 0

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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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