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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管,是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。

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finfet資訊

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2023-07-25 標(biāo)簽:MOSFETFETFinFET 978 0

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三星解釋說,mbcfet提供了比finfet更好的設(shè)計靈活性:在傳統(tǒng)的finfet結(jié)構(gòu)中,無法調(diào)整包裹柵極的別針高度。由于mbcfet將鰭橫向堆積,因此...

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臺積電向?qū)W界開放16nm FinFET技術(shù)

臺積電宣布推出大學(xué)FinFET專案,目的在于培育未來半導(dǎo)體芯片設(shè)計人才并推動全球?qū)W術(shù)創(chuàng)新。

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基于3nm支持的A17處理器值得期待嗎

與5nm制程工藝相比,3nm制程的邏輯密度將提升約70%,同等功耗下速度提升10-15%,或同等速度下功耗降低25-30% 。

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最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù),例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉(zhuǎn)移到具有 3 個柵極圍繞薄溝道的 FinFET,從而實現(xiàn)更短的 Lg。F...

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鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)是立體多柵器件的一種,其主要特征是由魚鰭形(Fin)的薄層硅構(gòu)成折疊的導(dǎo)電通道,并由雙面或三面折疊包圍的柵極控制。

2022-09-09 標(biāo)簽:集成電路場效應(yīng)晶體管FinFET 3410 1

3納米量產(chǎn)在即 如何實現(xiàn)2納米芯片?

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全包圍柵極結(jié)構(gòu)將取代FinFET

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2022-05-23 標(biāo)簽:芯片FinFET靜電防護(hù) 6845 0

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2022-05-05 標(biāo)簽:晶體管FinFET泛林集團(tuán) 2052 0

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    提供最新的羅姆公司產(chǎn)品,最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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