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標(biāo)簽 > finfet
FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管,是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
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iPhone15或使用臺積電3nm芯片,A17性能大幅度提升?
iPhone15或使用臺積電3nm芯片,A17性能大幅度提升?? iPhone 15是今年最受期待的設(shè)備之一,一如既往,用戶對此次新發(fā)布抱有很高的期望。...
華為公開“集成電路及其制作方法、場效應(yīng)晶體管”專利
根據(jù)專利摘要,本申請?zhí)峁┘呻娐芳夹g(shù)領(lǐng)域,場效應(yīng)晶體管,可以簡化集成電路的制造過程,降低生產(chǎn)費用。集成電路由設(shè)置在基板和基板上的finfet組成。gaa...
2023-08-23 標(biāo)簽:集成電路場效應(yīng)晶體管FinFET 1631 0
驍龍820和天璣1100哪個好 在現(xiàn)今智能手機(jī)市場中,處理器成為了手機(jī)消費者選擇一部手機(jī)時重要的參數(shù)之一。處理器不僅能夠影響手機(jī)的性能還直接關(guān)系到手機(jī)的...
2023-08-17 標(biāo)簽:處理器半導(dǎo)體技術(shù)FinFET 4192 0
g80和驍龍675哪個好 在如今的智能手機(jī)市場中,用戶對處理器的性能要求越來越高。隨著各大品牌的不斷推出新款手機(jī),其中的處理器性能也在不斷提高?,F(xiàn)在,高...
更小的工藝節(jié)點,加上不斷尋求在設(shè)計中添加更多功能,迫使芯片制造商和系統(tǒng)公司選擇哪些設(shè)計和制造團(tuán)隊能夠獲得不斷縮小的技術(shù)利潤。
Silicon Box計劃建設(shè)chiplet半導(dǎo)體代工廠
Silicon Box察覺到當(dāng)前市場缺乏chiplet的先進(jìn)封裝能力,因此決定填補這個空白。其生產(chǎn)模式僅專注于chiplet,這是以前從未見過的。
三星向外界公布 GAA MBCFET 技術(shù)最新進(jìn)展
三星解釋說,mbcfet提供了比finfet更好的設(shè)計靈活性:在傳統(tǒng)的finfet結(jié)構(gòu)中,無法調(diào)整包裹柵極的別針高度。由于mbcfet將鰭橫向堆積,因此...
臺積電向?qū)W界開放16nm FinFET技術(shù)
臺積電宣布推出大學(xué)FinFET專案,目的在于培育未來半導(dǎo)體芯片設(shè)計人才并推動全球?qū)W術(shù)創(chuàng)新。
EDA三大巨頭拿下中國90%市場份額 國產(chǎn)EDA軟件廠商有新的突破
EDA領(lǐng)域,美國三大巨頭Synopsys、Cadence,Siemens EDA(位于美國,被西門子收購)拿下了全球約80%的份額。而在中國市場,這3大...
淺談半導(dǎo)體裝備市場產(chǎn)能驅(qū)動和技術(shù)驅(qū)動
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,未來數(shù)年中裝備市場的宏觀增長速度會大概率繼續(xù)跑贏整體的器件市場。
2023-03-22 標(biāo)簽:臺積電半導(dǎo)體器件FinFET 748 0
與5nm制程工藝相比,3nm制程的邏輯密度將提升約70%,同等功耗下速度提升10-15%,或同等速度下功耗降低25-30% 。
最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù),例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉(zhuǎn)移到具有 3 個柵極圍繞薄溝道的 FinFET,從而實現(xiàn)更短的 Lg。F...
據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱,臺積電的每片晶圓銷售價格從亞10nm工藝節(jié)點開始呈指數(shù)級增長,其中3nm的晶圓價格高達(dá)20,000美元。
鰭式場效應(yīng)晶體管FinFET提高芯片的驅(qū)動能力
鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)是立體多柵器件的一種,其主要特征是由魚鰭形(Fin)的薄層硅構(gòu)成折疊的導(dǎo)電通道,并由雙面或三面折疊包圍的柵極控制。
2022-09-09 標(biāo)簽:集成電路場效應(yīng)晶體管FinFET 3410 1
3納米量產(chǎn)在即 如何實現(xiàn)2納米芯片?
據(jù)悉,臺積電在本次技術(shù)論壇上主要透露以下三點信息:一是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正發(fā)生三大改變;二是低端芯片短缺成為供應(yīng)鏈瓶頸;三是3納米量產(chǎn)在即,2納米2025年量產(chǎn)。
FinFET在22nm節(jié)點的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比,與柵極三面接觸的“鰭”所形成...
芯片級別靜電防護(hù)設(shè)計的挑戰(zhàn)及應(yīng)對策略
近年,隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的持續(xù)發(fā)展,大量手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、高性能計算等領(lǐng)域所應(yīng)用的專業(yè)芯片陸續(xù)采用FinFET先進(jìn)工藝來實現(xiàn),以滿足高性能設(shè)計需求...
雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點上,兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高...
2022-05-05 標(biāo)簽:晶體管FinFET泛林集團(tuán) 2052 0
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