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FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲器。
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富士通鐵電白皮書,選擇鐵電存儲的4點理由以及技術(shù)原理分析
鐵電存儲器(FRAM)產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結(jié)合在一起。
鐵電存儲器(Ferroelectric RAM, FRAM)作為一種新興的非易失性存儲器技術(shù),憑借其獨特的優(yōu)勢在存儲市場中占據(jù)了一席之地。然而,與任何技...
鐵電存儲器(Ferroelectric RAM, FRAM)是一種結(jié)合了RAM的快速讀寫能力和非易失性存儲特性的存儲技術(shù)。其結(jié)構(gòu)特點主要體現(xiàn)在其獨特的材...
臺積電引領(lǐng)新興存儲技術(shù)潮流,功耗僅為同類技術(shù)的1%
MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié),研發(fā)難度高,目前主要分為兩大類:傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM,前者以磁場驅(qū)動,后者則采用自旋極化電流驅(qū)動。
MRAM(磁性只讀存儲器)和FRAM(鐵電RAM)有何區(qū)別
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)(1T-1MTJ)體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 標(biāo)簽:電容器存儲器數(shù)據(jù)存儲 1761 0
什么是FRAM?關(guān)于鐵電存儲器FRAM的特性介紹
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是:“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
內(nèi)存被視為一種必要的技術(shù),然而工廠自動化、自動駕駛汽車、便攜式醫(yī)療設(shè)備、邊緣計算和物聯(lián)網(wǎng)傳感器等新應(yīng)用正在迫使性能要求發(fā)生變化。因此用于評估和選擇特定應(yīng)...
鐵電存儲器PB85RS2MC在汽車安全氣囊系統(tǒng)中的應(yīng)用
目前汽車安全氣囊系統(tǒng)引入了兩項主要的創(chuàng)新技術(shù):第一,安全氣囊系統(tǒng)增加了“智能性”,新系統(tǒng)是根據(jù)事故和乘客的具體參數(shù)來決定氣囊的展開力度,這些參數(shù)可能包括...
鐵電存儲器PB85RS2MC在生物樣品分選儀中的應(yīng)用
生物樣品分選儀是應(yīng)用于實驗室或醫(yī)療機(jī)構(gòu)的一種智能型分選工具,此生物樣品分選儀器具有多規(guī)程的特點,可以由外接計算機(jī)在專用軟件中創(chuàng)建、修改或刪除規(guī)程,再通過...
監(jiān)測數(shù)據(jù)是煤礦安全監(jiān)控系統(tǒng)的源頭,監(jiān)測數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性及完整性是煤礦安全生產(chǎn)的關(guān)鍵所在。然而現(xiàn)有監(jiān)控分站數(shù)據(jù)存儲容量有限,且多數(shù)不具備記憶功能,一旦通訊線路...
2023-06-29 標(biāo)簽:存儲器存儲技術(shù)監(jiān)控系統(tǒng) 520 0
鐵電存儲器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用
鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性,讀寫速度快,沒有寫等待時間等優(yōu)勢,能夠像RAM一樣操作,低功耗,擦寫使用壽命長,芯片的擦寫次數(shù)為100萬次,比一般的...
鐵電存儲器PB85RS2MC在POS機(jī)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的應(yīng)用
我們經(jīng)常能在零售或批發(fā)的商品流通中看到PSO機(jī)的身影,如大型超市、綜合商場、零售店等等。在生產(chǎn)消費過程,商品過程越發(fā)數(shù)據(jù)信息化,而POS機(jī)可以很好進(jìn)行數(shù)...
2023-06-20 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)采集POS機(jī)fram 573 0
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