一文解析鐵電存儲(chǔ)器使用及工作原理

FRAM存儲(chǔ)器操作經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)，以使在開(kāi)關(guān)電容器中感應(yīng)出的電荷至少是未開(kāi)關(guān)電容器可用電荷的兩倍。

2021-01-21 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器fram 2.2萬(wàn) 0

鐵電存儲(chǔ)器在多MCU系統(tǒng)中應(yīng)用(附fm24c16的作用FM24C16引腳圖及工作程序)

1、鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)原理、特性及應(yīng)用 美國(guó)Ramtron公司鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體...

2021-01-13 標(biāo)簽：單片機(jī)mcu存儲(chǔ)器 1.7萬(wàn) 0

通過(guò)利用 BQ25570 PMIC啟動(dòng)能量采集

物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)必須在不更換一次電池的情況下運(yùn)行數(shù)年才能最大程度地減少維護(hù)工作。對(duì)于某些類(lèi)型的系統(tǒng)，節(jié)點(diǎn)只需要很少的電池電量，而依賴(lài)于能量采集器來(lái)滿足長(zhǎng)期電力...

2018-08-10 標(biāo)簽：sramframBQ25570 1.4萬(wàn) 0

集合了ROM和RAM優(yōu)點(diǎn)的FRAM存儲(chǔ)器，根據(jù)接口不同又有哪些特點(diǎn)呢？

FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫(xiě)入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢？

2017-09-04 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器fram 1.1萬(wàn) 0

獨(dú)立FRAM存儲(chǔ)器方案設(shè)計(jì),特點(diǎn)有哪些？

FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫(xiě)入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設(shè)的FRA...

2017-09-17 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器fram 9931 0

鐵電存儲(chǔ)器和flash的區(qū)別 FRAM工作原理解析

鐵電存儲(chǔ)器通常具有更快的隨機(jī)存取時(shí)間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫(xiě)入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲(chǔ)器相比較為遲鈍。

2024-01-23 標(biāo)簽：FlaSh存儲(chǔ)器fram 7996 0

為什么說(shuō)FRAM是支持EV的主要系統(tǒng)存儲(chǔ)的關(guān)鍵原件？

自動(dòng)駕駛的核心技術(shù)與高性能存儲(chǔ)器要求，車(chē)載電子的所有子系統(tǒng)（傳感器，攝像機(jī)，CAN通信，GPS，車(chē)載HMI）實(shí)時(shí)和持續(xù)地存儲(chǔ)當(dāng)前狀態(tài)信息進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控，記...

2017-09-16 標(biāo)簽：汽車(chē)電子存儲(chǔ)器fram 7589 0

FRAM的工作原理，為什么要使用FRAM？

MSP- FET430U40A工具套件包包括一個(gè)閃存仿真器和編程器，具有諷刺意味的是，它不需要與雙板載 MSP430FR5739 MCU 一起使用。

2022-08-12 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器fram 5545 0

什么是FRAM？關(guān)于鐵電存儲(chǔ)器FRAM的特性介紹

FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是：“非易失性”、“高讀寫(xiě)耐久性”、“寫(xiě)入速度快”和“低功耗”。

2023-12-15 標(biāo)簽：閃存EEPROMfram 3748 0