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標(biāo)簽 > gaa
半導(dǎo)體工藝制程在進(jìn)入32nm以下的節(jié)點(diǎn)后,每一步都?xì)v盡艱辛,傳統(tǒng)的工藝技術(shù)已經(jīng)無(wú)法滿足7nm以下的制程了。好在FinFET之后,又帶來了全新的GAA工藝;而5nm之后的時(shí)代,全新GAA技術(shù)有望延續(xù)現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)路線的壽命。
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GAA,一般指全環(huán)繞柵極晶體管(Gate-All-Around FET)。GAA被廣泛認(rèn)為是鰭式結(jié)構(gòu)(FinFET)的下一代接任者。下面簡(jiǎn)單介紹一下GA...
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性,三維(3D)設(shè)計(jì)(如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET ))預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕...
雖然只有12年的歷史,但finFET已經(jīng)走到了盡頭。從3nm開始,它們將被環(huán)柵 (GAA)取代,預(yù)計(jì)這將對(duì)芯片的設(shè)計(jì)方式產(chǎn)生重大影響。
泛林集團(tuán)的選擇性刻蝕方法:Argos、Prevos和Selis
微縮(即縮小芯片中的微小器件,如晶體管和存儲(chǔ)單元)從來都不是容易的事情,但要想讓下一代先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器件成為現(xiàn)實(shí),就需要在原子級(jí)的尺度上創(chuàng)造新的結(jié)構(gòu)。當(dāng)...
2023-01-31 標(biāo)簽:集成電路存儲(chǔ)器泛林集團(tuán) 904 0
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