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      gaa

      gaa

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      半導(dǎo)體工藝制程在進(jìn)入32nm以下的節(jié)點(diǎn)后，每一步都?xì)v盡艱辛，傳統(tǒng)的工藝技術(shù)已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足7nm以下的制程了。好在FinFET之后，又帶來(lái)了全新的GAA工藝；而5nm之后的時(shí)代，全新GAA技術(shù)有望延續(xù)現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)路線(xiàn)的壽命。

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      gaa資訊

      TSMC A14 第二代 GAA 工藝解讀

      TSMC A14 第二代 GAA 工藝解讀

      在半導(dǎo)體行業(yè)，每一次制程工藝的突破都如同一場(chǎng)科技革命，它不僅重新定義了芯片性能的邊界，更為電子設(shè)備的智能化、高效能運(yùn)算等領(lǐng)域注入了強(qiáng)大的活力。而就在近期...

      2025-04-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體TSMCGAA 624 0

      三星芯片代工新掌門(mén)：先進(jìn)與成熟制程并重

      據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子設(shè)備解決方案部新任foundry業(yè)務(wù)總裁兼總經(jīng)理韓真晚(Han Jinman)，在近期致員工的內(nèi)部信中明確提出了三星代工部門(mén)的發(fā)展策...

      2024-12-10 標(biāo)簽：芯片制程GAA 749 0

      2nm突圍，背面供電技術(shù)的首個(gè)戰(zhàn)場(chǎng)

      2nm突圍，背面供電技術(shù)的首個(gè)戰(zhàn)場(chǎng)

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）對(duì)于任何試圖將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)至埃米級(jí)的晶圓廠(chǎng)而言，GAA和背面供電似乎都成了逃不開(kāi)的兩大技術(shù)。GAA和背面供電在滿(mǎn)足芯片性...

      2024-06-14 標(biāo)簽：供電技術(shù)2nmGAA 4363 0

      美國(guó)擬對(duì)中國(guó)實(shí)施尖端AI芯片技術(shù)出口限制

      6月12日，國(guó)際科技界和商界再次因一則新聞而震動(dòng)。據(jù)國(guó)外權(quán)威媒體報(bào)道，美國(guó)政府正在考慮對(duì)中國(guó)實(shí)施新的出口限制措施，這一措施直指當(dāng)前人工智能（AI）領(lǐng)域的...

      2024-06-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體AI人工智能 1130 0

      美國(guó)或?qū)⑦M(jìn)一步收緊技術(shù)對(duì)華出口

      據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解，美國(guó)政府正考慮深化對(duì)華出口管制措施，旨在阻礙中國(guó)獲取先進(jìn)的全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAA）技術(shù)及高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)...

      2024-06-12 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管HBMGAA 467 0

      三星電子開(kāi)始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統(tǒng)

      據(jù)外媒報(bào)道，三星電子已開(kāi)始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around（GAA）工藝的片上系統(tǒng)（SoC），預(yù)計(jì)該芯片預(yù)計(jì)將用于Galaxy S25系列。

      2024-05-08 標(biāo)簽：三星電子SoC芯片EDA軟件 950 0

      Q1半導(dǎo)體設(shè)備廠(chǎng)商財(cái)報(bào)，GAA和HBM成為最大增長(zhǎng)點(diǎn)

      Q1半導(dǎo)體設(shè)備廠(chǎng)商財(cái)報(bào)，GAA和HBM成為最大增長(zhǎng)點(diǎn)

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）作為整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的上游，半導(dǎo)體設(shè)備廠(chǎng)商的財(cái)報(bào)向來(lái)反映了芯片生產(chǎn)制造需求上所發(fā)生的變化。隨著半導(dǎo)體設(shè)備大廠(chǎng)們紛紛公布了今年...

      2024-05-02 標(biāo)簽：應(yīng)用材料ASML季度財(cái)報(bào) 4386 0

      三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”！

      近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。

      2024-03-06 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管三星半導(dǎo)體人工智能芯片 1531 0

      三星與Arm攜手，運(yùn)用GAA工藝技術(shù)提升下一代Cortex-X CPU性能

      三星繼續(xù)推進(jìn)工藝技術(shù)的進(jìn)步，近年來(lái)首次量產(chǎn)了基于2022年GAA技術(shù)的3nm MBCFET ? 。GAA技術(shù)不僅能夠大幅減小設(shè)備尺寸，降低供電電壓，增強(qiáng)...

      2024-02-22 標(biāo)簽：AI芯片GAA三星 1000 0

      Arm和三星電子將合作開(kāi)發(fā)2nm制程

      Arm和三星電子將合作開(kāi)發(fā)2nm制程

      與Arm擴(kuò)大合作是否會(huì)對(duì)三星電子的代工業(yè)務(wù)帶來(lái)提振，備受關(guān)注。

      2024-02-21 標(biāo)簽：arm三星電子晶圓 1424 0

      三星 1.4 納米工藝細(xì)節(jié)浮出水面

      三星 1.4 納米工藝細(xì)節(jié)浮出水面

      增加每個(gè)晶體管的納米片數(shù)量可以增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流，從而提高性能。更多的納米片允許更多的電流流過(guò)晶體管，從而增強(qiáng)其開(kāi)關(guān)能力和運(yùn)行速度。此外，更多的納米片可以更好...

      2023-11-24 標(biāo)簽：cpugpu晶體管 1014 0

      3D時(shí)代值得關(guān)注的趨勢(shì)

      3D時(shí)代值得關(guān)注的趨勢(shì)

      3D時(shí)代值得關(guān)注的趨勢(shì)

      2023-11-24 標(biāo)簽：DRAM晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 722 0

      三星為新客戶(hù)代工3nm服務(wù)器芯片：GAA結(jié)構(gòu)，SiP封裝

      三星為新客戶(hù)代工3nm服務(wù)器芯片：GAA結(jié)構(gòu)，SiP封裝

      半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司ad technology于10月10日宣布，與海外客戶(hù)簽訂了利用gaa（全環(huán)繞柵極）結(jié)構(gòu)的3nm基礎(chǔ)2.5d服務(wù)器芯片設(shè)計(jì)合同，并委托三...

      2023-10-17 標(biāo)簽：SiP服務(wù)器GAA 1274 0

      Intel foundry能否實(shí)現(xiàn)趕超？

      Intel foundry能否實(shí)現(xiàn)趕超？

      自2021年2月Pat Gelsinger重返Intel以來(lái)，他在技術(shù)實(shí)現(xiàn)和財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)方面一直許愿不斷，卻無(wú)法達(dá)成目標(biāo)。如果Gelsinger不盡快取得實(shí)...

      2023-10-12 標(biāo)簽：加速器晶體管GAA 1236 0

      應(yīng)用材料CEO：關(guān)注中國(guó)廠(chǎng)商發(fā)展，看好先進(jìn)制程機(jī)遇

      　加里表示：“半導(dǎo)體顧客的力量、性能、大小、費(fèi)用、上市時(shí)間等ppact為中心，展開(kāi)了激烈的競(jìng)爭(zhēng)，因此應(yīng)用材料擁有多種產(chǎn)品組合，gaa和背部供電，和新的一...

      2023-09-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體核心技術(shù)GAA 1012 0

      次時(shí)代EUV光刻已箭在弦上！

      次時(shí)代EUV光刻已箭在弦上！

      半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)通常是通過(guò)光刻設(shè)備的鏡頭來(lái)看待的，盡管高度挑戰(zhàn)性的技術(shù)問(wèn)題幾乎永無(wú)休止，但光刻設(shè)備仍繼續(xù)為未來(lái)的工藝節(jié)點(diǎn)提供更好的分辨率。

      2023-07-28 標(biāo)簽：PTFE半導(dǎo)體技術(shù)car 1762 0

      背面供電與DRAM、3D NAND三大技術(shù)介紹

      背面供電與DRAM、3D NAND三大技術(shù)介紹

      最近有許多正在全球范圍內(nèi)研究和開(kāi)發(fā)的技術(shù)，例如晶體管GAA（Gate All around）、背面供電以及3D IC。

      2023-07-26 標(biāo)簽：DRAM晶體管NAND閃存 4630 0

      三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開(kāi)始，首個(gè)客戶(hù)是中國(guó)礦機(jī)芯片公司

      三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開(kāi)始，首個(gè)客戶(hù)是中國(guó)礦機(jī)芯片公司

      三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開(kāi)始。

      2023-07-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子ASIC芯片 2578 0

      GAA器件結(jié)構(gòu)工藝和挑戰(zhàn)

      GAA器件結(jié)構(gòu)工藝和挑戰(zhàn)

      中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

      2023-06-13 標(biāo)簽：集成電路光刻技術(shù)GAA 1716 0

      全環(huán)繞柵極晶體管將如何改變半導(dǎo)體行業(yè)

      針對(duì)微芯片行業(yè)速度最快、最精密且最具能效的集成電路的爭(zhēng)奪戰(zhàn)在全球各大制造巨頭之間愈演愈烈，這正是芯片制造商為何要將全新的晶體管設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)集成到其最先進(jìn)的節(jié)...

      2022-12-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶體管 1446 0

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      • 電子發(fā)燒友網(wǎng)
        電子發(fā)燒友網(wǎng)
        +關(guān)注
        電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立， 是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
      • 無(wú)人駕駛
        無(wú)人駕駛
        +關(guān)注
        提供全球最前沿?zé)o人駕駛科技趨勢(shì)，中國(guó)無(wú)人駕駛開(kāi)發(fā)者社區(qū)
      • 1024
        1024
        +關(guān)注
      • 京瓷
        京瓷
        +關(guān)注
        京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬(wàn)日元。截至2006年3月31日為止的年度銷(xiāo)售額達(dá)到1，181，489百萬(wàn)日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
      • emmc
        emmc
        +關(guān)注
        eMMC （Embedded Multi Media Card）是MMC協(xié)會(huì)訂立、主要針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
      • 過(guò)壓保護(hù)電路
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        +關(guān)注
      • 6G
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        +關(guān)注
        6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無(wú)線(xiàn)與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱(chēng)為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展 。截至2019年11月，6G仍在開(kāi)發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
      • 華強(qiáng)pcb線(xiàn)路板打樣
        華強(qiáng)pcb線(xiàn)路板打樣
        +關(guān)注
      • 高頻電容
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        +關(guān)注
      • COB
        COB
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      • wifi6
        wifi6
        +關(guān)注
        WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶(hù)多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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        +關(guān)注
      • dcdc轉(zhuǎn)換器
        dcdc轉(zhuǎn)換器
        +關(guān)注
        DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類(lèi)：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
      • 檢測(cè)電路圖
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        +關(guān)注
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        Zynq-7000
        +關(guān)注
        　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠(chǎng)自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
      • CD4069
        CD4069
        +關(guān)注
      • 特斯拉線(xiàn)圈
        特斯拉線(xiàn)圈
        +關(guān)注
        特斯拉線(xiàn)圈又叫泰斯拉線(xiàn)圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
      • 過(guò)流保護(hù)電路
        過(guò)流保護(hù)電路
        +關(guān)注
        電路過(guò)電流過(guò)電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過(guò)大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車(chē)在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過(guò)電流和過(guò)電壓均進(jìn)行保護(hù)。
      • 過(guò)零檢測(cè)電路
        過(guò)零檢測(cè)電路
        +關(guān)注
        過(guò)零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過(guò)零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)?？勺鏖_(kāi)關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開(kāi)關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
      • VDD
        VDD
        +關(guān)注
        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
      • VHF
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        +關(guān)注
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        HarmonyOS最新信息分享，我們將為大家?guī)?lái)HarmonyOS是什么意思的深度解讀，HarmonyOS官網(wǎng)地址、HarmonyOS開(kāi)源相關(guān)技術(shù)解讀與設(shè)計(jì)應(yīng)用案例，HarmonyOS系統(tǒng)官網(wǎng)信息，華為harmonyOS最新資訊動(dòng)態(tài)分析等。
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        AIoT
        +關(guān)注
        AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過(guò)大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物數(shù)據(jù)化、萬(wàn)物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問(wèn)題。
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      • 74LS00
        74LS00
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        74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門(mén)電路，它滿(mǎn)足與非門(mén)的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門(mén)的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX
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