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瞻芯電子全新升級雙通道驅動芯片IVCR2504介紹

近日，瞻芯電子推出了一款全新升級的雙通道驅動芯片IVCR2504，它延續(xù)了經(jīng)典的IVCR240x系列芯片的高速、安全、緊湊的特點，并將拉灌電流峰值由4A...

2023-11-03 標簽：CMOS MOSFET 功率器件 1603 0

一文詳解PowiGaN、硅和SiC性能比較

基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關是PI恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產(chǎn)品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術...

2023-11-02 標簽：MOS管氮化鎵 GaN 1140 0

什么是氮化鎵(GaN)？GaN的優(yōu)勢和應用領域

GaN近期為何這么火？如果再有人這么問你，你可以這樣回答：因為我們離不開電源。

2023-11-02 標簽：半導體功率開關氮化鎵 6516 0

預匹配氮化鎵功放管參考應用電路

基于D1A32 GaN器件設計的功放，在1.3-1.8GHz內, 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。注: Pulse輸入,周期為1mS...

2023-11-02 標簽：雷達氮化鎵 GaN 676 0

如何通過PaddleHub快速實現(xiàn)計算機視覺任務

具體的說，就是讓機器去識別攝像機拍攝的圖片或視頻中的物體，檢測出物體所在的位置，并對目標物體進行跟蹤，從而理解并描述出圖片或視頻里的場景和故事，以此來模...

2023-10-30 標簽：攝像機機器視覺 GaN 759 0

氮化鎵（GaN）寬帶隙技術的電源應用設計

隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導體技術的時機已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的...

2023-10-25 標簽：寬帶氮化鎵 GaN 2004 0

垂直GaN功率器件徹底改變功率半導體

使用GaN（氮化鎵）的功率半導體作為節(jié)能/低碳社會的關鍵器件而受到關注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項新技術，解決了導致其全面推廣的問題。

2023-10-20 標簽：充電器晶圓氮化鎵 1743 0

激光芯片的封裝方式

激光器芯片根據(jù)材料體系有GaN基藍光系列、砷化鎵、磷化銦等組合起來的三元或者四元體系。每一種體系由于其最優(yōu)的外延基板不同，P、N面打金線方向不同，有正負...

2023-10-19 標簽：芯片激光器封裝 5053 0

激光器芯片及TO、C-mount、多晶粒封裝介紹

激光器芯片根據(jù)材料體系有GaN基藍光系列、砷化鎵、磷化銦等組合起來的三元或者四元體系。

2023-10-19 標簽：激光器芯片設計諧振器 6368 0

競爭籌碼幾何？GaN和SiC是共存還是替代呢？

如今，追求功率密度和效率是當今眾多行業(yè)創(chuàng)新的最大動力，包括數(shù)據(jù)中心、可再生能源、消費電子產(chǎn)品、電動汽車和自動駕駛汽車等。

2023-10-17 標簽：電動汽車 SiC GaN 432 0

開關管的驅動器及驅動電路設計

電源常用的開關器件有MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN，這幾種器件均為電壓驅動型器件，不同類型器件的驅動電路也不完全相同

2023-10-16 標簽：MOSFET 驅動器變換器 2028 0

氮化鎵功率芯片功率曲線分析氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點

不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實...

2023-10-16 標簽：電容器功率器件氮化鎵 1850 0

晶能光電：硅襯底GaN材料應用大有可為

硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領域已經(jīng)實現(xiàn)規(guī)模商用。基于硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術和低功率PA正在進行工程化...

2023-10-13 標簽：GaN 硅襯底晶能光電 964 0

氮化鎵能實現(xiàn)多強大的性能

氮化鎵（GaN）是電力電子行業(yè)的一個熱門話題，因為它可以實現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車（EV）車載充電器和電動汽車（EV）充電站等設計...

2023-10-13 標簽：芯片驅動器 FET 1019 0

基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性

氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現(xiàn)藍光發(fā)光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化...

2023-10-12 標簽：電感氮化鎵蝕刻 805 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設備顯示出以下優(yōu)點：

2023-10-09 標簽：晶體管 SiC 氮化鎵 5066 1

淺談GAN在汽車里面的應用案例

從全球來看，豪華電動汽車趨向于采用800V系統(tǒng)，核心優(yōu)勢是電流?。ㄣ~線少）、更低的傳導損耗和更快的充電速度。芝能認為2025年，中國的15萬在研產(chǎn)品都會...

2023-10-07 標簽：電動汽車汽車電子 GaN 559 0

基于GaN的晶體管尺寸和功率效率加倍

無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢。

2023-09-28 標簽：電機驅動晶體管 GaN 2252 0

如何集成 GaN 功率級以實現(xiàn)高效的電池供電 BLDC 電機推進系統(tǒng)

作者：Jens Wallmann 電池供電的應用，如協(xié)作機器人（cobot）、電動自行車、工業(yè)無人機和電動工具等，都需要體積小、重量輕、功能強大的電機...

2023-10-03 標簽：電機 BLDC GaN 1113 0

使用Buck芯片直接生成負壓的解決方案

在產(chǎn)品設計、電子電路應用中，會經(jīng)常使用到負電壓電源。

2023-09-27 標簽：BUCK 晶體管 GaN 1.4萬 0

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藍牙5是藍牙技術聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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