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Flyback反激變換器的三種工作模式和參數(shù)設(shè)計(jì)
過(guò)去幾年,由于USB Type-C PD充電協(xié)議的廣泛使用,加之GaN技術(shù)的普及,使得基于GaN的PD適配器具有更廣泛的兼容性和更便攜的形態(tài),小功率電源...
現(xiàn)代世界里,沒(méi)有人可以說(shuō)自己跟半導(dǎo)體沒(méi)有關(guān)系。半導(dǎo)體聽(tīng)起來(lái)既生硬又冷冰冰,但它不僅是科學(xué)園區(qū)里那幫工程師的事,你每天滑的手機(jī)、用的電腦、看的電視、聽(tīng)的音...
氮化鎵(GaN)的晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結(jié)構(gòu),它們分別為纖鋅礦(Wurtzite)、閃鋅礦(Zincblende)和巖鹽礦(Rocksalt)。通常的情況下...
氮化鎵GaN詳細(xì)對(duì)比分析 納微和英諾賽科氮化鎵GaN產(chǎn)品應(yīng)用
作者:馬坤 (郵箱:kuner0806@163.com) 隨著中國(guó)芯GaN產(chǎn)品上市,引起了大家的關(guān)注,PD產(chǎn)品更是多姿多彩;納微GaN產(chǎn)品和英諾賽科Ga...
用GAN生成音樂(lè)成功了!GANSynth是一種快速生成高保真音頻的新方法
GANSynth 生成音樂(lè)有多強(qiáng)呢?Jesse Engel 用一句話解釋:“我們證明了,我們可以比標(biāo)準(zhǔn)的 WaveNet 快 5 萬(wàn)倍地生成樂(lè)器音頻,并...
基于GaN的開(kāi)關(guān)器件驅(qū)動(dòng)是關(guān)鍵要素
輸入電壓兼容TTL電平,并且最大輸入電壓可以高達(dá)14V,而不考慮VDD軌電壓。同時(shí),在高側(cè)/低側(cè)的應(yīng)用中,低傳播延遲和軌到軌的時(shí)鐘傾斜對(duì)效率也是至關(guān)重要...
如何解決數(shù)據(jù)稀疏而對(duì)深度學(xué)習(xí)的影響問(wèn)題?詳細(xì)方法概述
深度學(xué)習(xí),有太多令人驚嘆的能力!從12年的圖像識(shí)別開(kāi)始,深度學(xué)習(xí)的一個(gè)個(gè)突破,讓人們一次又一次的刷新對(duì)它的認(rèn)知。然而,應(yīng)用深度學(xué)習(xí),一直有一個(gè)巨大的前提...
2018-08-12 標(biāo)簽:圖像識(shí)別GAN深度學(xué)習(xí) 2.0萬(wàn) 0
氮化鎵 (GaN) 技術(shù):屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝及最新進(jìn)展
本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) :其屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝以及最新進(jìn)展。這種更深入的探討有助于我們了解 :為什么 GaN 能夠在當(dāng)今這個(gè)技術(shù)驅(qū)...
我們?cè)贗mageNet數(shù)據(jù)集上進(jìn)行了大量的實(shí)驗(yàn),以驗(yàn)證所提出的self-attention機(jī)制和穩(wěn)定技術(shù)的有效性。SAGAN在圖像合成方面的表現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)...
本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) :其屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝以及最新進(jìn)展。這種更深入的探討有助于我們了解 :為什么 GaN 能夠在當(dāng)今這個(gè)技術(shù)驅(qū)...
5G行情下氮化鎵(GaN)還存在哪些缺點(diǎn)?是下一個(gè)風(fēng)口?
由于2 月13 日小米在新品發(fā)表會(huì)中,除了推出小米10 系列外,更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器,一時(shí)間原本GaN 在射頻領(lǐng)域熱燒的話題,快...
2020-04-14 標(biāo)簽:氮化鎵GaN功率半導(dǎo)體 1.7萬(wàn) 1
SITRI發(fā)布8英寸硅基GaN外延晶圓產(chǎn)品 解決了困擾硅基GaN材料應(yīng)用技術(shù)難題
該晶圓產(chǎn)品具備高晶體質(zhì)量、高材料均勻性、高耐壓與高可靠性等特點(diǎn),同時(shí)實(shí)現(xiàn)材料有效壽命超過(guò)1百萬(wàn)小時(shí),成功解決了困擾硅基GaN材料應(yīng)用的技術(shù)難題,適用于中...
Felix Ejeckam于2003年發(fā)明了金剛石上的GaN,以有效地從GaN晶體管中最熱的位置提取熱量。其基本理念是利用較冷的GaN放大器使系統(tǒng)更節(jié)能...
一種新的GAN(對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)生成)訓(xùn)練方法
一方面,如果判別網(wǎng)絡(luò)能力太差,胡亂分辨真假,甚至把真的誤認(rèn)為假的,假的誤認(rèn)為真的,那生成網(wǎng)絡(luò)就會(huì)很不穩(wěn)定,會(huì)努力學(xué)習(xí)讓生成的樣本更假——因?yàn)槿踔堑呐袆e網(wǎng)...
2018-05-15 標(biāo)簽:網(wǎng)絡(luò)GAN函數(shù) 1.5萬(wàn) 0
GaN還是反射頻電子戰(zhàn)(CREW)應(yīng)用的首選技術(shù),已有成千上萬(wàn)的放大器交付實(shí)際使用?,F(xiàn)在,該技術(shù)也被部署到機(jī)載電子戰(zhàn)領(lǐng)域,開(kāi)發(fā)中的放大器能夠在RF/微波...
常見(jiàn)的自激現(xiàn)象出現(xiàn)的原因及解決辦法
通常測(cè)試的時(shí)候第一步就是驗(yàn)證我們的靜態(tài)工作點(diǎn)和穩(wěn)定性,然而我采用NPTB0004N管子設(shè)計(jì)的時(shí)候,由于是GaN的管子,最開(kāi)始沒(méi)有注意他的上電順序,導(dǎo)致管...
幾十年來(lái),硅一直主導(dǎo)著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導(dǎo)體已被開(kāi)發(fā)出來(lái),提供獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和卓越的特性。例如,有了化合物半...
圖像生成領(lǐng)域的一個(gè)巨大進(jìn)展:SAGAN
近年來(lái),生成圖像建模領(lǐng)域出現(xiàn)了不少成果,其中最前沿的是GAN,它能直接從數(shù)據(jù)中學(xué)習(xí),生成高保真、多樣化的圖像。雖然GAN的訓(xùn)練是動(dòng)態(tài)的,而且對(duì)各方面的設(shè)...
2018-10-08 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)圖像GAN 1.3萬(wàn) 0
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