導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu)　GaN FET打造高效率開關(guān)

射頻（RF）應(yīng)用的氮化鎵（GaN）電晶體已面世多年，最近業(yè)界的重點(diǎn)開發(fā)面向為電力電子應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)型高性能GaN功率電晶體。十幾家半導(dǎo)體公司都在積極開發(fā)幾種...

2014-01-10 標(biāo)簽：場效應(yīng)管GaNCascode 1.0萬 1

淺析氮化鎵技術(shù)原理及技術(shù)突破路線

　通過種種信息，我們應(yīng)該都能發(fā)現(xiàn)，氮化鎵充電器目前已經(jīng)快要與普通充電器市場持平，而且，氮化鎵充電器是近幾年新開發(fā)出來的，從剛開始出現(xiàn)的30W到現(xiàn)在的14...

2023-02-03 標(biāo)簽：充電器氮化鎵GaN 1.0萬 0

什么是異構(gòu)集成？什么是異構(gòu)計算？異構(gòu)集成、異構(gòu)計算的關(guān)系？

異構(gòu)集成主要指將多個不同工藝節(jié)點(diǎn)單獨(dú)制造的芯片封裝到一個封裝內(nèi)部，以增強(qiáng)功能性和提高性能。

2023-11-27 標(biāo)簽：SiC芯片封裝GaN 1.0萬 0

通過單片GaN集成提高性能，同時減小尺寸和成本

15 V 至 350 V 范圍內(nèi)的氮化鎵 （GaN） 異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)功率晶體管已被證明在功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動和激光雷達(dá)脈沖光等應(yīng)用中在效率、尺寸、速度和成本...

2023-09-07 標(biāo)簽：emi雷達(dá)柵極 9983 0

特倫托大學(xué)與Inria合作：使用GAN生成人體的新姿勢圖像

使用GAN（對抗生成網(wǎng)絡(luò)）生成人體的新姿勢圖像。研究人員提出的可變形跳躍連接和最近鄰損失函數(shù)，更好地捕捉了局部的紋理細(xì)節(jié)，緩解了之前研究生成圖像模糊的問...

2018-01-29 標(biāo)簽：gan網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)深度學(xué)習(xí) 9954 0

基于生成對抗網(wǎng)絡(luò)（GAN）的框架

為了進(jìn)一步提升深度圖像壓縮的質(zhì)量，開發(fā)超越PSNR和MS-SSIM的新指標(biāo)非常重要。其中重點(diǎn)關(guān)注的是對抗損失，最近的成果表明它能捕捉到全局的語義信息和局...

2018-04-17 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GAN 9853 0

氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢及工作原理

　　氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體。

2023-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 9488 0

使用寬帶隙技術(shù)最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度

提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預(yù)計這一趨勢將持續(xù)下去，從而實現(xiàn)新的市場、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計工程師介紹了意法半導(dǎo)體（ST）的電源解決方案...

2023-11-16 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵GaN 9464 0

如何集成GaN功率級以實現(xiàn)高效的電池供電BLDC電機(jī)推進(jìn)系統(tǒng)

電池供電的應(yīng)用，如協(xié)作機(jī)器人 (cobot)、電動自行車、工業(yè)無人機(jī)和電動工具等，都需要體積小、重量輕、功能強(qiáng)大的電機(jī)。無刷直流 (BLDC) 電機(jī)是一...

2023-03-07 標(biāo)簽：電機(jī)控制BLDCGaN 9372 0

電力電子器件的概念及分類

電力電子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于處理電能的主電路中，實現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。廣義上電力電子器件可分為...

2023-04-04 標(biāo)簽：電力電子器件驅(qū)動電路SiC 8931 0