半導(dǎo)體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢(shì)及瓶頸分析

作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。

2020-09-11 標(biāo)簽：SiCGaN半導(dǎo)體器件 1.3萬(wàn) 0

氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)解析

氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng)，能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層，同時(shí)在較高的擊穿電...

2023-11-06 標(biāo)簽：MOSFET晶體管功率器件 1.3萬(wàn) 0

探討條件GAN在圖像生成中的應(yīng)用

條件GANs已經(jīng)應(yīng)用與多種跟圖像有關(guān)的任務(wù)中了，但分辨率通常都不高，并且看起來(lái)很不真實(shí)。而在這篇論文中，英偉達(dá)和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員共同提出了一...

2018-01-11 標(biāo)簽：gan深度學(xué)習(xí) 1.2萬(wàn) 0

氮化鎵充電器有什么優(yōu)點(diǎn)？拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內(nèi)部來(lái)看這個(gè)充電器如何?

倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN）+碳化硅（SiC) 充電器。 有2個(gè)USB Type-C輸出接口和1個(gè)USB Type-A輸出接...

2021-08-31 標(biāo)簽：充電器asic氮化鎵 1.2萬(wàn) 0

GaN使充電器設(shè)計(jì)發(fā)生革命

氮化鎵（GaN）開(kāi)關(guān)技術(shù)使充電器和適配器的小型化取得了重大進(jìn)展。 GaN晶體管的開(kāi)關(guān)效率很高。 這允許開(kāi)發(fā)轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器可以以比使用等效硅器件的電路更...

2020-10-23 標(biāo)簽：充電器GaN 1.2萬(wàn) 0

GaN-HEMT器件的動(dòng)態(tài)R DSon值測(cè)量實(shí)驗(yàn)分析

GaN（氮化鎵）器件由于具有諸如高開(kāi)關(guān)速度，更高的功率密度和效率之類的能力而在設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換器時(shí)變得越來(lái)越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一個(gè)缺點(diǎn)是電...

2021-03-22 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器測(cè)量電路GaN 1.2萬(wàn) 0

GAN新手必讀：如何將將GAN應(yīng)用于NLP（論文筆記）

GAN 自從被提出以來(lái)，就廣受大家的關(guān)注，尤其是在計(jì)算機(jī)視覺(jué)領(lǐng)域引起了很大的反響。“深度解讀：GAN模型及其在2016年度的進(jìn)展”［1］一文對(duì)過(guò)去一年G...

2017-11-22 標(biāo)簽：gannlp 1.2萬(wàn) 0

氮化鎵(GaN)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀(jì) 90 年代亮相，目前廣泛應(yīng)用于商業(yè)和國(guó)防領(lǐng)域，但工程應(yīng)用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本書(shū)之后，可...

2022-03-10 標(biāo)簽：射頻氮化鎵GaN 1.1萬(wàn) 0

SiC性能在實(shí)際應(yīng)用中已經(jīng)超過(guò)GaN

作者：United Silicon Carbide公司新產(chǎn)品導(dǎo)入經(jīng)理Zhongda Li 寬帶隙器件的承諾 諸如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶...

2018-02-28 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管SiCGaN 1.1萬(wàn) 1

充電機(jī)直流母線上的紋波會(huì)影響電池壽命嗎？詳細(xì)數(shù)據(jù)分析

電池是一個(gè)不同SOC和頻率存在較大響應(yīng)差異的，紋波的迭代主要在頻率響應(yīng)上對(duì)電池產(chǎn)生影響。

2018-09-15 標(biāo)簽：SOCGAN充電機(jī) 1.1萬(wàn) 0

二極管的特性及損耗分析

本文用于記錄二極管特性及損耗分析。

2023-03-08 標(biāo)簽：二極管SiC損耗 1.1萬(wàn) 0

什么是寬禁帶半導(dǎo)體？

半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

2023-05-05 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 1.1萬(wàn) 0

導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu)　GaN FET打造高效率開(kāi)關(guān)

射頻（RF）應(yīng)用的氮化鎵（GaN）電晶體已面世多年，最近業(yè)界的重點(diǎn)開(kāi)發(fā)面向?yàn)殡娏﹄娮討?yīng)用的經(jīng)濟(jì)型高性能GaN功率電晶體。十幾家半導(dǎo)體公司都在積極開(kāi)發(fā)幾種...

2014-01-10 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管GaNCascode 1.0萬(wàn) 1