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      標(biāo)簽　>　gan

      文章：1914個(gè) 瀏覽：76469次 帖子：160個(gè)

      gan技術(shù)

      能不能用GAN破解標(biāo)注數(shù)據(jù)不足的問(wèn)題呢

      在計(jì)算機(jī)視覺領(lǐng)域，深度學(xué)習(xí)方法已全方位在各個(gè)方向獲得突破，這從近幾年CVPR 的論文即可看出。但這往往需要大量的標(biāo)注數(shù)據(jù)，比如最著明的ImageNet數(shù)...

      2019-07-14 標(biāo)簽：GAN計(jì)算機(jī)視覺大數(shù)據(jù) 5479 0

      采用GaN技術(shù)的充電器的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)

      　　氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，多年來(lái)氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，被稱為第三代半導(dǎo)體，它具有更...

      2023-02-13 標(biāo)簽：放大器充電器晶體管 5479 0

      LMG5200開關(guān)節(jié)點(diǎn)的100 GHz觀察儀器系統(tǒng)

      當(dāng)測(cè)定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí)，即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測(cè)定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您...

      2018-04-26 標(biāo)簽：示波器GaNLMG5200 5471 0

      如何采用氮化鎵或GaN實(shí)現(xiàn)車輛電氣化

      作者：Maurizio Di Paolo Emilio 汽車行業(yè)正經(jīng)歷著從內(nèi)燃機(jī)（ICE）到全電動(dòng)未來(lái)的巨變。VisIC Technologies的功率...

      2021-03-19 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器GaN 5465 0

      可以克服GAN訓(xùn)練缺點(diǎn)的解決方案介紹

      生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)GAN很強(qiáng)大，但也有很多造成GAN難以使用的缺陷。本文介紹了可以克服GAN訓(xùn)練缺點(diǎn)的一些解決方案，有助于提高GAN性能。

      2019-02-13 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GAN 5459 0

      控制、驅(qū)動(dòng)、檢測(cè)高密度SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換

      了解關(guān)鍵的ADI iCoupler?數(shù)字隔離、控制、傳感和通信技術(shù)如何直接通過(guò)部署SiC和GaN功率轉(zhuǎn)換及日益復(fù)雜的多級(jí)控制拓?fù)鋪?lái)解決面臨的挑戰(zhàn)。

      2018-06-05 標(biāo)簽：adi通信技術(shù)控制 5327 0

      硅基GaN為固態(tài)射頻能量應(yīng)用帶來(lái)更多可能

      　等離子燈自發(fā)明以來(lái)便由磁控管供電，磁控管的平均壽命預(yù)計(jì)在500至1000小時(shí)。在評(píng)估等離子燈的價(jià)值時(shí)，這是一個(gè)重要的考慮因素。對(duì)此，美國(guó)海軍天文臺(tái)提供...

      2018-03-30 標(biāo)簽：射頻gan 5318 0

      IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價(jià)格-性能分析

      IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價(jià)格-性能分析

      在設(shè)計(jì)電力電子設(shè)備時(shí)，我們需要評(píng)估所有業(yè)務(wù)需求和技術(shù)要求，以優(yōu)化設(shè)計(jì)周期時(shí)間，從而以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高性能的系統(tǒng)。這是DiscoverEE及其創(chuàng)始人 S...

      2022-08-04 標(biāo)簽：IGBT功率SiC 5293 1

      谷歌開源TFGAN輕量級(jí)的工具庫(kù) 目的是讓訓(xùn)練和評(píng)估GAN變得更加簡(jiǎn)單

      三年前，蒙特利爾大學(xué) Ian Goodfellow 等學(xué)者提出「生成式對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)」（Generative Adversarial Networks，GAN...

      2018-01-02 標(biāo)簽：谷歌gantfgan 5261 0

      GaN和SiC器件或?qū)⒊蔀楣β兽D(zhuǎn)換應(yīng)用中的新型解決方案

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      基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。

      2018-10-04 標(biāo)簽：IGBTGaN 5167 0

      一種基于GAN的圖到圖轉(zhuǎn)換方法，可以檢測(cè)出圖片中的敏感區(qū)域

      圖像到圖像轉(zhuǎn)換是一類經(jīng)典計(jì)算機(jī)視覺問(wèn)題，按照一般方法，研究人員需要對(duì)齊訓(xùn)練集圖像，讓模型學(xué)習(xí)輸入圖像和輸出圖像之間的映射。但在這個(gè)問(wèn)題下找到成對(duì)圖像基本...

      2018-07-25 標(biāo)簽：圖像GAN數(shù)據(jù)集 5161 0

      如何采用不同封裝技術(shù)構(gòu)建高性能GaN設(shè)備

      如何采用不同封裝技術(shù)構(gòu)建高性能GaN設(shè)備

      使用GaN FET構(gòu)建高速系統(tǒng)并非易事。開關(guān)電場(chǎng)可占據(jù)封裝上方和周圍的空間，因此組裝使用GaN FET用于無(wú)線系統(tǒng)的系統(tǒng)對(duì)于整體性能至關(guān)重要。本文著眼于...

      2019-03-11 標(biāo)簽：封裝無(wú)線gan 5145 0

      基于姿態(tài)信息生成全身的高分辨率圖像的新框架

      為了解決上述問(wèn)題，我們引入PSGAN，它能根據(jù)結(jié)構(gòu)信息，在訓(xùn)練過(guò)程中逐步提高生成圖像的分辨率，以此細(xì)化圖像在結(jié)構(gòu)上的細(xì)節(jié)特征，如生成對(duì)象的全身圖。同時(shí)，...

      2018-05-14 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN 5124 0

      一文知道RF GaN市場(chǎng)蓬勃發(fā)展的關(guān)鍵

      據(jù)麥姆斯咨詢介紹，近年來(lái)，由于氮化鎵（GaN）在射頻（RF）功率應(yīng)用中的附加價(jià)值（例如高頻率下的更高功率輸出和更小的占位面積），RF GaN產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了驚...

      2019-05-10 標(biāo)簽：RFGaN 5118 0

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      2023-05-11 標(biāo)簽：SiCGaN碳化硅 5113 0

      生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)GAN，正在成為新的“深度學(xué)習(xí)”

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      生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)由一個(gè)生成網(wǎng)絡(luò)（Generator）與一個(gè)判別網(wǎng)絡(luò)（Discriminator）組成。生成網(wǎng)絡(luò)從潛在空間（latent space）中隨機(jī)采...

      2018-06-11 標(biāo)簽：GAN深度學(xué)習(xí)強(qiáng)化學(xué)習(xí) 5105 0

      什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應(yīng)用對(duì)比

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      由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主...

      2023-04-25 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 5081 0

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      2023-10-09 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 5066 1

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      2023-10-19 標(biāo)簽：芯片激光器封裝 5053 0

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      隨著辦公照明和商業(yè)照明市場(chǎng)日趨成熟，高PF、低諧波、低成本、無(wú)頻閃、高光效等需求已成為用戶的首選。為了滿足用戶高效節(jié)能、高可靠性和電源驅(qū)動(dòng)小型化的要求，...

      2023-06-30 標(biāo)簽：PFCBoostGaN 5034 0

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        藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣?，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
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        自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
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        太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
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        WiGig（Wireless Gigabit，無(wú)線千兆比特）是一種更快的短距離無(wú)線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
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