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更智能、更簡單的射頻電源解決方案

Wolfspeed 的 GaN on SiC 解決方案正在徹底改變射頻功率放大器的前驅動器、驅動器和輸出級。具體而言，新的高電子遷移率晶體管（HEMT）...

2023-05-24 標簽：驅動器功率放大器發(fā)射器 1313 0

碳化硅MMIC上的氮化鎵：高功率AESA雷達設計

除了導致更高的輸出頻率范圍外，對于地面雷達來說，這是一個關鍵的設計考慮因素，地面雷達越來越多地使用有源電子掃描陣列（AESA）技術，以在更小的封裝中封裝...

2023-05-24 標簽：雷達 GaN aesa 2777 0

GaN HEMT大信號模型

GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8...

2023-05-24 標簽：功率放大器 GaN HEMT 2713 0

用于脈沖雷達應用的氮化鎵HEMT

這些優(yōu)勢是目前取代雷達常用的高功率、大帶寬行波管（TWT）放大器的趨勢背后的原因。GaN HEMT消除了由于陰極耗盡而導致的TWT放大器固有的使用壽命相...

2023-05-24 標簽：放大器雷達 GaN 2136 0

集成的專業(yè)知識為X波段PA提供最佳的氮化鎵解決方案

氮化鎵是在高頻應用中實現(xiàn)高效運行的無可爭議的技術，例如 X 波段（8–12 GHz）的應用。SiC器件上的GaN可以為這些應用提供急需的高溫可靠性和...

2023-05-20 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 925 0

SiC范圍內的GaN和熱感知簡化了X波段雷達設計

性能參數(shù)因應用而異，雷達系統(tǒng)可能需要在從L波段以下到Ka波段以上的任何頻率下工作。8.5 至 11 GHz X 頻段正迅速成為主導頻率范圍，可用于海上導...

2023-05-20 標簽：半導體 RF GaN 1697 0

提升RF功率放大器的脈沖保真度

考慮到功率對雷達探測距離的重要性，工程師可能會完全專注于在尺寸限制內盡可能多地提升功率 — 通過使用 Wolfspeed 最新的 GaN 技術獲取最高的...

2023-05-20 標簽：功率放大器 RF GaN 1184 0

SiC助力軌道交通駛向“碳達峰”

本文我們將重點介紹第三代半導體中的碳化硅（SiC），與下文氮化鎵（GaN）的形式統(tǒng)一如何助力軌道交通完成“碳達峰”目標，并為大家推薦貿澤電子在售的領先的...

2023-05-19 標簽：半導體 SiC GaN 1139 0

殺入新能源汽車市場的GaN，勝算幾何

SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，G...

2023-05-19 標簽：MOSFET SiC GaN 1063 0

如何化解第三代半導體的應用痛點

所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁...

2023-05-18 標簽：半導體 SiC GaN 1680 0

如何提高系統(tǒng)功率密度

在功率器件領域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談論功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復原、低輸出電荷...

2023-05-18 標簽：功率器件 SiC GaN 1680 0

第三代半導體器件的機會在哪里

與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導電率大、介電常數(shù)小和抗輻射能力強等特...

2023-05-18 標簽：半導體 SiC GaN 985 0

氮化鎵GaN驅動器PCB設計必須掌握的要點

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前...

2023-05-17 標簽：柵極驅動電路氮化鎵 1375 0

高/低功率各不相同，射頻電路電源管理這門學問你真的懂么？

電源管理是一門科學藝術，它通過優(yōu)化輸入和輸出信號來最大化 RF 設備的效率和性能，這不是一件容易的事。每臺網(wǎng)絡設備都有自己獨特的功率需求。更高的數(shù)據(jù)速率...

2023-05-16 標簽：電源管理 RF wi-fi 1158 0

半導體制造裝置之SiC涂層石墨基座介紹

SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學氣相反應法(CVR)和化學氣相沉積法(CVD)。

2023-05-11 標簽：SiC GaN 碳化硅 5114 0

應用筆記——GaN偏置電路設計準則

本文內容翻譯自一篇Qorvo的應用筆記，雖然標題是針對GaN偏置電路設計的一些基本準則，但實際上對GaAs也是適用的?；诨衔锇雽w做射頻功放的同學應...

2023-05-10 標簽：電路設計晶體管偏置電路 6824 0

如何通過PyTorch實現(xiàn)卷積GAN構建？

人們曾經(jīng)認為生成的任務是不可能的，并且被 GAN 的力量所震驚，因為傳統(tǒng)上，根本沒有任何事實可以比較我們生成的圖像。

2023-05-09 標簽：GaN 計算機視覺 pytorch 766 0

65W高性能磁耦通訊GaN快充方案

隨著GaN功率器件的可靠性提升及成本逐漸接近常規(guī)MOS，相關中大功率快充方案備受市場青睞。為了滿足市場新需求，晶豐明源通過不斷創(chuàng)新，推出了集成GaN磁耦...

2023-05-08 標簽：驅動器充電器寄存器 1730 0

什么是寬禁帶半導體？

半導體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

2023-05-05 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.1萬 0

還在為用氮化鎵設計高壓電源犯難？試試這兩個器件

面對社會和監(jiān)管要求，電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎設施的應用，電源轉換效率和功率密度是設計成功的關鍵。

2023-04-28 標簽：晶體管 FET 氮化鎵 955 0

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藍牙5是藍牙技術聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗。
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