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GaN基功率開關(guān)器件能實現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率,得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣(2DEG)。圖1示出絕緣柵...
2023-04-29 標(biāo)簽:功率器件GaN開關(guān)器件 2040 0
氮化鎵(GaN)的晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結(jié)構(gòu),它們分別為纖鋅礦(Wurtzite)、閃鋅礦(Zincblende)和巖鹽礦(Rocksalt)。通常的情況下...
Flyback反激變換器的三種工作模式和參數(shù)設(shè)計
過去幾年,由于USB Type-C PD充電協(xié)議的廣泛使用,加之GaN技術(shù)的普及,使得基于GaN的PD適配器具有更廣泛的兼容性和更便攜的形態(tài),小功率電源...
什么是GaN氮化鎵?Si、GaN、SiC應(yīng)用對比
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢,GaN 充電器的運行速度,比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主...
那么,這是否意味著GaN將在每種應(yīng)用中取代GaAs?答案是否定的,這就是為什么Microchip生產(chǎn)分立式以及GaN和GaAs MMIC產(chǎn)品,并擁有業(yè)內(nèi)...
例如,多家半導(dǎo)體制造商開發(fā)了片上系統(tǒng) (SoC),其中包括整個射頻 (RF) 信號鏈和有源相控陣天線,該天線在微型封裝中集成了數(shù)十個元件。硅鍺(SiGe...
UPS(不間斷電源)作為一種保障電力供應(yīng)穩(wěn)定和可靠的設(shè)備,被廣泛應(yīng)用在計算機、通訊和工業(yè)等領(lǐng)域。
掌握基本的射頻微波理論知識;熟練使用 HFSS、ADS、SONNET、Cadence(virtuoso,calibre)、EMX等電磁仿真以及射頻芯片設(shè)...
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料,有望成為下一代功率半導(dǎo)體,日本和海外正在進(jìn)行研究和開發(fā)。
如何設(shè)置、設(shè)計及正確地驅(qū)動GaN功率級
您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中,我將描述如何使用H...
用一個Hercules LaunchPad開發(fā)套件控制GaN功率級
與LMG5200評估模塊 (EVM) 一同提供的還有一塊驅(qū)動GaN集成電路 (IC) 的電路。你需要將其斷開,并且連接你的LaunchPad開發(fā)套件。
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET,因為在同等導(dǎo)通電阻的情況下,氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低,并避免了體二極管所導(dǎo)致的...
LED屏的七大分類方式 關(guān)于LED屏的16個小知識
雙基色LED顯示屏由紅色和綠色LED燈組成,256級灰度的雙基色顯示屏可顯示65,536種顏色(雙色屏可顯示紅、綠、黃3種顏色)。全彩色LED顯示屏由紅...
GaN FET具有低端子電容,因而可快速切換。然而,當(dāng)GaN半橋在高di / dt條件下切換時,功率環(huán)電感在高壓總線和開關(guān)節(jié)點處引入振鈴/過沖。這限制了...
通過凹槽切斷柵極下方的2DEG,使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)正柵壓增至大于閾值電壓時,將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。
作為一種寬帶隙晶體管技術(shù),GaN正在創(chuàng)造一個令人興奮的機會,以實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達(dá)到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法,...
2023-04-07 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器逆變器晶體管 1056 0
用于碳化硅的Aehr測試系統(tǒng)的技術(shù)差距
Advantes和 Teradyne最知名的是自動化測試設(shè)備。許多其他事情中,ATE工具取出探針卡,將它們與晶圓上的芯片完美對齊,并與晶圓上的電路進(jìn)行物...
2023-04-04 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體制造 1582 0
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