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對(duì)于 GaN,中文名氮化鎵,我們實(shí)在是聽(tīng)得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開(kāi)始說(shuō)起。好像從某個(gè)時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始,一夜之間,GaN 就如雨后春筍般...
對(duì)于 GaN,中文名氮化鎵,我們實(shí)在是聽(tīng)得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開(kāi)始說(shuō)起。好像從某個(gè)時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始,一夜之間,GaN 就如雨后春筍般...
氮化鎵E-HEMT器件在反激快充應(yīng)用中的測(cè)試對(duì)比
隨著GaN器件在一線品牌(小米、OPPO、華為、VIVO、聯(lián)想等)大功率適配器等應(yīng)用場(chǎng)景的優(yōu)勢(shì)展示和產(chǎn)品推出,推動(dòng)了GaN器件在更廣泛的電源領(lǐng)域的使用,...
2023-02-02 標(biāo)簽:適配器GaN電源系統(tǒng) 1537 0
無(wú)線設(shè)計(jì)LNA和PA的作用和要求及其主要特性
LNA 的作用是從天線獲取極其微弱的不確定信號(hào),這些信號(hào)通常是微伏數(shù)量級(jí)的信號(hào)或者低于-100 dBm,然后將該信號(hào)放大至一個(gè)更有用的水平,通常約為0....
LED是一種半導(dǎo)體,通電即會(huì)發(fā)光。憑借其高效率、長(zhǎng)壽命和其他突出的特點(diǎn),成為L(zhǎng)CD液晶顯示模組的核心材料,為L(zhǎng)CD的背光模組提供足夠的光源;
GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)
GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)
GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應(yīng)用,包括微波射頻 (RF) 和功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
基于模型的GaN PA設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí):內(nèi)部電流-電壓(I-V)波形的定義及其必要性
基于模型的 GaN PA 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí):內(nèi)部電流-電壓 (I-V) 波形的定義及其必要性
高度集成的射頻收發(fā)器芯片有助于提高天線級(jí)的集成度。ADRV9009就是這種芯片的一個(gè)例子。它提供雙發(fā)射器和接收器、集成合成器和數(shù)字信號(hào)處理功能。該器件包...
一旦硅開(kāi)始達(dá)不到電路需求,碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比,這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)...
傳統(tǒng)上,半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅(Si),因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是,半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數(shù)還提供額外的好處,例如碳...
氮化鎵(GaN)是一種非常堅(jiān)硬、機(jī)械穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體?;贕aN的功率器件具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的導(dǎo)熱性和更低的導(dǎo)通電阻,其性能明顯...
LP88G24DCD內(nèi)置650V級(jí)聯(lián)型結(jié)構(gòu)的GaN功率器件,采用QFN8*8封裝,進(jìn)一步減小芯片占板面積,底部采用一體化銅基板設(shè)計(jì),具有極佳的散熱性能。
2022-11-30 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻驅(qū)動(dòng)器PMIC 1183 0
高頻高頻QR GaN控制器在Flyback拓?fù)淇斐洚a(chǎn)品上的應(yīng)用
型號(hào)LP8843DCD提供一個(gè)耐壓高達(dá)200V的VccH管腳,以及一個(gè)耐壓35V的VccL管腳;可以很方便的用這兩個(gè)管腳組成雙繞組供電方式,以節(jié)約高壓輸...
這是NEDO關(guān)于“加強(qiáng)后5G信息通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開(kāi)發(fā)項(xiàng)目”的成果。2020年6月,NEDO發(fā)布了該決定,并計(jì)劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技...
GaN功率級(jí)設(shè)計(jì)的散熱注意事項(xiàng)
在任何電力電子轉(zhuǎn)換器中,熱設(shè)計(jì)都是一項(xiàng)重要的考慮因素。熱設(shè)計(jì)經(jīng)優(yōu)化后,工程師能夠?qū)?GaN 用于各種功率級(jí)別、拓?fù)浜蛻?yīng)用中。此應(yīng)用手冊(cè)論述了 TI LM...
GaN高功率整流器的設(shè)計(jì) 氮化鎵整流器的電氣特性
報(bào)告內(nèi)容包含: 動(dòng)機(jī) 理論計(jì)算 氮化鎵材料參數(shù) 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態(tài)電阻 (RON)
簡(jiǎn)述納微GaNSense技術(shù)及專利布局
充電器,已經(jīng)成為每個(gè)人的生活必需品。充電器的結(jié)構(gòu)是否緊湊,能否提供更高的功率和更短的充電時(shí)間,對(duì)消費(fèi)電子企業(yè)和消費(fèi)者都非常重要,在這種背景下,讓氮化鎵已...
2022-11-09 標(biāo)簽:充電器GaN納微半導(dǎo)體 814 0
生成模型近年來(lái)發(fā)展迅猛,已經(jīng)表現(xiàn)出極強(qiáng)的真實(shí)感合成能力,在三維重建、AI繪畫(huà)、音視頻創(chuàng)作、可控圖像生成、真實(shí)圖像編輯等領(lǐng)域的應(yīng)用廣泛。
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