使用電源管理模塊有效控制GaN功率放大器的電源開關(guān)

【導(dǎo)讀】眾所周知，因為 GaN PA 需要使用特定的偏置時序，所以在某些設(shè)計中，GaN 功率放大器的上電和下電可能會具有挑戰(zhàn)性。如果處理不當(dāng)，可能會導(dǎo)致...

2022-08-29 標(biāo)簽：功率放大器電源開關(guān)GaN 2073 0

GaN功率器件在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域的應(yīng)用

GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復(fù)雜工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。

2022-08-12 標(biāo)簽：電機(jī)控制功率器件氮化鎵 2374 0

使用GaN設(shè)計高效的高密度電源解決方案

基于氮化鎵技術(shù) (GaN) 的功率開關(guān)器件現(xiàn)已量產(chǎn)，并在實際功率應(yīng)用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術(shù)實施高功率解決方案，并提供應(yīng)...

2022-08-09 標(biāo)簽：電源德州儀器GaN 2561 0

使用GaN設(shè)計高功率器件

從 70 年代下半葉開始，電源管理應(yīng)用的主導(dǎo)技術(shù)是基于 MOSFET(金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管)器件，在效率和成本降低方面不斷取得進(jìn)步和改進(jìn)。然而，隨著...

2022-08-09 標(biāo)簽：晶體管功率器件GaN 2010 0

氮化鎵晶體管如何改變D類放大器的性能

在本文中，我們將仔細(xì)研究氮化鎵 (GaN)晶體管，以及這種新的半導(dǎo)體技術(shù)如何有望徹底改變 D 類放大器的性能。 憑借其非常低的導(dǎo)通電阻、非常高且干凈的開...

2022-08-08 標(biāo)簽：晶體管D類放大器GaN 3375 0

用于多種電源應(yīng)用的GaN晶體管

硅功率 MOSFET 沒有跟上電力電子行業(yè)的演進(jìn)變化，其中效率、功率密度和更小的外形因素是社區(qū)的主要需求。電力電子行業(yè)已經(jīng)看到硅 MOSFET 的理論極...

2022-08-08 標(biāo)簽：MOSFET晶體管GaN 3266 0

電源設(shè)計中的模擬GaN晶體管

GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 ...

2022-08-05 標(biāo)簽：晶體管GaN 1203 0

使用GaN設(shè)計PFC整流器

650V GaN FET 較低的寄生電容降低了開關(guān)損耗。此外，與 650-V Si MOSFET 相比，650-V GaN FET 在相同芯片尺寸內(nèi)具有...

2022-08-05 標(biāo)簽：MOSFET整流器GaN 1715 0

電源設(shè)計說明中使用GaN器件進(jìn)行LTspice仿真

多年來，技術(shù)進(jìn)步使得從功率器件獲得高級性能成為可能。氮化鎵 （GaN）不同于硅 （Si）。它是一種類似于晶體的材料，能夠傳導(dǎo)更高的電壓。與硅元件相比，電...

2022-08-05 標(biāo)簽：電源半導(dǎo)體GaN 5823 0

成果展示：具有1.1 kV級高擊穿電壓的GaN基肖特基二極管

為實現(xiàn)具有高擊穿電壓和優(yōu)異正向特性的第三代半導(dǎo)體功率器件，天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊依托先進(jìn)的半導(dǎo)體TCAD仿真平臺，優(yōu)化設(shè)計了一種具有p-NiO...

2022-08-04 標(biāo)簽：二極管功率器件GaN 1561 0

正確使用并聯(lián)氮化鎵晶體管

電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計人員正在尋找提高效率同時增加系統(tǒng)功率密度的方法。 寬帶隙 (WBG) 技術(shù)提供了答案。 由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方...

2022-08-04 標(biāo)簽：MOSFET晶體管GaN 1914 0

半橋GaN應(yīng)用中的交叉?zhèn)鲗?dǎo)解決方案

為了以整流方式獲得和諧同步的雙向電流控制，在半橋和全橋GaN 應(yīng)用中必須具有互補(bǔ)驅(qū)動信號。為避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)，有目的地將死區(qū)時間放置在驅(qū)動信號的高側(cè)和低側(cè)。...

2022-08-04 標(biāo)簽：探頭GaN 3083 0

48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用

對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計用...

2022-08-04 標(biāo)簽：控制器FETGaN 1075 0

測量基于GaN的電源中的交叉?zhèn)鲗?dǎo)

這種測量交叉?zhèn)鲗?dǎo)的簡單且經(jīng)濟(jì)高效的方法利用了GaN 晶體管的獨(dú)特特性。

2022-08-04 標(biāo)簽：電源晶體管GaN 973 0

被GaN扼殺的硅、分立功率器件

四十年來，隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MO...

2022-08-04 標(biāo)簽：MOSFET功率器件GaN 996 0

Pre-Switch基于AI逆變器可實現(xiàn)電動汽車的高效率

利用其基于人工智能的 DC/AC、AC/DC 軟開關(guān)技術(shù)，Pre-Switch 展示了如何通過在每個開關(guān)位置僅使用三個分立的低成本 35mΩ SiC F...

2022-08-04 標(biāo)簽：電動汽車逆變器AI 1404 0

IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價格-性能分析

在設(shè)計電力電子設(shè)備時，我們需要評估所有業(yè)務(wù)需求和技術(shù)要求，以優(yōu)化設(shè)計周期時間，從而以更低的成本實現(xiàn)更高性能的系統(tǒng)。這是DiscoverEE及其創(chuàng)始人 S...

2022-08-04 標(biāo)簽：IGBT功率SiC 5297 1