IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價(jià)格-性能分析

在設(shè)計(jì)電力電子設(shè)備時(shí)，我們需要評(píng)估所有業(yè)務(wù)需求和技術(shù)要求，以優(yōu)化設(shè)計(jì)周期時(shí)間，從而以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高性能的系統(tǒng)。這是DiscoverEE及其創(chuàng)始人 S...

2022-08-04 標(biāo)簽：IGBT功率SiC 5303 1

GaN實(shí)現(xiàn)下一代高頻電路

提高功率密度的關(guān)鍵是提高開關(guān)頻率，以最大限度地減少無(wú)源元件，例如變壓器、EMI 濾波器、大容量電容器和輸出電容器，同時(shí)保持或提高效率。自 1996 年以...

2022-08-04 標(biāo)簽：電容器GaN高頻電路 1161 0

基于GaN的高功率穩(wěn)壓輸出電源方案

隨著這些基于 DPA 的服務(wù)器和工作站隨著時(shí)間的推移變得越來(lái)越小，在這些系統(tǒng)中啟用 IBA 方案的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器或磚也必須如此。包括四分之一...

2022-08-03 標(biāo)簽：fpga微處理器GaN 1333 0

用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的GaN器件

今天，永磁電機(jī)，也稱為直流無(wú)刷電機(jī)，應(yīng)用廣泛，與其他電機(jī)相比，可提供更高的每立方英寸扭矩能力和更高的動(dòng)態(tài)性能。迄今為止，硅基功率器件一直在逆變器電子產(chǎn)品...

2022-08-03 標(biāo)簽：逆變器GaN直流無(wú)刷電機(jī) 2614 0

GaN和SiC晶體管的區(qū)別

幾十年來(lái)，硅一直主導(dǎo)著晶體管世界，但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，并具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和卓越的特性。例如，化合物半...

2022-08-03 標(biāo)簽：晶體管SiCGaN 2012 0

一種基于GaN的BTP PFC電路和LLC諧振轉(zhuǎn)換器的實(shí)現(xiàn)

駐留在數(shù)據(jù)中心的大量服務(wù)器(每臺(tái)服務(wù)器都配備中央處理單元 (CPU)、圖形處理單元 (GPU) 和存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的內(nèi)存)需要越來(lái)越多的功率。更小、更輕、更...

2022-08-03 標(biāo)簽：PFCGaN諧振轉(zhuǎn)換器 2684 0

氮化鎵 (GaN) 技術(shù)：屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝及最新進(jìn)展

本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) ：其屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝以及最新進(jìn)展。這種更深入的探討有助于我們了解 ：為什么 GaN 能夠在當(dāng)今這個(gè)技術(shù)驅(qū)...

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 2.0萬(wàn) 0

采用GaN的多相MHZ轉(zhuǎn)換器

氮化鎵 (GaN)器件可實(shí)現(xiàn)航空航天、交通運(yùn)輸和醫(yī)療應(yīng)用所需的高頻、高密度電源。在布置印刷電路板 (PCB)時(shí)必須考慮某些設(shè)計(jì)規(guī)則和組件。例如，多層布局...

2022-07-29 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器DCGaN 719 0

適用于高達(dá)220W的USB PD 3.1 適配器的新型高壓GaN解決方案

擴(kuò)大新型 InnoSwitch4-CZ 和 ClampZero IC 的功率范圍，使充電器/適配器設(shè)計(jì)人員能夠輕松超過(guò) 23 W/in。3用于單輸出或多...

2022-07-29 標(biāo)簽：控制器適配器GaN 1007 0

GaN-on-Si功率技術(shù):器件和應(yīng)用

在過(guò)去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WB...

2022-07-29 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 1677 0

用于1kW以上電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的集成電路GaN逆變器

自問(wèn)世以來(lái)，氮化鎵技術(shù)開啟了電力電子領(lǐng)域的新紀(jì)元。GaN 技術(shù)的三個(gè)最重要的參數(shù)是更高的帶隙、臨界場(chǎng)和電子遷移率。當(dāng)這些參數(shù)結(jié)合起來(lái)時(shí)，由于 GaN 晶...

2022-07-29 標(biāo)簽：逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN 2443 0

GaN和SiC功率器件的最佳用例

碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下...

2022-07-29 標(biāo)簽：充電器功率器件SiC 1523 0

使用GaN實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效系統(tǒng)

氮化鎵是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢詾殡娦烹娫吹葢?yīng)用提供高效設(shè)計(jì)；電動(dòng)汽車充電；加熱，通風(fēng)和空調(diào); 電器；和消費(fèi)電源適配器。在工業(yè)應(yīng)用中，氮化鎵取...

2022-07-29 標(biāo)簽：氮化鎵GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1401 0

如何用GaN開關(guān)實(shí)現(xiàn)高效率離線電源設(shè)計(jì)

與 InnoSwitch3 IC 一樣，MinE-CAP 利用 PowiGaN 器件的小尺寸和低導(dǎo)通電阻來(lái)提高系統(tǒng)性能。MinE-CAP 根據(jù)交流線路電...

2022-07-28 標(biāo)簽：led充電器散熱器 1378 0

用于電機(jī)控制的GaN技術(shù)

基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關(guān)頻率電機(jī)控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效...

2022-07-27 標(biāo)簽：電源電機(jī)控制氮化鎵 2568 0

具有SiC和GaN的高功率

電力電子將在未來(lái)幾年發(fā)展，尤其是對(duì)于組件，因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來(lái)越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料...

2022-07-27 標(biāo)簽：MOSFETSiCGaN 1209 0

GaN使硅變得容易

就像生活中的現(xiàn)實(shí)一樣，當(dāng)老年人離開年輕人的舞臺(tái)時(shí)，Silicon 正在鞠躬。氮化鎵 (GaN) 的出現(xiàn)和采用已成功地逐步淘汰了舊的可靠硅。四十多年來(lái)，隨...

2022-07-27 標(biāo)簽：MOSFET氮化鎵GaN 918 0

采用GaN的下一代高頻電路

提高功率密度的關(guān)鍵是提高開關(guān)頻率，以最大限度地減少無(wú)源元件，例如變壓器、EMI 濾波器、大容量電容器和輸出電容器，同時(shí)保持或提高效率。有源鉗位反激式 (...

2022-07-26 標(biāo)簽：電容器GaN高頻電路 918 0

48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用

對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻和高效設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于...

2022-07-26 標(biāo)簽：FETGaN電源系統(tǒng) 1839 0

電源適配器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)與解決方法

自從引入 USB-PD 規(guī)范及其演變以來(lái)，用于為從手機(jī)到筆記本電腦等日常電子設(shè)備供電的電源適配器的格局發(fā)生了很大變化。雖然USB-PD確保了廣泛的兼容性...

2022-07-25 標(biāo)簽：電源emi適配器 2642 0