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對緊湊而強大的電動機的需求給設(shè)計工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。為了最大限度地提高小型電機的功率輸出,工程師們正在轉(zhuǎn)向高壓和高頻操作。硅 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)...
采用可控濕法蝕刻速率的AlGaN/GaN的精密凹槽 華林科納
這本文中,我們提出了一種精確的,低損傷的循環(huán)刻蝕AlGaN/GaN的新方法,用于精確的勢壘凹陷應(yīng)用,使用ICP-RIE氧化和濕法刻蝕。設(shè)備功率設(shè)置的優(yōu)化...
如何用一個Hercules微控制器來驅(qū)動GaN功率級
今天的博文是一個動手操作項目:你將用一個氮化鎵 (GaN) 功率級、一個Hercules? 微控制器和一個滾輪來調(diào)節(jié)一盞燈的亮度。我將會談到其中的硬件和...
GaN功率晶體管的動態(tài)導(dǎo)通電阻測量技術(shù)的挑戰(zhàn)和方法
動態(tài)導(dǎo)通電阻對于 GaN 功率晶體管的可靠和穩(wěn)定運行至關(guān)重要。然而,許多工程師都在努力評估動態(tài) RDS(ON),因為很難以足夠的分辨率對其進行一致測量。...
可以使用極快的開關(guān)晶體管:超級結(jié) MOSFET (SJ)、碳化硅 MOSFET (SiC) 和基于氮化鎵 (GaN) 的晶體管;這些仍然比傳統(tǒng)晶體管昂貴...
2021-10-14 標簽:開關(guān)電源晶體管GaN 4829 0
氮化鎵充電器有什么優(yōu)點?拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內(nèi)部來看這個充電器如何?
倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN)+碳化硅(SiC) 充電器。 有2個USB Type-C輸出接口和1個USB Type-A輸出接...
LiDAR 代表 Light Detection and Ranging,即通過光帶中的電磁輻射進行(遠程)檢測和測量。該設(shè)備應(yīng)用了雷達的經(jīng)典而簡單的原...
2021-06-26 標簽:電磁輻射GaNADAS系統(tǒng) 2775 0
電機驅(qū)動中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景
通過采用電子馬達驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實現(xiàn)對電機的增強型控制,此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用...
傳統(tǒng)的升壓PFC僅使用一個有源開關(guān),通常是650V超結(jié)Si MOSFET。當今,大多數(shù)常規(guī)開關(guān)電源都采用升壓PFC,從而充分利用其簡單性、低成本和可靠性...
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應(yīng)用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品, 可以讓客戶提高整機效率, 并且溫度也隨之下降, 效率提升之外, 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。
工程師于是感到非常困惑,GaN HEMT可以反向?qū)?,那到底有還是沒有體二極管?
GaN FET 實現(xiàn)了高頻電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計。憑借出色的開關(guān)特性和零反向恢復(fù)損耗,這種輕量級設(shè)計具有更高的功率密度和更小的尺寸。
2020-12-10 標簽:pcb電路板電源轉(zhuǎn)換器 1875 0
相對于硅(Si)和碳化硅(SiC),GaN有哪些優(yōu)勢
最終的器件是額定電壓為650 V的FET,具有4 V的高閾值,小于15mΩ的導(dǎo)通電阻以及類似于單芯片的封裝。
傳統(tǒng)的升壓PFC僅使用一個有源開關(guān),通常是650V超結(jié)Si MOSFET。當今,大多數(shù)常規(guī)開關(guān)電源都采用升壓PFC,從而充分利用其簡單性、低成本和可靠性。
深度解讀激光雷達系統(tǒng)設(shè)計的eToF激光驅(qū)動器系列
作者:Maurizio Di Paolo Emilio 高效功率轉(zhuǎn)換(EPC)宣布了用于激光雷達系統(tǒng)設(shè)計的eToF激光驅(qū)動器系列。新的氮化鎵(GaN)系...
2021-03-10 標簽:GaN光學(xué)傳感器無人機 9200 0
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