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      標簽　>　gan

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      gan技術(shù)

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      2021-03-19 標簽：電動汽車逆變器GaN 5482 0

      GaN-HEMT器件的動態(tài)R DSon值測量實驗分析

      GaN-HEMT器件的動態(tài)R DSon值測量實驗分析

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      GaN晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有較小的尺寸，非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項目。在本教程中，我們將使用EPC的Ga...

      2021-03-23 標簽：EPCGaNGaN晶體管 3943 0

      SiC與石墨烯覆蓋層一起用于GaN膜的生長

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      氮化鎵（GaN）為從RF-IC到眾多功率控制IC（例如通信，能源和軍事應用中使用的大功率HEMT）等各種模擬微芯片提供了顯著的性能優(yōu)勢。GaN還是高能效...

      2021-04-04 標簽：ledSiC氮化鎵 1845 0

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      尋找硅替代物的研究始于上個世紀的最后二十年，當時研究人員和大學已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進行了試驗，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導體的現(xiàn)有硅材...

      2021-04-01 標簽：二極管功率器件GaN 2574 0

      GaN轉(zhuǎn)變充電器設(shè)計方案詳解

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      2021-04-07 標簽：轉(zhuǎn)換器電源開關(guān)AC-DC 4187 0

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      2021-05-26 標簽：微處理器晶體管氮化鎵 1801 0

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      氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...

      2020-12-20 標簽：開關(guān)電源場效應晶體管氮化鎵 3316 0

      【泰克電源設(shè)計與測試】致工程師系列之四：寬禁帶半導體器件GaN、SiC設(shè)計優(yōu)化驗證

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      選擇TIVH差分探頭的基本原則是以驅(qū)動信號的上升時間為依據(jù)，儀器系統(tǒng)對被測點的影響小于3%。上管信號測量考慮因素：帶寬、電壓范圍（共模和差模）、CMRR和連接。

      2020-08-11 標簽：SiCGaN泰克科技 1389 0

      德州儀器白皮書：GaN將能源效率推升至新高度

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      GaN也面臨著挑戰(zhàn)。過去，這些挑戰(zhàn)與制造和提供高質(zhì)量、可靠GaN的能力相關(guān)。然而，隨著整個行業(yè)制造工藝的改進和采用率的增加，挑戰(zhàn)逐漸集中到實施和系統(tǒng)設(shè)計上

      2020-08-04 標簽：德州儀器GaN柵極驅(qū)動器 1381 0

      半導體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢及瓶頸分析

      半導體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢及瓶頸分析

      作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。

      2020-09-11 標簽：SiCGaN半導體器件 1.3萬 0

      【泰克電源設(shè)計與測試】致工程師系列之三：高效GaN電源設(shè)計八部曲，泰克系列視頻課堂實操秘籍

      由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導體（SiC 和 GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和 RF 通信等嚴苛應用中。

      2020-05-11 標簽：元器件GaN泰克科技 991 0

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        5G網(wǎng)絡作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機。相對4G手機，5G手機有更快的傳輸速度，低時延，通過網(wǎng)絡切片技術(shù)，擁有更精準的定位。
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        LoRaWAN基于LoRa遠距離通信網(wǎng)絡設(shè)計的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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        藍牙4.2
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