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      gan技術(shù)

      氮化鎵GaN詳細(xì)對比分析 納微和英諾賽科氮化鎵GaN產(chǎn)品應(yīng)用

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      作者：馬坤 （郵箱：kuner0806@163.com） 隨著中國芯GaN產(chǎn)品上市，引起了大家的關(guān)注，PD產(chǎn)品更是多姿多彩；納微GaN產(chǎn)品和英諾賽科Ga...

      2020-05-12 標(biāo)簽：氮化鎵GaN英諾賽科 2.6萬 2

      我們能獲得更好的音頻放大器嗎？是的，用氮化鎵！

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      2020-03-31 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 8684 1

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      面對5G基站巨大的耗電挑戰(zhàn)，GaN是業(yè)界需要的英雄

      消費(fèi)者目前已經(jīng)開始體驗(yàn)5G技術(shù)的優(yōu)勢，它不僅能夠憑借超快的下載速度與固網(wǎng)寬帶匹敵，而且將來還可能在蜂窩網(wǎng)絡(luò)服務(wù)區(qū)域內(nèi)支持更高密度的移動(dòng)設(shè)備和互連的物聯(lián)網(wǎng)...

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      一款GaN HEMT內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計(jì)過程詳解

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      近年來，寬禁帶材料與微波功率器件發(fā)展非常迅猛。GaN材料作為第三代半導(dǎo)體的典型代表，具有很多優(yōu)異的特性，如禁帶寬度寬、擊穿場強(qiáng)高、熱傳導(dǎo)率高和峰值電子漂...

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      新一代半導(dǎo)體功率器件主要有SiC場效應(yīng)晶體管和GaN高電子遷移率晶體管。有別于第一代的Si雙極型功率晶體管和第二代GaAs場效晶體管，新一代SiC和Ga...

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      PI CEO Balu Balakrishnan在季報(bào)電話會(huì)議上所說：“基于GaN的InnoSwitch器件具有卓越的高效率，實(shí)現(xiàn)了硅開關(guān)無法達(dá)到的功率...

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      在計(jì)算機(jī)視覺領(lǐng)域，深度學(xué)習(xí)方法已全方位在各個(gè)方向獲得突破，這從近幾年CVPR 的論文即可看出。但這往往需要大量的標(biāo)注數(shù)據(jù)，比如最著明的ImageNet數(shù)...

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      一文知道RF GaN市場蓬勃發(fā)展的關(guān)鍵

      據(jù)麥姆斯咨詢介紹，近年來，由于氮化鎵（GaN）在射頻（RF）功率應(yīng)用中的附加價(jià)值（例如高頻率下的更高功率輸出和更小的占位面積），RF GaN產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了驚...

      2019-05-10 標(biāo)簽：RFGaN 5137 0

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      SiC主要用于實(shí)現(xiàn)電動(dòng)車逆變器等驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的小量輕化。SiC器件相對于Si器件的優(yōu)勢之處在于，降低能量損耗、更易實(shí)現(xiàn)小型化和更耐高溫。

      2019-05-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCGaN 5671 0

      關(guān)于GAN模型我們還要可以深入了解、探討哪些問題？

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      2019-05-05 標(biāo)簽：GaN模型數(shù)據(jù)集 3457 0

      東京大學(xué)團(tuán)隊(duì)開源了一款名為「neural collage」的圖像編輯工具

      sCBN 是一種特殊形式的條件批正則化方法 (CBN)，作為批正則化方法 (BN) 的變體，它能夠?qū)?BN 中的參數(shù)按類語義信息進(jìn)行編碼。對于圖像的局部...

      2019-04-23 標(biāo)簽：圖像GaNpython 4125 0

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      如果樣本中的元素被模型設(shè)置了0概率，那么懲罰將會(huì)變成無窮大！而GANs則通過間接的方式設(shè)置0概率，懲罰將會(huì)緩和的多。另一個(gè)方法來自于歸一化流（norma...

      2019-04-22 標(biāo)簽：GaN模型數(shù)據(jù)集 5728 0

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