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GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導通電阻和高速開關(guān)的...
2025-03-07 標簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 303 0
GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導通電阻和高速開關(guān)的...
2025-03-07 標簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 323 0
GNE1040TB柵極耐壓高達8V的150V GaN HEMT數(shù)據(jù)手冊
GNE1040TB是柵極耐壓高達8V的150V GaNHEMT。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列,該系列產(chǎn)品通過更大程度地激發(fā)低導通電阻和高速開關(guān)性能,助力...
高速GaN E-HEMT的測量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?:GaN E-HEMT(氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管)具有極高的開關(guān)速度,因此準確的測...
GaN Systems易于驅(qū)動的GaN功率器件技術(shù)文檔詳解
GaN Systems易于驅(qū)動的GaN功率器件技術(shù)文檔
氮化鎵(GaN)功率器件系列能夠設計出體積更小,成本更低,效率更高的電源系統(tǒng),從而突破基于硅的傳統(tǒng)器件的限制。 這里我們給大家介紹一下GaNPX?和PD...
TIDA-00909 適用于高速驅(qū)動器的 48V/10A 高頻 PWM 三相 GaN 逆變器參考設計
低電壓、高速驅(qū)動器和/或低電感無刷電機需要在 40 kHz 至 100 kHz 范圍內(nèi)具有更高的逆變器開關(guān)頻率,以最大限度地減少電機中的損耗和轉(zhuǎn)矩紋波。...
產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級
LMG5200器件是一個 80V、10A 驅(qū)動器和 GaN 半橋功率級,使用增強型氮化鎵 (GaN) FET 提供集成功率級解決方案。該器件由兩個 80...
技術(shù)資料#LMG3410R070 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
2025-02-26 標簽:GaN電力電子系統(tǒng)輸出電容 214 0
技術(shù)資料#LMG3411R070 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
2025-02-26 標簽:過流保護GaN電力電子系統(tǒng) 597 0
技術(shù)資料#LMG3410R050 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
PMP20873 效率為99%的1kW基于GaN的CCM圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 轉(zhuǎn)換器參考設計
連續(xù)導通模式 (CCM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種簡單但高效的功率轉(zhuǎn)換器。為了達到 99% 的效率,需要考慮許多設計細節(jié)。PMP20873...
2025-02-25 標簽:功率因數(shù)功率轉(zhuǎn)換器PFC 314 0
技術(shù)資料#LMG3411R050 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
2025-02-25 標簽:電子系統(tǒng)PFCGaN 475 0
適用于集成驅(qū)動器的三相1.25kW、200VAC 小型 GaN逆變器參考設計
此參考設計是一款三相逆變器,在 50°C 環(huán)境溫度下的連續(xù)額定功率為 1.25 kW,在 85°C 環(huán)境溫度下的連續(xù)額定功率為 550 W,用于驅(qū)動 2...
技術(shù)資料#LMG3411R150 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,...
2025-02-25 標簽:MOSFET電子系統(tǒng)GaN 294 0
技術(shù)資料#LMG3422R030 具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告的 600V 30mΩ GaN FET
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健? LMG3...
2025-02-25 標簽:tiGaN開關(guān)模式電源 625 0
具有集成驅(qū)動器和自我保護功能的GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設計
德州儀器(TI)推出了一種新的集成氮化鎵(GaN)功率級產(chǎn)品家族,該家族采用了一種低成本緊湊的四方扁平無引線(OFN)封裝,封裝尺寸為12毫米x12毫米...
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