HBM4

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2025年4月，國際半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC正式發(fā)布了新一代高帶寬內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)HBM4。HBM4在帶寬、通道數(shù)、電源效率等方面進(jìn)行了顯著改進(jìn)，將為生成式AI、高性能計(jì)算(HPC)、高端顯卡和服務(wù)器等領(lǐng)域帶來革命性的變化。

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GPU集成12顆HBM4，臺(tái)積電CoWoS-L、CoW-SoW技術(shù)演進(jìn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）日前消息，臺(tái)積電計(jì)劃于2027年量產(chǎn)CoW-SoW（晶圓上系統(tǒng)）封裝技術(shù)，該技術(shù)是將InFO-SoW（集成扇出晶圓上系統(tǒng)）...

2024-09-13 標(biāo)簽：臺(tái)積電 gpu CoWoS 4400 0

HBM4到來前夕，HBM熱出現(xiàn)兩極分化

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）高帶寬存儲(chǔ)器HBM由于生成式AI的到來而異軍突起，成為AI訓(xùn)練不可或缺的存儲(chǔ)產(chǎn)品。三大HBM廠商SK海力士、三星電子、美光...

2024-09-23 標(biāo)簽：HBM HBM4 2914 0

400層閃存、HBM4、122TB SSD等，成為2025年存儲(chǔ)市場(chǎng)牽引力

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）在人工智能、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、智能終端等應(yīng)用的帶動(dòng)下，存儲(chǔ)新技術(shù)新產(chǎn)品加速到來。例如數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，不僅是高帶寬HB...

2024-12-16 標(biāo)簽：閃存 SSD HBM4 2707 0

特斯拉欲將HBM4用于自動(dòng)駕駛，內(nèi)存大廠加速HBM4進(jìn)程

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）近日據(jù)韓媒報(bào)道，特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4的采購意向，并要求這兩家公司提供通用HBM4芯片樣品。特斯拉此次欲...

2024-11-28 標(biāo)簽：自動(dòng)駕駛 HBM4 2418 0

三星攜手臺(tái)積電,共同研發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片技術(shù)

據(jù)最新報(bào)道，三星電子與臺(tái)積電攜手共謀AI芯片的未來，雙方正緊密合作開發(fā)下一代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4）芯片，旨在鞏固并加強(qiáng)各自在快速增長的人工智能芯片市場(chǎng)...

2024-09-06 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電存儲(chǔ)器 1816 0

三星電子組建HBM4團(tuán)隊(duì)，旨在縮短開發(fā)周期，提升競(jìng)爭力

據(jù)此，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將主要負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的開發(fā)和優(yōu)化，而今年三月份新設(shè)立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專攻下一代技術(shù)——HBM4。

2024-05-11 標(biāo)簽：DRAM 三星電子 HBM 1624 0

HBM4進(jìn)一步打破內(nèi)存墻，Rambus控制器IP先行

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）2022年11月發(fā)布的GPT-3使用1750億個(gè)參數(shù)，而今年5月發(fā)布的最新版本GPT-4o則使用超過1.5萬億個(gè)參數(shù)。在過...

2024-11-19 標(biāo)簽：HBM4 1531 0

2025年HBM已售罄，存儲(chǔ)大廠加快HBM4進(jìn)程

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）近日，繼閃迪、長江存儲(chǔ)向渠道發(fā)布了漲價(jià)通知后，美光科技向客戶發(fā)出的漲價(jià)函在渠道曝光。漲價(jià)函顯示，美光觀察到各個(gè)業(yè)務(wù)部門的需...

2025-03-30 標(biāo)簽：存儲(chǔ)HBM HBM4 1447 0

SK海力士探索無焊劑鍵合技術(shù)，引領(lǐng)HBM4創(chuàng)新生產(chǎn)

在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中，SK海力士，作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，正積極探索前沿技術(shù)，以推動(dòng)高帶寬內(nèi)存（HBM）的進(jìn)一步演進(jìn)。據(jù)最新業(yè)界消息，...

2024-07-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)SK海力士 1319 0

臺(tái)積電將采用HBM4，提供更大帶寬和更低延遲的AI存儲(chǔ)方案

在近期舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電透露了即將用于HBM4制造的基礎(chǔ)芯片的部分新信息。據(jù)悉，未來HBM4將采用邏輯制程生產(chǎn)，而臺(tái)積電計(jì)劃利用其...

2024-05-20 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電 HBM 1310 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
無人駕駛

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提供全球最前沿?zé)o人駕駛科技趨勢(shì)，中國無人駕駛開發(fā)者社區(qū)
1024

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京瓷

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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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eMMC （Embedded Multi Media Card）是MMC協(xié)會(huì)訂立、主要針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
過壓保護(hù)電路

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6G

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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
華強(qiáng)pcb線路板打樣

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高頻電容

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COB

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wifi6

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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
汽車

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dcdc轉(zhuǎn)換器

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
檢測(cè)電路圖

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Zynq-7000

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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
CD4069

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過流保護(hù)電路

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電路過電流過電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過電流和過電壓均進(jìn)行保護(hù)。
特斯拉線圈

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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過來的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬伏的高頻電壓。
過零檢測(cè)電路

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過零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)?？勺鏖_關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
VDD

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
VHF

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逆變器電路圖

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慕尼黑上海電子展

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HarmonyOS

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HarmonyOS最新信息分享，我們將為大家?guī)鞨armonyOS是什么意思的深度解讀，HarmonyOS官網(wǎng)地址、HarmonyOS開源相關(guān)技術(shù)解讀與設(shè)計(jì)應(yīng)用案例，HarmonyOS系統(tǒng)官網(wǎng)信息，華為harmonyOS最新資訊動(dòng)態(tài)分析等。
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AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬物數(shù)據(jù)化、萬物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問題。
測(cè)試電路

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功率放大器（英文名稱：power amplifier），簡稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢委員會(huì)相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。

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