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近期,美國南卡羅來納大學(xué)報道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶...
用于高分辨率激光雷達的氮化鎵HEMT電路拓撲結(jié)構(gòu)
激光雷達(LiDAR)基于通過將光束照射到物體上并準確測量反射的飛行時間來估算距離的原理。通過將發(fā)射光掃過真實世界的場景,可以收集三維信息以供計算機系統(tǒng)...
2023-05-06 標簽:拓撲結(jié)構(gòu)氮化鎵激光雷達 1046 0
Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較!
碳化硅(SiC)技術(shù)改進了各種應(yīng)用中的多個系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比,碳化硅通過更快的開關(guān)、在整個溫度范圍內(nèi)的平坦RDS(on)和更好的體二極管性能表現(xiàn)...
氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,具有高擊穿電場強度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性,是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...
絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示, AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍寶石襯底上外延得到,由下往上依次為180nm高溫A...
關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一,采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-...
AIN/AIGaN/GaN MIS異質(zhì)結(jié)構(gòu)C-V分析
C-V測試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法,采用Keithley 4200半導(dǎo)體表征系統(tǒng)的CVU模塊測量了肖特基柵和絕緣柵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的C-V特性。
Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件結(jié)構(gòu)與特性
通過AlN柵介質(zhì)層MIS-HEMT和Al2O3柵介質(zhì)層MOS-HEMT器件對比研究發(fā)現(xiàn),PEALD沉積AlN柵絕緣層可以大幅改善絕緣柵器件的界面和溝道輸...
用熱反射測溫技術(shù)測量GaN HEMT的瞬態(tài)溫度
第三代半導(dǎo)體器件CaN高電子遷移率晶體管(HEMT)具備較高的功率密度,同時具有較強的自熱效應(yīng),在大功率工作條件下會產(chǎn)生較高的結(jié)溫。根據(jù)半導(dǎo)體器件可靠性...
硅上氮化鎵具有廣泛的未來應(yīng)用,擴展了當(dāng)前的HEMT功能,將功率水平提高到1kW以上。該技術(shù)可幫助設(shè)計人員提高工作電壓,并將頻率響應(yīng)從Ka波段推入E波段、...
2023-02-12 標簽:頻率響應(yīng)HEMT硅基氮化鎵 509 0
這是NEDO關(guān)于“加強后5G信息通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項目”的成果。2020年6月,NEDO發(fā)布了該決定,并計劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技...
氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表...
氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作(高 Fmax)、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比,GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙,達 3...
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