全新60W GaN HEMT Psat晶體管幫助降低軍用和民用雷達(dá)系統(tǒng)，對(duì)于高功率放大器尺寸、重量以及散熱的要求
2012-07-10 09:36:52
1022 已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管 （HEMT）的增強(qiáng)模式開發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 （MIS） 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)動(dòng)的低柵極漏電流，以及柵極注入晶體管 （GIT
2022-07-25 08:05:312595 
基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關(guān)頻率電機(jī)控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們?cè)谶@里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動(dòng)機(jī)應(yīng)用的功率和逆變器階段提供的優(yōu)勢(shì)。
2022-07-27 14:03:561602 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對(duì)應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
使用較低的Rds（on）可以降低傳導(dǎo)損耗，而使用GaN可以減小芯片尺寸并降低動(dòng)態(tài)損耗。當(dāng)GaN與鋁基異質(zhì)結(jié)構(gòu)結(jié)合時(shí)形成二維電子氣體（2DEG）的能力導(dǎo)致了備受青睞的高電子遷移率晶體管（HEMT）功率器件
2023-11-06 09:39:293615 
本推文簡(jiǎn)述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。
2023-11-27 17:12:011023 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）從消費(fèi)電子電源類產(chǎn)品開始，GaN拉開了巨大市場(chǎng)發(fā)展空間的序幕，并逐漸往數(shù)據(jù)中心、汽車OBC甚至主驅(qū)逆變器等領(lǐng)域滲透。主流應(yīng)用的650V GaN HEMT在充電頭、以及
2022-12-13 09:21:001800 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 , ALN系列低噪聲放大器由分立或MMIC PHEMT器件構(gòu)成，可在該頻率下工作范圍從18到100 GHz。 這些放大器專為低噪聲應(yīng)用而設(shè)計(jì)。 放大器提供在兩個(gè)類別，即標(biāo)準(zhǔn)和定制。 定制的放大器提供各種RF
2018-12-03 14:11:55
, ALN系列低噪聲放大器由分立或MMIC PHEMT器件構(gòu)成，可在該頻率下工作范圍從18到100 GHz。 這些放大器專為低噪聲應(yīng)用而設(shè)計(jì)。 放大器提供在兩個(gè)類別，即標(biāo)準(zhǔn)和定制。 定制的放大器提供各種RF
2018-12-03 14:14:02
, ALN系列低噪聲放大器由分立或MMIC PHEMT器件構(gòu)成，可在該頻率下工作范圍從18到100 GHz。 這些放大器專為低噪聲應(yīng)用而設(shè)計(jì)。 放大器提供在兩個(gè)類別，即標(biāo)準(zhǔn)和定制。 定制的放大器提供各種RF
2018-12-03 14:16:14
硅MOSFET功率晶體管多年來(lái)一直是電源設(shè)計(jì)的支柱。雖然它們?nèi)匀槐粡V泛使用，但是在一些新設(shè)計(jì)中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術(shù)的最新發(fā)展，以及改進(jìn)的GaN器件和驅(qū)動(dòng)器電路
2017-05-03 10:41:53
領(lǐng)域的熱點(diǎn)。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導(dǎo)體材料的核心技術(shù)之一，具有禁帶寬度高、擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、電子飽和速度高等優(yōu)勢(shì)。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開關(guān)速度快、寄生參數(shù)低等優(yōu)良特性
2023-06-25 15:59:21
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢(shì)。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動(dòng)態(tài)，對(duì)GaN 調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進(jìn)行了具體分析，并同其他微波器件進(jìn)行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
為什么
GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，相比LDMOS硅技術(shù)而言，
GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻
器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1，
GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說(shuō)，
GaN是高頻
器件材料技術(shù)上的突破?！ ?/div>
2019-06-26 06:14:34
` 本帖最后由 射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
`住友電工的GaN-HEMT為具有50V工作電壓的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更寬的帶寬，并為您提供了更高的增益。該器件的目標(biāo)應(yīng)用是高電壓的低電流和寬帶應(yīng)用。高壓操作
2021-03-30 11:37:49
Qorvo 的 T2G6001528-Q3 是 15 W (P3dB) 寬帶無(wú)與倫比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 電源軌范圍內(nèi)運(yùn)行。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
2021-08-04 11:50:58
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測(cè)量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關(guān)拓?fù)?，效率在開關(guān)頻率超過(guò) 250 kHz 時(shí)也會(huì)受到影響。 而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
為了滿足數(shù)據(jù)中心快速增長(zhǎng)的需求，對(duì)電源的需求越來(lái)越大更高的功率密度和效率。在本文中，我們構(gòu)造了一個(gè)1.5 kW的LLC諧振變換器模塊，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸
2023-06-16 11:01:43
在過(guò)去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，這在我的版本（ADS 2013）中沒有。請(qǐng)?zhí)崆皫椭?，謝謝。 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21:37
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)是當(dāng)前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過(guò)去，PA 設(shè)計(jì)以大致的起點(diǎn)開始并運(yùn)用大量
2019-07-31 08:13:22
材料。GaN器件設(shè)計(jì)人員通過(guò)添加一個(gè)晶格稍微不匹配的AIGaN緩沖層來(lái)利用這個(gè)壓電效應(yīng)。這樣做增加了器件的應(yīng)力，從而導(dǎo)致由自發(fā)和壓電效應(yīng)引起的極化場(chǎng)。這個(gè)二維電子氣 (2DEG) 通道就是這個(gè)極化場(chǎng)
2019-07-12 12:56:17
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因?yàn)楫?dāng)我在ADS的原理圖窗口中搜索它時(shí)，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個(gè)功率放大器模擬，我需要一個(gè)GaN器件。請(qǐng)?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
MIS器件,MIS器件是什么意思
以SiO2為柵介質(zhì)時(shí)，叫MOS器件，這是最常使用的器件形式。歷史上也出現(xiàn)過(guò)以Al2O3為柵介質(zhì)的MAS器件和以Si3N4
2010-03-04 16:01:241425 什么是MIS
金屬－絕緣體－半導(dǎo)體（簡(jiǎn)寫為 MIS）系統(tǒng)的三層結(jié)構(gòu)如圖1所示。如絕緣層采用氧化物,則稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體(簡(jiǎn)寫為MOS)
2010-03-04 16:04:267890 Toshiba推出C-BAND SATCOM應(yīng)用的高增益50W GaN HEMT功率放大器，東芝美國(guó)電子元器件公司推出其功率放大器產(chǎn)品系列中的50W C頻段氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體高電子遷移晶體管(HEMT)。
Toshiba 的
2010-06-10 10:47:331757 科銳公司日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國(guó)際微波研討會(huì)上展出業(yè)界首款面向衛(wèi)星通信應(yīng)用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA)
2011-06-23 09:09:212124 這篇文章的目的是提供一個(gè)指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)備的用戶。
2017-06-27 08:54:11
23 低壓氮化鎵（GaN）器件市場(chǎng)越來(lái)越重要，EPC是低壓硅上氮化鎵（GaN-on-silicon）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的主要供應(yīng)商。
2017-10-18 17:22:0710585 松下宣布研發(fā)出新型MIS結(jié)構(gòu)的Si基GaN功率晶體管，可以連續(xù)穩(wěn)定的工作，柵極電壓高達(dá)10V，工作電流在20A，擊穿電壓達(dá)到730V。
2018-03-15 09:56:086681 
本文討論了紅外顯微鏡用于測(cè)量高性能微波GaN HEMT器件和MMIC的局限性。它還將描述Qorvo的熱分析集成方法，它利用建模、經(jīng)驗(yàn)測(cè)量（包括顯微拉曼熱成像）和有限元分析（FEA）。該方法是非常有效的，并已被經(jīng)驗(yàn)驗(yàn)證。通過(guò)承認(rèn)紅外顯微鏡的局限性，預(yù)測(cè)和測(cè)量可以比用低功率密度技術(shù)開發(fā)的傳統(tǒng)方法更精確。
2018-08-02 11:29:0011 典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長(zhǎng)-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場(chǎng)板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。
2018-10-26 17:33:0610616 CoolGaN是英飛凌GaN增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）系列產(chǎn)品。最近該公司推出了兩款進(jìn)入量產(chǎn)的產(chǎn)品——CoolGaN 600 V增強(qiáng)型HEMT和GaN開關(guān)管專用驅(qū)動(dòng)IC GaN
2018-12-06 18:06:214654 LMG3410R070 GaN功率級(jí)器件的一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)是在硬切換時(shí)控制轉(zhuǎn)換速率，這種控制對(duì)于抑制PCB寄生電阻和EMI具有重要意義，TI這款產(chǎn)品采用可編程電流來(lái)驅(qū)動(dòng)GaN門，使得轉(zhuǎn)換速率可以設(shè)定在30~100V/ns之間。
2019-01-07 10:39:335256 產(chǎn)品包括SBD、常關(guān)型FET、常開型FET、級(jí)聯(lián)FET等產(chǎn)品，面向無(wú)線充電、電源開關(guān)、包絡(luò)跟蹤、逆變器、變流器等市場(chǎng)。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、Power FET電力電子器件工藝兩大類。
2019-02-03 12:54:0011330 目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術(shù)路線，一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線，另一是在Si襯底上制作平面導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線。
2019-08-01 15:00:037275 
本文報(bào)道了algan/gan高電子遷移率晶體管（hemt）在反向柵偏壓作用下閾值電壓的負(fù)漂移。該器件在強(qiáng)pinch-off和低漏源電壓條件下偏置一定時(shí)間（反向柵極偏置應(yīng)力），然后測(cè)量傳輸特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 基于溫度步進(jìn)應(yīng)力實(shí)驗(yàn)，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同溫度應(yīng)力下的退化規(guī)律及退化機(jī)理。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)： 在結(jié)溫為 139 ～ 200 ℃ 時(shí)，AlGaN /GaN HEMT 器件
2020-06-23 08:00:002 充電、電源開關(guān)、包絡(luò)跟蹤、逆變器、變流器等市場(chǎng)。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、 Power FET電力電子器件工藝兩大類。
2020-07-27 10:26:001 《漲知識(shí)啦19》---HEMT 的電流崩塌效應(yīng) 在之前的《漲知識(shí)啦》章節(jié)中，小賽已經(jīng)介紹了GaN材料中極化效應(yīng)以及二維電子氣（2DEG）的產(chǎn)生原理。因2DEG具有超高的溝道遷移率，所以2DGE可以
2020-09-21 16:35:441856 
GaN 基高電子遷移率場(chǎng)效應(yīng)管（HEMT）在高頻大功率器件方面具有突出的優(yōu)勢(shì)，并在其應(yīng)用領(lǐng)域已取得重要進(jìn)展，但GaN基HEMT器件大功率應(yīng)用的最大挑戰(zhàn)是其normally-on特性。對(duì)于傳統(tǒng)
2020-09-21 09:53:013557 
在實(shí)際應(yīng)用中，為實(shí)現(xiàn)失效安全的增強(qiáng)模式（E-mode）操作，科研人員廣泛研究了基于凹槽柵結(jié)構(gòu)的MIS柵、p-GaN regrowth柵增強(qiáng)型GaN HEMT器件。在實(shí)際的器件制備過(guò)程中，精確控制柵極凹槽刻蝕深度、減小凹槽界面態(tài)密度直接影響器件閾值電壓均勻性
2020-10-09 14:18:508850 IR-HiRel氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。特別是高臨界電場(chǎng)使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容
2021-08-27 11:40:032516 工程師于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向?qū)?，那到底有還是沒有體二極管？
2021-03-15 09:41:078331 對(duì)于許多設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。與硅MOSFET相比，氮化鎵HEMT具有出色的特定動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和更小的電容，因此更適于做高速開關(guān)。
2021-09-08 18:03:541518 引言 AlN、GaN及其合金因其寬帶隙和獨(dú)特的性能被廣泛應(yīng)用于光電子領(lǐng)域，例如基于AlGaN的紫外線發(fā)光二極管(UV-LEDs) ，激光二極管(LD)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2022-01-14 11:16:262494 
氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表，器件在高頻功率應(yīng)用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場(chǎng)，如圖1所示。
2022-02-10 15:27:4318442 
作者研究了四個(gè)商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之間的寬溫度范圍內(nèi)的性能。據(jù)作者介紹，正如原始文章中所報(bào)道的，所有測(cè)試的器件都可以在低溫下成功運(yùn)行，性能整體有所提高。然而，不同的 GaN HEMT 技術(shù)意味著器件柵極控制的顯著變化。
2022-07-25 09:20:28933 
納米電子和數(shù)字技術(shù)研究與創(chuàng)新中心 Imec 在 2021 年國(guó)際電子器件會(huì)議（IEEE IEDM 2021）上展示了其最新研究成果。通過(guò)在基于 p 型氮化鎵 （GaN） HEMT 的 200-V
2022-07-26 08:02:43837 
Imec 展示了高性能肖特基勢(shì)壘二極管和耗盡型 （d-mode） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 在基于 p 型氮化鎵 （GaN） HEMT 的 200-V GaN- 上的成功共集成。在 200 毫米基板上開發(fā)的 on-SOI 智能功率集成電路 （IC） 平臺(tái)。
2022-07-29 15:34:03837 雖然乍一看似乎比較簡(jiǎn)單，但這些器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電路需要仔細(xì)設(shè)計(jì)。首先，通常關(guān)閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負(fù)電壓來(lái)將其關(guān)閉并將其保持在關(guān)閉狀態(tài)，從而避免意外開啟。
2022-07-29 09:27:171367 
已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管(HEMT)的增強(qiáng)模式開發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 (MIS) 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)動(dòng)的低柵極泄漏電流，以及柵極注入晶體管 (GIT
2022-07-29 09:19:44762 ?；诘?(GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有卓越的電氣特性，是高壓和高開關(guān)頻率電機(jī)控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們?cè)谶@里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動(dòng)機(jī)應(yīng)用的功率和逆變器級(jí)中提供的優(yōu)勢(shì)。
2022-08-08 09:15:48816 
針對(duì)熱效應(yīng)機(jī)理和熱電模型,我們將著重考慮熱導(dǎo)率和飽和速率隨晶格溫度的變化。由于熱電效應(yīng)最直接的外部反映是就是直流I-V特性,因此這里主要模擬GaN HEMT器件的直流特性曲線。通過(guò)編寫 Silvaco程序來(lái)模擬 GaN HEMT器件的特性曲線,再與實(shí)驗(yàn)曲線作對(duì)比,獲得準(zhǔn)確的模型參數(shù)。
2022-09-08 10:44:051571 ，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國(guó)防雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場(chǎng)中獲得應(yīng)用。
2022-09-19 09:33:211670 氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表，器件在高頻功率應(yīng)用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場(chǎng)，如圖1所示。
2022-09-27 10:30:173330 Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備優(yōu)異的性能指標(biāo)；CG2H80060D包含更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)；更高的飽和電子漂移
2022-11-01 09:29:51593 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）從消費(fèi)電子電源類產(chǎn)品開始，GaN拉開了巨大市場(chǎng)發(fā)展空間的序幕，并逐漸往數(shù)據(jù)中心、汽車OBC甚至主驅(qū)逆變器等領(lǐng)域滲透。主流應(yīng)用的650V GaN HEMT在充電頭、以及
2022-12-13 07:10:04656 GaN HEMT 模型初階入門：非線性模型如何幫助進(jìn)行 GaN PA 設(shè)計(jì)？（第一部分，共兩部分）
2022-12-26 10:16:25805 
GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)
2023-01-30 14:17:44556 隨著GaN器件在一線品牌（小米、OPPO、華為、VIVO、聯(lián)想等）大功率適配器等應(yīng)用場(chǎng)景的優(yōu)勢(shì)展示和產(chǎn)品推出，推動(dòng)了GaN器件在更廣泛的電源領(lǐng)域的使用，使GaN器件的成本價(jià)格與市面主流的Si器件相當(dāng)
2023-02-02 17:20:25836 
第三代半導(dǎo)體器件CaN高電子遷移率晶體管（HEMT）具備較高的功率密度，同時(shí)具有較強(qiáng)的自熱效應(yīng)，在大功率工作條件下會(huì)產(chǎn)生較高的結(jié)溫。根據(jù)半導(dǎo)體器件可靠性理論，器件的工作溫度、性能及可靠性有著極為密切的聯(lián)系，因此準(zhǔn)確檢測(cè)GaN HEMT的溫度就顯得極為重要。
2023-02-13 09:27:521084 
的平帶電壓解析模型，然后考慮柵絕緣層和勢(shì)壘層界面電荷對(duì)兩個(gè)模型進(jìn)行對(duì)比，提取出了MIS-HEMT和MOS-HEMT兩種器件的有效界面電荷密度。
2023-02-13 09:33:581173 
通過(guò)AlN柵介質(zhì)層MIS-HEMT和Al2O3柵介質(zhì)層MOS-HEMT器件對(duì)比研究發(fā)現(xiàn)，PEALD沉積AlN柵絕緣層可以大幅改善絕緣柵器件的界面和溝道輸運(yùn)特性；但是由于材料屬性和生長(zhǎng)工藝的局限性
2023-02-14 09:16:411278 
C-V測(cè)試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley 4200半導(dǎo)體表征系統(tǒng)的CVU模塊測(cè)量了肖特基柵和絕緣柵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的C-V特性。
2023-02-14 09:17:15943 
關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三種器件結(jié)構(gòu)的關(guān)態(tài)柵漏電曲線，漏極電壓Vd設(shè)定在0V，反向柵極電壓從0V掃描至-10V，正向柵電壓掃描至5V。
2023-02-14 09:18:541887 
本研究采用PEALD沉積AlN材料作柵絕緣層的同時(shí)，利用其作為器件表面鈍化層材料，本節(jié)即采用脈沖測(cè)試方法研究了PEALD沉積AlN鈍化器件的電流崩塌特性，并將其與常規(guī)的PECVD沉積SiN鈍化層材料進(jìn)行了對(duì)比分析。
2023-02-14 09:31:49667 
一款GaN HEMT內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計(jì)過(guò)程詳解 張書源，鐘世昌 發(fā)表于 2020-01-22 16:55:00 模擬技術(shù) +關(guān)注 0 引言 近年來(lái)，寬禁帶材料與微波功率器件發(fā)展非常迅猛。GaN材料
2023-02-17 09:52:430 氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。GaN 外延材料的 質(zhì)量決定了高電子遷移率
2023-02-20 11:47:22876 GaN基功率開關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強(qiáng)型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:00793 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23465 GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計(jì)者提供了對(duì) LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)
2023-05-24 09:40:011375 
GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應(yīng)用于大功率和高頻電子設(shè)備。
2023-05-25 15:14:061222 
襯底材料和GaN之間純?cè)谳^大的晶格失配和熱失配，外延層中往往存在大量的缺陷，使得HEMT器件中存在較強(qiáng)電流崩塌效應(yīng)，影響器件的性能發(fā)揮。
2023-06-14 14:00:551654 
點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ （本文轉(zhuǎn)載自公眾號(hào)： 功率器件顯微鏡 ，分享給大家交流學(xué)習(xí)） GaN HEMT功率器件實(shí)測(cè)及其測(cè)試注意事項(xiàng)。氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表，具有極快的開關(guān)
2023-07-17 18:45:02711 
摘要：研究了基于AlGaN/GaN型結(jié)構(gòu)的氣敏傳感器對(duì)于CO的傳感性.制備出AlGaN/GaN型氣敏傳感器器件，并測(cè)試得到了器件在50℃時(shí)對(duì)于不同濃度（1%，9000，8000，5000
2023-09-01 16:22:490 英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布
2023-10-10 17:12:15201 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來(lái)降低功率并簡(jiǎn)化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進(jìn)的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11293 
一般而言，GaN器件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實(shí)現(xiàn)外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。然而，器件的使用面臨著柵極耐壓、控制IC（負(fù)責(zé)GaN器件的驅(qū)動(dòng)控制
2023-10-25 15:45:02236 
了很多關(guān)注，由寬禁帶半導(dǎo)體所制備的功率器件可作為具有低導(dǎo)通電阻的高壓開關(guān)，可以取代硅功率器件。此外，寬禁帶異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高的載流子密度和二維電子氣通道，以及較大的臨界電場(chǎng)強(qiáng)度等物理特性，其中的氮化鎵 (Gallium Nitride, GaN）已被認(rèn)為可制備極佳的功率開關(guān)。
2023-11-09 11:26:43439 
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動(dòng)速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:20337 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 報(bào)告內(nèi)容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)
GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
2023-12-14 11:06:58178 
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 
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